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公开(公告)号：CN102498462A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080040172.1
申请日：2010-09-08
Applicant: 日本写真印刷株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供一种适用于窄边框且透明导电膜图案为两层的静电容量式接触传感器的窄边框触摸输入薄片及其制造方法以及用于窄边框触摸输入薄片的导电性薄片。本发明中使用导电性薄片，该导电性薄片包括一张或者多张衬底薄片层压而成的透明衬底薄片和在该透明衬底薄片最外表面及最内表面上依次层压形成的透明导电膜、遮光性电极用导电膜及第一抗蚀层，并在两面上同时对第一抗蚀层进行曝光，并对其进行显像，然后同时对透明导电膜及遮光性电极用导电膜进行蚀刻，并剥离第一抗蚀层，然后在两面外侧边缘部上以覆盖方式形成第二抗蚀层，并通过仅对中央窗部的遮光性电极用导电膜层进行蚀刻，由此暴露形成透明导电膜电路图案。
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公开(公告)号：CN106663505B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201580043893.0
申请日：2015-10-22
Applicant: 日本写真印刷株式会社
CPC classification number: G03F7/038 , C01B21/0821 , G03F7/094 , G03F7/11 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107 , H01B5/14 , H01B13/003 , H05K9/0088 , H05K9/0096
Abstract: 本发明的课题为通过探索维持蚀刻控制性并且蚀刻速度与铜配线相近的材料作为黑化层的材料，从而提供具有铜配线与黑化层的层叠结构的电气配线构件的制造方法、以及电气配线构件。关于作为解决本发明课题的方法，本发明的电气配线构件的制造方法具有：在基材的至少一个主面上形成Cu层3和CuNO系黑化层(2a、2b)的层叠膜6的工序、在层叠膜6上的规定区域形成抗蚀剂层4a的工序、通过使层叠膜6与蚀刻液接触从而除去层叠膜6的一部分区域的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106663505A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580043893.0
申请日：2015-10-22
Applicant: 日本写真印刷株式会社
CPC classification number: G03F7/038 , C01B21/0821 , G03F7/094 , G03F7/11 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107 , H01B5/14 , H01B13/003 , H05K9/0088 , H05K9/0096
Abstract: 本发明的课题为通过探索维持蚀刻控制性并且蚀刻速度与铜配线相近的材料作为黑化层的材料，从而提供具有铜配线与黑化层的层叠结构的电气配线构件的制造方法、以及电气配线构件。关于作为解决本发明课题的方法，本发明的电气配线构件的制造方法具有：在基材的至少一个主面上形成Cu层3和CuNO系黑化层(2a、2b)的层叠膜6的工序、在层叠膜6上的规定区域形成抗蚀剂层4a的工序、通过使层叠膜6与蚀刻液接触从而除去层叠膜6的一部分区域的工序。
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公开(公告)号：CN102947781A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180030695.2
申请日：2011-06-20
Applicant: 日本写真印刷株式会社
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G03F7/405 , G06F3/044 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供一种适用于窄边框且透明导电膜图案为两层的静电容量式触摸传感器且防锈性也非常优良的窄边框触摸输入薄片的制造方法，本发明使用在透明衬底薄片两面上分别依次层压形成透明导电膜、遮光性导电膜、第一抗蚀剂层的导电性薄片，对两面同时曝光和显像第一抗蚀剂层，然后同时蚀刻透明导电膜和遮光性导电膜，剥离第一抗蚀剂层后在暴露的遮光性导电膜上层压形成添加防锈剂且被图案化的第二抗蚀剂层，通过仅蚀刻去除中央窗部和端子部的遮光性导电膜，使透明导电膜暴露，进一步在中央窗部和端子部的境界中侧面蚀刻遮光性导电膜的暴露的端面，由此使第二抗蚀剂层呈房檐结构，最后通过热处理软化房檐结构的第二抗蚀剂层，由此覆盖所残留的遮光性导电膜的暴露的端面，并以该状态不剥离第二抗蚀剂层而将其作为防锈层残留。
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公开(公告)号：CN107408509A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680015615.9
申请日：2016-03-02
Applicant: 日本写真印刷株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/522 , H01L27/092 , H01L29/786
Abstract: 提供一种能够抑制性能降低以及偏差的薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管(1(1B))的制造方法包括如下工序：在基材(2)的一个主面上形成氧化物半导体层(3)；在氧化物半导体层(3)上形成第一导电层，在基材(2)的另一个主面上形成第二导电层；在第一导电层以及第二导电层上一并地形成掩模层；以及使第一导电层和第二导电层一并地接触蚀刻液，通过将第一导电层以及第二导电层的一部分区域去除而在氧化物半导体层(3)上形成源电极(6)和漏电极(7)，并在基材(2)的另一个主面上形成栅电极(5)。
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公开(公告)号：CN102947781B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180030695.2
申请日：2011-06-20
Applicant: 日本写真印刷株式会社
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G03F7/405 , G06F3/044 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供一种适用于窄边框且透明导电膜图案为两层的静电容量式触摸传感器且防锈性也非常优良的窄边框触摸输入薄片的制造方法，本发明使用在透明衬底薄片两面上分别依次层压形成透明导电膜、遮光性导电膜、第一抗蚀剂层的导电性薄片，对两面同时曝光和显像第一抗蚀剂层，然后同时蚀刻透明导电膜和遮光性导电膜，剥离第一抗蚀剂层后在暴露的遮光性导电膜上层压形成添加防锈剂且被图案化的第二抗蚀剂层，通过仅蚀刻去除中央窗部和端子部的遮光性导电膜，使透明导电膜暴露，进一步在中央窗部和端子部的境界中侧面蚀刻遮光性导电膜的暴露的端面，由此使第二抗蚀剂层呈房檐结构，最后通过热处理软化房檐结构的第二抗蚀剂层，由此覆盖所残留的遮光性导电膜的暴露的端面，并以该状态不剥离第二抗蚀剂层而将其作为防锈层残留。
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公开(公告)号：CN102498462B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201080040172.1
申请日：2010-09-08
Applicant: 日本写真印刷株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供一种适用于窄边框且透明导电膜图案为两层的静电容量式接触传感器的窄边框触摸输入薄片及其制造方法以及用于窄边框触摸输入薄片的导电性薄片。本发明中使用导电性薄片，该导电性薄片包括一张或者多张衬底薄片层压而成的透明衬底薄片和在该透明衬底薄片最外表面及最内表面上依次层压形成的透明导电膜、遮光性电极用导电膜及第一抗蚀层，并在两面上同时对第一抗蚀层进行曝光，并对其进行显像，然后同时对透明导电膜及遮光性电极用导电膜进行蚀刻，并剥离第一抗蚀层，然后在两面外侧边缘部上以覆盖方式形成第二抗蚀层，并通过仅对中央窗部的遮光性电极用导电膜层进行蚀刻，由此暴露形成透明导电膜电路图案。
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