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公开(公告)号：CN110475914B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201880023029.8
申请日：2018-04-05
Applicant: 日本制钢所M&E株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明涉及具有优异耐腐蚀性的晶体制造用压力容器。该压力容器在容器内使用晶种、矿化剂、原料、和作为溶剂的处于超临界状态和/或亚临界状态的氨而制造晶体。所述压力容器至少在其露出的内表面的整个表面上存在Ag。可以通过例如Ag加衬、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置Ag。矿化剂优选为不含氟以外的卤素原子的氟矿化剂。
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公开(公告)号：CN110475914A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880023029.8
申请日：2018-04-05
Applicant: 株式会社日本制钢所 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明涉及具有优异耐腐蚀性的晶体制造用压力容器。该压力容器在容器内使用晶种、矿化剂、原料、和作为溶剂的处于超临界状态和/或亚临界状态的氨而制造晶体。所述压力容器至少在其露出的内表面的整个表面上存在Ag。可以通过例如Ag加衬、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置Ag。矿化剂优选为不含氟以外的卤素原子的氟矿化剂。
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公开(公告)号：CN116917558A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280017084.2
申请日：2022-02-25
Applicant: 三菱化学株式会社 , 株式会社日本制钢所 , 国立大学法人东北大学
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明的课题在于提供一种由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命长的GaN晶体，以及提供一种影响该发光寿命的特定的晶体缺陷少的高品质的GaN晶体和GaN衬底。一种氮化镓晶体，其由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命为5ps以上且200ps以下，并满足下述必要条件(i)和必要条件(ii)中的至少一个：(i)004衍射X射线摇摆曲线的FWHM在晶体的至少一处为50arcsec以下；(ii)位错密度为5×106cm‑2以下。
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公开(公告)号：CN102791475B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180011941.X
申请日：2011-03-01
Applicant: 住友金属矿山株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/024 , C23C14/0676 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3471 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L33/42 , Y02E10/52 , Y10T428/265
Abstract: 通过在基体上形成最佳的缓冲层，提供包含透明导电膜层的层合体，该透明导电膜层包含含有结晶性更优异的锐钛矿相、具有高折射率和低电阻、以氧化钛为主成分并含有铌等添加元素的氧化物薄膜，提供具备该层合体的半导体发光元件或太阳能电池等功能元件。该层合体的特征在于在基体上形成缓冲层，该缓冲层包含选自氧化镓薄膜、包含镓、铟和氧的氧化物薄膜以及包含镓、铟、铝和氧的氧化物薄膜中的至少一种以上薄膜，在该缓冲层上形成有透明导电膜层，该透明导电膜层包含以氧化钛为主成分、含有选自铌、钽、钼、砷、锑和钨的至少一种以上元素的氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN102791475A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011941.X
申请日：2011-03-01
Applicant: 住友金属矿山株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/024 , C23C14/0676 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3471 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L33/42 , Y02E10/52 , Y10T428/265
Abstract: 通过在基体上形成最佳的缓冲层，提供包含透明导电膜层的层合体，该透明导电膜层包含含有结晶性更优异的锐钛矿相、具有高折射率和低电阻、以氧化钛为主成分并含有铌等添加元素的氧化物薄膜，提供具备该层合体的半导体发光元件或太阳能电池等功能元件。该层合体的特征在于在基体上形成缓冲层，该缓冲层包含选自氧化镓薄膜、包含镓、铟和氧的氧化物薄膜以及包含镓、铟、铝和氧的氧化物薄膜中的至少一种以上薄膜，在该缓冲层上形成有透明导电膜层，该透明导电膜层包含以氧化钛为主成分、含有选自铌、钽、钼、砷、锑和钨的至少一种以上元素的氧化物薄膜。
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