-
公开(公告)号：CN116997861A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021830.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: [课题]本发明的目的是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜。[解决手段]含有具有式(1)、式(2)、式(3)和式(4)(省略)所表示的重复单元中的至少一种重复单元的聚合物及溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物具有高耐蚀刻性、良好的干式蚀刻速度比和光学常数，进而，即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜，可达成更微细的基板加工。
-
公开(公告)号：CN114503033B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202080070957.7
申请日：2020-10-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , C08G8/04 , C08G6/00
Abstract: 提供用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、可以适当调整蚀刻速率的抗蚀剂下层膜，并且对高低差基板的埋入性和平坦化性优异的组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)下述式(I)所示的交联性化合物；以及(D)溶剂。[式中，n为2～6的整数，n个Z各自独立地为包含单甲酰基芳基、二甲酰基芳基、三甲酰基芳基、四甲酰基芳基、五甲酰基芳基或六甲酰基芳基的1价有机基，n个A各自独立地表示‑OCH2CH(OH)CH2O‑、或(BB)，T为可以被羰基和/或氧原子中断的n价烃基以及/或聚合物的重复单元，且T可以具有选自羟基、环氧基、酰基、乙酰基、苯甲酰基、羧基、羰基、氨基、亚氨基、氰基、偶氮基、叠氮基、硫醇基、磺基和烯丙基中的至少一个基团。]
-
公开(公告)号：CN118715259A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380020160.X
申请日：2023-02-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G8/28 , C08L101/02 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的是提供形成抗蚀剂下层膜的烧成物的硬度提高方法、能够抑制蚀刻时的图案弯曲的硬度提高的烧成物、将该烧成物作为抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜制造方法及半导体装置的制造方法，所述抗蚀剂下层膜用于使用酚醛清漆树脂制造半层体装置的光刻工艺。所述烧成物的硬度提高方法是通过将具有化合物的组合物，所述化合物包含下述式(1)表示的结构(*表示键合位置)中的一个以上，在惰性气体的气氛中于400℃～600℃下进行烧成，使得到的烧成物的硬度与在大气气氛中于350℃下的烧成物的硬度相比上升10％以上。还涉及通过该方法得到的烧成物、以及包含在半导体基板上形成由该烧成物构成的抗蚀剂下层膜的工序的抗蚀剂下层膜制造方法及半导体装置的制造方法。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN117940849A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059405.5
申请日：2022-09-01
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供在半导体装置的制造中能够以基于涂布的简便方法完全覆盖半导体制造用基板(晶片)的端部的保护膜、用于形成该保护膜的保护膜形成组合物、使用该保护膜制造的半导体制造用晶片、该半导体制造用晶片以及半导体装置的制造方法。一种半导体制造用晶片端部保护膜形成组合物，其包含具有交联性基团的聚合物或化合物、以及溶剂。优选地，所述组合物在25℃具有100cps以下的粘度，具有感光性。优选地，所述交联性基团选自环氧基、(甲基)丙烯酸基、乙烯基、羧酸基、硫醇基、硅烷醇基、肉桂酰基和羟基。
-
公开(公告)号：CN114503033A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080070957.7
申请日：2020-10-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , C08G8/04 , C08G6/00
Abstract: 提供用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、可以适当调整蚀刻速率的抗蚀剂下层膜，并且对高低差基板的埋入性和平坦化性优异的组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)下述式(I)所示的交联性化合物；以及(D)溶剂。[式中，n为2～6的整数，n个Z各自独立地为包含单甲酰基芳基、二甲酰基芳基、三甲酰基芳基、四甲酰基芳基、五甲酰基芳基或六甲酰基芳基的1价有机基，n个A各自独立地表示‑OCH2CH(OH)CH2O‑、或(BB)，T为可以被羰基和/或氧原子中断的n价烃基以及/或聚合物的重复单元，且T可以具有选自羟基、环氧基、酰基、乙酰基、苯甲酰基、羧基、羰基、氨基、亚氨基、氰基、偶氮基、叠氮基、硫醇基、磺基和烯丙基中的至少一个基团。]
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114174926A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080052220.2
申请日：2020-07-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与下述式(B)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。(式中，X表示氧原子、或氮原子，Y表示单键、氧原子、或氮原子，X与Y也可以彼此结合而形成环，R1、R2、R3、和R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～8的环状烷基、或碳原子数6～10的芳香族基，R2仅在X为氮原子的情况下存在，R4仅在Y为氮原子的情况下存在。)
-
公开(公告)号：CN114127202B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202080051887.0
申请日：2020-06-22
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的覆膜的高低差基板被覆用组合物。解决该课题的手段是一种高低差基板被覆用组合物，其是包含主剂化合物(A)和溶剂的高低差基板被覆用组合物，该组合物可通过光照或加热而固化，所述化合物(A)是包含由下述式(A‑1)、式(A‑2)或式(A‑3)表示的局部结构的化合物，式(A‑1)和式(A‑2)中，虚线表示与芳香环的键接，芳香环是构成聚合物骨架的芳香环或构成单体的芳香环，n表示1或2的整数。式(A‑3)中，点划线表示与构成聚合物骨架的链状碳链、脂环式碳环或芳香环的键接，Q表示单键、或者含有醚键、酯键、氨基甲酸酯键、碳原子数1～3的亚烷基键或酰胺键的有机基团，m表示1；但是，式(A‑3)中不包含式(A‑1)。
-
公开(公告)号：CN111226175A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067123.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/26 , C08G77/388 , G03F7/11
Abstract: 本发明的课题是提供使用具有高蚀刻速度且在基板加工后能够通过药液除去的抗蚀剂下层膜形成用组合物的半导体装置的制造方法。解决手段是一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在使用包含在强酸的存在下在非醇溶剂中将水解性硅烷进行水解并缩合而获得的水解缩合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物转印于下层后，用混合双氧水与硫酸而得的硫酸双氧水混合液(SPM)和/或混合双氧水与氨水而得的氨水双氧水混合液(SC1)将经图案化的抗蚀剂膜、经图案化的抗蚀剂下层膜和/或颗粒除去的工序(G)，上述水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4-(a+b)(在式(1)中，R1表示具有伯氨基、仲氨基或叔氨基的有机基，并且R1以Si-C键与硅原子结合。)所示的水解性硅烷，水解缩合物包含具有由来源于强酸的抗衡阴离子与来源于伯铵基、仲铵基或叔铵基的抗衡阳离子形成的盐结构的有机基。
-
-
公开(公告)号：CN116635442A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180086546.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G10/02
Abstract: 本发明的课题是提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，能够形成对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，平坦且进一步具有优异的硬度的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)或式(2)所示的化合物与下述式(3)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。
OHC‑X‑CHO (3)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.021 seconds)
