公开(公告)号：CN109385619A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810827079.3

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 寅丸雅光 ,  鹫尾圭亮 ,  千叶理树 ,  中田真生

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/545 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45536

Abstract: 为抑制于基板上形成的膜的膜质劣化，电浆原子层成长装置(1)具备：原料气体供给口(14)，设置于成膜容器(1)的成膜容器(1A)的第一侧壁，且还具有作为清洁气体供给口的功能；原料气体排出口(15)，设置于成膜容器(1A)的第二侧壁，且还具有作为清洁气体排出口的功能。