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公开(公告)号：CN102222595A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010262386.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 中尾和浩
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种离子注入方法和离子注入装置。在由向玻璃基板上照射的多个离子束形成的重叠区域中，可以高效地调整各离子束的束电流密度分布。所述离子注入方法包括：束电流密度分布调整工序，按预先确定的顺序，把多个带状离子束分别调整为规定的束电流密度分布；目标修正工序，在束电流密度分布调整工序期间，在对第二个以后的各离子束调整束电流密度分布之前，使用先调整了束电流密度分布的调整结果，针对此后要调整束电流密度分布的离子束，修正作为调整目标的规定的束电流密度分布；以及玻璃基板输送工序，在与多个带状离子束的长边方向交叉的方向上输送玻璃基板。
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公开(公告)号：CN102237244B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201010264799.7
申请日：2010-08-27
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 中尾和浩
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供设定束电流密度分布的调整目标的方法和离子注入装置。离子注入装置沿与从多个离子束供给装置分别提供给处理室内的带状离子束的长边方向大体垂直的方向，输送玻璃基板，沿玻璃基板整个面，使由各带状离子束照射的区域重迭，在玻璃基板上形成大体均匀的离子注入量分布，在该离子注入装置中，根据离子注入条件，设定各离子束的束电流密度分布的调整目标，能高效地调整各离子束的束电流密度分布。根据对离子注入装置设定的离子注入条件，检索调整目标设定数据。在调整目标设定数据内有与离子注入条件一致的数据的情况下，使用从调整目标设定数据中读出的束电流值，设定各带状离子束中至少一个带状离子束的束电流密度的调整目标。
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公开(公告)号：CN103094028A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210236662.X
申请日：2012-07-09
Applicant: 日新离子机器株式会社
Abstract: 本发明提供一种离子源电极的清洁装置，可以沿构成离子源的引出电极系统的电极的宽广区域高速去除沉积物。该清洁装置包括：清洁气体源（42）等构件，向引出电极系统（10）的相互面对的两个电极（11、12）之间提供清洁气体（48），使两个电极之间的气体压力保持在发生辉光放电的气体压力；辉光放电电源（60），向两个电极（11、12）之间施加直流电压，发生辉光放电（80）。该清洁装置还包括：异常放电测量器（84），测量在规定时间内电极（11、12）之间发生异常放电的次数（N）；电源控制器（86），使用测量到的发生异常放电的次数（N）进行控制，使辉光放电电源（60）的输出电流（Ig）增减规定幅度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102237245B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010528640.1
申请日：2010-11-01
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 中尾和浩
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
Abstract: 本发明提供离子注入装置及束电流密度分布的调整方法。在使m个(m为2以上的整数)带状离子束在玻璃基板上的照射区域至少部分重叠，在玻璃基板上实现规定的注入量分布的离子注入装置中，能高效地调整各带状离子束的束电流密度分布。对各带状离子束设定作为束电流密度分布的调整目标的目标分布，按照预先决定的顺序，调整第一个至第m-1个带状离子束的束电流密度分布，使得其相对于目标分布进入第一容许范围内。其后，根据将各带状离子束的调整结果合计得到的分布与将对m个离子束设定的目标分布合计得到的分布的差，设定用于调整第m个束电流密度分布的新的目标分布，调整第m个束电流密度分布，使得其相对于新的目标分布进入第二容许范围内。
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公开(公告)号：CN102237245A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010528640.1
申请日：2010-11-01
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 中尾和浩
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
Abstract: 本发明提供离子注入装置及束电流密度分布的调整方法。在使m个(m为2以上的整数)带状离子束在玻璃基板上的照射区域至少部分重叠，在玻璃基板上实现规定的注入量分布的离子注入装置中，能高效地调整各带状离子束的束电流密度分布。对各带状离子束设定作为束电流密度分布的调整目标的目标分布，按照预先决定的顺序，调整第一个至第m-1个带状离子束的束电流密度分布，使得其相对于目标分布进入第一容许范围内。其后，根据将各带状离子束的调整结果合计得到的分布与将对m个离子束设定的目标分布合计得到的分布的差，设定用于调整第m个束电流密度分布的新的目标分布，调整第m个束电流密度分布，使得其相对于新的目标分布进入第二容许范围内。
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公开(公告)号：CN103094028B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210236662.X
申请日：2012-07-09
Applicant: 日新离子机器株式会社
Abstract: 本发明提供一种离子源电极的清洁装置，可以沿构成离子源的引出电极系统的电极的宽广区域高速去除沉积物。该清洁装置包括：清洁气体源（42）等构件，向引出电极系统（10）的相互面对的两个电极（11、12）之间提供清洁气体（48），使两个电极之间的气体压力保持在发生辉光放电的气体压力；辉光放电电源（60），向两个电极（11、12）之间施加直流电压，发生辉光放电（80）。该清洁装置还包括：异常放电测量器（84），测量在规定时间内电极（11、12）之间发生异常放电的次数（N）；电源控制器（86），使用测量到的发生异常放电的次数（N）进行控制，使辉光放电电源（60）的输出电流（Ig）增减规定幅度。
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公开(公告)号：CN102222595B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201010262386.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 中尾和浩
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种离子注入方法和离子注入装置。在由向玻璃基板上照射的多个离子束形成的重叠区域中，可以高效地调整各离子束的束电流密度分布。所述离子注入方法包括：束电流密度分布调整工序，按预先确定的顺序，把多个带状离子束分别调整为规定的束电流密度分布；目标修正工序，在束电流密度分布调整工序期间，在对第二个以后的各离子束调整束电流密度分布之前，使用先调整了束电流密度分布的调整结果，针对此后要调整束电流密度分布的离子束，修正作为调整目标的规定的束电流密度分布；以及玻璃基板输送工序，在与多个带状离子束的长边方向交叉的方向上输送玻璃基板。
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公开(公告)号：CN102237244A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010264799.7
申请日：2010-08-27
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 中尾和浩
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供设定束电流密度分布的调整目标的方法和离子注入装置。离子注入装置沿与从多个离子束供给装置分别提供给处理室内的带状离子束的长边方向大体垂直的方向，输送玻璃基板，沿玻璃基板整个面，使由各带状离子束照射的区域重迭，在玻璃基板上形成大体均匀的离子注入量分布，在该离子注入装置中，根据离子注入条件，设定各离子束的束电流密度分布的调整目标，能高效地调整各离子束的束电流密度分布。根据对离子注入装置设定的离子注入条件，检索调整目标设定数据。在调整目标设定数据内有与离子注入条件一致的数据的情况下，使用从调整目标设定数据中读出的束电流值，设定各带状离子束中至少一个带状离子束的束电流密度的调整目标。
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