公开(公告)号：CN101496118A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028669.X

申请日：2007-08-01

Applicant: 日本微涂料株式会社

Inventor： 堀本真树 ,  永峯拓也 ,  渡边武洋 ,  室川富美 ,  堀江祐二 ,  熊坂登行 ,  细井雅弘

IPC: H01B13/00 ,  H01B12/06 ,  B24B7/13 ,  B24B21/00 ,  B24B37/00 ,  C01G1/00

CPC classification number: B24B7/13 ,  B24B21/00 ,  B24B37/04 ,  H01L39/2454 ,  Y10S505/813 ,  Y10T29/49014 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明为了提高超导薄膜的临界电流，提供一种用于提高带状金属基材的表面结晶取向性的表面研磨方法。该方法对氧化物超导体中的带状基材的被研磨面进行研磨，该氧化物超导体由带状基材、形成于带状基材上的中间层、形成于中间层上的氧化物超导薄膜层构成，其特征在于，该方法包括一边使带状基材连续行进一边研磨被研磨面的研磨工序，研磨工序包括初期研磨和精加工研磨，最终研磨成被研磨面的表面平均粗糙度Ra为2纳米以下，中间层的面内取向性Δφ为5°以下。

公开(公告)号：CN1905991A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001597.0

申请日：2005-07-13

Applicant: 日本微涂料株式会社

Inventor： 泉敏裕 ,  田村淳 ,  永峯拓也 ,  荒幡高志

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  Y10T428/24628 ,  Y10T428/24669

Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内使晶圆表面均匀地平坦化的研磨垫。此研磨垫是具有高压缩恢复率和低压缩率的硬质研磨垫。研磨垫10由合成树脂的无泡沫体组成的薄片状的垫主体11构成。垫主体的肖氏D硬度在66.0～78.5的范围，优选70.0～78.5范围，更优选70.0～78.0的范围，最优选72.0～76.0的范围。垫主体的压缩率在4％以下的范围，优选2％以下的范围。垫主体的压缩恢复率在50以上％的范围，优选70％以上的范围。

公开(公告)号：CN101484274A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780025544.1

申请日：2007-07-05

Applicant: 日本微涂料株式会社

Inventor： 渡边武洋 ,  堀本真树 ,  永峯拓也 ,  堀江祐二

IPC: B24B7/13 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B7/13

Abstract: 本发明提供一种用来以高速且效率良好地均匀研磨几百米单位的带状金属基材的表面的研磨系统和研磨方法。用来连续研磨带状金属基材的被研磨面的研磨系统包括：用于使带状金属基材连续行进的装置；用于对带状金属基材施加既定的张力的装置；用于随机地对带状金属基材的被研磨面进行初始研磨的第1研磨装置；和用于沿着行进方向对带状金属基材的被研磨面进行精研磨的第2研磨装置，通过精研磨在被研磨面上形成沿着行进方向的研磨痕。