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公开(公告)号：CN104885010B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201380069317.4
申请日：2013-12-17
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: C09D167/04 , C08G63/065 , C08J3/095 , C08J2367/04 , C08K5/0008 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11
Abstract: 本发明的课题是提供在以丙二醇单甲基醚作为主成分的溶剂中的溶解性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)或式(1c)所示的结构单元、和下述式(1b)所示的结构单元的聚合物，以及含有超过50质量％的丙二醇单甲基醚的溶剂，上述式(1a)或式(1c)所示的结构单元与式(1b)所示的结构单元交替地排列(式(1a)和式(1b)中，Q表示亚苯基或亚萘基，m表示1或2，n各自独立地表示0或1。)。
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公开(公告)号：CN107430343B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680018426.7
申请日：2016-03-18
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本申请的课题在于提供一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜在半导体装置制造的光刻工艺中，不仅能够作为减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂层的曝光照射光从基板的反射的下层防反射膜来使用，而且特别适合作为用于将具有凹凸的半导体基板平坦地埋入的平坦化膜来使用。作为解决本发明课题的手段为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)分子内具有环状脂肪族骨架、1个以上环氧基以及光吸收部位的脂环式环氧化合物，(B)热产酸剂以及(C)溶剂。
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公开(公告)号：CN105849642A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070299.6
申请日：2014-12-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G63/6856 , C08G63/6886 , C09D167/02 , C09D167/025 , C09D181/04 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 本发明提供一种新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的结构单元及下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联性化合物、交联催化剂以及溶剂。(式中，A表示含三嗪环的2价的有机基团，X1表示?S?基或?O?基，Q表示碳原子数1～15的直链状、支链状或环状的烃基，该烃基可以在主链上具有至少1个硫原子或氧原子，也可以具有至少1个羟基作为取代基，n表示0或1，R1及R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，Z表示具有至少1个硫原子或氧原子的2价的基团，X1表示?O?基时，Z表示具有至少1个硫原子的2价的基团。)
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公开(公告)号：CN107430343A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680018426.7
申请日：2016-03-18
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本申请的课题在于提供一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜在半导体装置制造的光刻工艺中，不仅能够作为减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂层的曝光照射光从基板的反射的下层防反射膜来使用，而且特别适合作为用于将具有凹凸的半导体基板平坦地埋入的平坦化膜来使用。作为解决本发明课题的手段为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)分子内具有环状脂肪族骨架、1个以上环氧基以及光吸收部位的脂环式环氧化合物，(B)热产酸剂以及(C)溶剂。
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公开(公告)号：CN105849642B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201480070299.6
申请日：2014-12-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G63/6856 , C08G63/6886 , C09D167/02 , C09D167/025 , C09D181/04 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 本发明提供一种新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的结构单元及下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联性化合物、交联催化剂以及溶剂。(式中，A表示含三嗪环的2价的有机基团，X1表示‑S‑基或‑O‑基，Q表示碳原子数1～15的直链状、支链状或环状的烃基，该烃基可以在主链上具有至少1个硫原子或氧原子，也可以具有至少1个羟基作为取代基，n表示0或1，R1及R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，Z表示具有至少1个硫原子或氧原子的2价的基团，X1表示‑O‑基时，Z表示具有至少1个硫原子的2价的基团。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108713164A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015920.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/09 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08G63/58 , C08G63/688
CPC classification number: C08G63/58 , C08G63/688 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供具有大的干蚀刻速度、在曝光时作为防反射膜起作用、并且能够将窄间隙和高长宽比的凹部埋入的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的结构单元的共聚物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，Z表示-O-基、-S-基或-S-S-基，Ar表示亚芳基。)
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公开(公告)号：CN104885010A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380069317.4
申请日：2013-12-17
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: C09D167/04 , C08G63/065 , C08J3/095 , C08J2367/04 , C08K5/0008 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11
Abstract: 本发明的课题是提供在以丙二醇单甲基醚作为主成分的溶剂中的溶解性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)或式(1c)所示的结构单元、和下述式(1b)所示的结构单元的聚合物，以及含有超过50质量％的丙二醇单甲基醚的溶剂，上述式(1a)或式(1c)所示的结构单元与式(1b)所示的结构单元交替地排列(式(1a)和式(1b)中，Q表示亚苯基或亚萘基，m表示1或2，n各自独立地表示0或1)。
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公开(公告)号：CN108713164B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201780015920.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/09 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08G63/58 , C08G63/688
Abstract: 本发明的课题是提供具有大的干蚀刻速度、在曝光时作为防反射膜起作用、并且能够将窄间隙和高长宽比的凹部埋入的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的结构单元的共聚物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。(式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基或单键，Z表示‑O‑基、‑S‑基或‑S‑S‑基，Ar表示亚芳基。)
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公开(公告)号：CN105492973B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201480046626.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/3086 , C08F8/14 , C08F220/32 , G03F7/038 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , C08F220/26 , C08F220/14 , C08F220/18
Abstract: 本发明的课题是提供一种使用了对碱性过氧化氢水溶液具有耐性的抗蚀剂下层膜的图案形成方法。作为解决本发明课题的方法为一种图案形成方法，其包括下述工序：第1工序，在表面可以形成无机膜的半导体基板上，涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含重均分子量1000～100000的具有环氧基的聚合物和溶剂；第2工序，在上述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案；第3工序，将上述抗蚀剂图案作为掩模对上述抗蚀剂下层膜进行干蚀刻，使上述无机膜或上述半导体基板的表面露出；以及第4工序，将干蚀刻后的上述抗蚀剂下层膜作为掩模，使用碱性过氧化氢水溶液对上述无机膜或上述半导体基板进行湿蚀刻。
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公开(公告)号：CN105492973A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480046626.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/3086 , C08F8/14 , C08F220/32 , G03F7/038 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , C08F220/26 , C08F220/14 , C08F220/18
Abstract: 本发明的课题是提供一种使用了对碱性过氧化氢水溶液具有耐性的抗蚀剂下层膜的图案形成方法。作为解决本发明课题的方法为一种图案形成方法，其包括下述工序：第1工序，在表面可以形成无机膜的半导体基板上，涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含重均分子量1000～100000的具有环氧基的聚合物和溶剂；第2工序，在上述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案；第3工序，将上述抗蚀剂图案作为掩模对上述抗蚀剂下层膜进行干蚀刻，使上述无机膜或上述半导体基板的表面露出；以及第4工序，将干蚀刻后的上述抗蚀剂下层膜作为掩模，使用碱性过氧化氢水溶液对上述无机膜或上述半导体基板进行湿蚀刻。
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