公开(公告)号：CN110475914B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201880023029.8

申请日：2018-04-05

Applicant: 日本制钢所M&E株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 栗本浩平 ,  包全喜 ,  植田睦男 ,  笹川雄二 ,  森元雅也 ,  石黑彻 ,  秩父重英

IPC: C30B7/10 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明涉及具有优异耐腐蚀性的晶体制造用压力容器。该压力容器在容器内使用晶种、矿化剂、原料、和作为溶剂的处于超临界状态和/或亚临界状态的氨而制造晶体。所述压力容器至少在其露出的内表面的整个表面上存在Ag。可以通过例如Ag加衬、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置Ag。矿化剂优选为不含氟以外的卤素原子的氟矿化剂。

公开(公告)号：CN110475914A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880023029.8

申请日：2018-04-05

Applicant: 株式会社日本制钢所 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 栗本浩平 ,  包全喜 ,  植田睦男 ,  笹川雄二 ,  森元雅也 ,  石黑彻 ,  秩父重英

IPC: C30B7/10 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明涉及具有优异耐腐蚀性的晶体制造用压力容器。该压力容器在容器内使用晶种、矿化剂、原料、和作为溶剂的处于超临界状态和/或亚临界状态的氨而制造晶体。所述压力容器至少在其露出的内表面的整个表面上存在Ag。可以通过例如Ag加衬、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置Ag。矿化剂优选为不含氟以外的卤素原子的氟矿化剂。

公开(公告)号：CN116917558A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280017084.2

申请日：2022-02-25

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  株式会社日本制钢所 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 三川丰 ,  池田宏隆 ,  包全喜 ,  栗本浩平 ,  岛纮平 ,  小岛一信 ,  石黒徹 ,  秩父重英

IPC: C30B29/38

Abstract: 本发明的课题在于提供一种由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命长的GaN晶体，以及提供一种影响该发光寿命的特定的晶体缺陷少的高品质的GaN晶体和GaN衬底。一种氮化镓晶体，其由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命为5ps以上且200ps以下，并满足下述必要条件(i)和必要条件(ii)中的至少一个：(i)004衍射X射线摇摆曲线的FWHM在晶体的至少一处为50arcsec以下；(ii)位错密度为5×106cm‑2以下。