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公开(公告)号：CN118715259A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380020160.X
申请日：2023-02-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G8/28 , C08L101/02 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的是提供形成抗蚀剂下层膜的烧成物的硬度提高方法、能够抑制蚀刻时的图案弯曲的硬度提高的烧成物、将该烧成物作为抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜制造方法及半导体装置的制造方法，所述抗蚀剂下层膜用于使用酚醛清漆树脂制造半层体装置的光刻工艺。所述烧成物的硬度提高方法是通过将具有化合物的组合物，所述化合物包含下述式(1)表示的结构(*表示键合位置)中的一个以上，在惰性气体的气氛中于400℃～600℃下进行烧成，使得到的烧成物的硬度与在大气气氛中于350℃下的烧成物的硬度相比上升10％以上。还涉及通过该方法得到的烧成物、以及包含在半导体基板上形成由该烧成物构成的抗蚀剂下层膜的工序的抗蚀剂下层膜制造方法及半导体装置的制造方法。#imgabs0#
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