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公开(公告)号：CN119487453A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380051325.X
申请日：2023-07-04
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/02 , C08G77/04 , C08L83/04 , C08L101/00 , C09D183/04 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种叠层体的制造方法，上述叠层体具有表面改性层和半导体基板，所述制造方法包含下述工序：将含有聚合物和溶剂的表面改性剂涂布在半导体基板上，然后进行烧成，使上述聚合物交联，获得表面改性层前体的第1工序；以及使上述表面改性层前体与薄化液接触从而使上述表面改性层前体薄，获得膜厚5nm以下的表面改性层的第2工序。
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公开(公告)号：CN111902774B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201980020366.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供可以用于制造半导体装置的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其是用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷(a)的水解缩合物(c)、硝酸根离子和溶剂，该水解性硅烷(a)包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)〔在式(1)中，R1为式(2)的有机基并且通过Si‑C键与硅原子结合。〕所示的水解性硅烷。还包含水解性硅烷(a)和/或其水解物(b)。在抗蚀剂下层膜形成用组合物中以1ppm～1000ppm的范围含有硝酸根离子。关于水解缩合物(c)，式(1)所示的水解性硅烷中的式(2)的官能团以(氢原子)/(氢原子+R5基)的摩尔比计为1％～100％。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115398342A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026228.6
申请日：2021-03-31
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、针对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，包含使用2种以上酸性化合物进行水解性硅烷化合物的水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，且满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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公开(公告)号：CN111742020B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880089915.0
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , C08G77/04 , C08G59/68 , C09D183/08 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40
Abstract: 本发明的课题是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其在高低差基板上在不需要将含硅被覆膜在高温下固化烧成的情况下进行光固化，从而不会使存在于下层的进行了光固化的有机下层膜的平坦化恶化，因此在平坦化性高的有机下层膜上形成平坦化性高的含硅被覆膜，在其上层被覆抗蚀剂，从而对抑制层界面的漫反射、抑制蚀刻后的高低差产生是有效的。解决手段是一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)(在式(1)中，R1为与光交联有关的官能团。)的水解性硅烷。一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其用于在制造半导体装置的光刻工序中在基板上的有机下层膜与抗蚀剂膜的中间层形成通过紫外线照射而固化的含硅被覆膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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公开(公告)号：CN112041746A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980025380.5
申请日：2019-04-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 提供与抗蚀剂膜的密合性高，能够形成薄膜且形成良好的抗蚀剂图案的作为新的抗蚀剂图案用表面改性剂的半导体基板用底涂剂、在基板上依次叠层了表面改性剂和抗蚀剂图案的叠层基板、图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂图案用表面改性剂，是在基板上形成0.10μm以下的抗蚀剂图案前涂布于基板来增强基板与抗蚀剂图案的密合的抗蚀剂图案用表面改性剂，其特征在于，其包含下述平均组成式(1)所示的化合物、其水解物和水解缩合物中的至少1种。R己1烯aR基2b(等O，Xn)为cS0iO～(44‑的a‑b整‑c)数/2 ，(R1)2为(式C中1～，R4的1为一‑价(C烃H2基)n，YX基为，氢Y为原环子或C1～4的一价烃基，a为1～2的数，b为0～1的数，c为0～2的数，a+b+c≤4。)。
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公开(公告)号：CN109891321A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066716.3
申请日：2017-10-25
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种含有硅的抗蚀剂下层膜，是可以在光刻工序作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜，其能够通过使用了化学溶液的湿式法、特别是SPM(硫酸与过氧化氢水的混合水溶液)来除去。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含：在全部水解性硅烷中以10～90摩尔％的比例包含具有环氧基的水解性硅烷的水解性硅烷的利用碱性物质水溶液而获得的水解缩合物，包含该水解缩合物的反应体系中进一步包含含有有机基的水解缩合物，所述有机基具有利用无机酸或阳离子交换树脂进行的环氧基的开环反应而产生的二羟基。是将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于基板进行烧成后获得的抗蚀剂下层膜，该抗蚀剂下层膜能够用以1：1～4：1的H2SO4/H2O2的质量比包含硫酸和过氧化氢的水溶液来除去。
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