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公开(公告)号：CN100370317C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200480000785.7
申请日：2004-03-11
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明涉及一种主要用于光通信系统或者光信息处理系统的半导体光调制器，本发明的在SI-InP基板(11)上依次层叠n-InP包覆层(12)、光波导层(13)、SI-InP包覆层(14)、n-InP包覆层(15)，并从与n-InP包覆层(15)连接的电极(16)、和与n-InP包覆层(12)连接的接地电极(17)加载电压，本发明特别适合作为以低电压操作且波导损失小的半导体相位调制器或者半导体马赫-曾德尔型光调制器。
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公开(公告)号：CN1701259A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000785.7
申请日：2004-03-11
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明涉及一种主要用于光通信系统或者光信息处理系统的半导体光调制器，本发明的在SI－InP基板(11)上依次层叠n－InP包覆层(12)、光波导层(13)、SI－InP包覆层(14)、n－InP包覆层(15)，并从与n－InP包覆层(15)连接的电极(16)、和与n－InP包覆层(12)连接的接地电极(17)加载电压，本发明特别适合作为以低电压操作且波导损失小的半导体相位调制器或者半导体马赫－曾德尔型光调制器。
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公开(公告)号：CN100421321C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200580001302.X
申请日：2005-05-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0265 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/305 , H01S5/3072 , H01S5/3434
Abstract: 在p型基板上的低台面埋入元件结构中，为了具有高的元件特性，提高制造的成品率和run-to-run的再现性，使元件的接触层成长前，即上部金属包层成长后的截面形状变平坦，达到不使接触层的结晶性有问题的程度。在p型半导体基板(1)上具有至少是由p型金属包层(2)、活性层(4)和n型金属包层(6)构成的带状层叠体，利用电流阻断层(8)埋入层叠体的两侧，在电流阻断层(8)和层叠体上配置n型上部金属包层(9)和n型接触层(10)。n型上部金属包层(9)为使电流阻断层(8)和层叠体的上表面的凹凸变平坦的半导体结晶。
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公开(公告)号：CN1898842A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580001302.X
申请日：2005-05-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0265 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/305 , H01S5/3072 , H01S5/3434
Abstract: 在p型基板上的低台面埋入元件结构中，为了具有高的元件特性，提高制造的成品率和run－to－run的再现性，使元件的接触层成长前，即上部金属包层成长后的截面形状变平坦，达到不使接触层的结晶性有问题的程度。在p型半导体基板(1)上具有至少是由p型金属包层(2)、活性层(4)和n型金属包层(6)构成的带状层叠体，利用电流阻断层(8)埋入层叠体的两侧，在电流阻断层(8)和层叠体上配置n型上部金属包层(9)和n型接触层(10)。n型上部金属包层(9)为使电流阻断层(8)和层叠体的上表面的凹凸变平坦的半导体结晶。
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