公开(公告)号：CN1245338A

公开(公告)日：2000-02-23

申请号：CN99111386.1

申请日：1999-08-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大月哲也

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C8/14

Abstract: 半导体存储器使用了双字线系统和负电势字线系统,其中,栅极和源极之间和栅极和漏极之间使用降低的最大外加电压,该半导体存储器使沿主字线设置的子字线驱动电路有一个晶体管控制为总处于ON状态,它置于控制子字线为正电势的晶体管和子字线之间;设置控制子字线为负电势的两个晶体管的阈值电压使得即使其栅极为地电势,当子字线被选中时,它们仍保持在OFF状态,当子字线未被选中时,低于上述预定正电压的正电压加到它们的栅极。

公开(公告)号：CN1215211A

公开(公告)日：1999-04-28

申请号：CN98120108.3

申请日：1998-09-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大月哲也 ,  成竹功夫

IPC: G11C11/40

CPC classification number: G11C11/4097 ,  G11C7/06 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/565 ,  G11C16/24

Abstract: 一种动态型半导体存储器件,它包括一个第一分级补偿位线、一个第二分级补偿位线、一个第一读出放大器、至少一个第二读出放大器及一个电容器和一个转移栅。该器件采用包括一个晶体管和一个电容器的存储单元,而不象传统的存储单元那样采用两个晶体管和一个电容器,它可以在一个单个的存储单元中保存两位数据,有助于显著地减小芯片面积。

公开(公告)号：CN1201239A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98102024.0

申请日：1998-05-28

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大月哲也 ,  渡部博士

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/5657

Abstract: 一种能够将多位数据存入一个存储单元并能够抑制读出放大器电路占用空间的增加的FRAM。在FRAM中,用一个开关元件使位线对分为第一位线对和第二位线对。第一位线对和第二位线对之间接有耦合电容。结果,在开关元件将第一位线对与第二位线对分开之后,第一位线对的电位被一个读出放大器放大。当读出高位数据时,这个高位数据对第二位线对上的电位产生影响。此后,第二位线对上的另一电位被另一个读出放大器放大以读出低位数据。