公开(公告)号：CN104203548A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018523.2

申请日：2013-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 古山了 ,  森山顺一 ,  长井阳三 ,  百合庸介 ,  石堀郁夫 ,  汤山贵裕 ,  石坂知久 ,  奥村进 ,  前川康成 ,  越川博 ,  八卷彻也 ,  浅野雅春

IPC: B29C67/20 ,  C08J7/00 ,  C08J9/00

CPC classification number: B29C67/20 ,  B01D39/1692 ,  B29C59/16 ,  B29C2035/0872 ,  B29D7/01 ,  B29K2267/003 ,  B29L2007/00 ,  C08J7/123 ,  C08J2367/02 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/88 ,  H01M2004/021

Abstract: 本发明涉及一种多孔聚合物薄膜的制造方法，其包括：对聚合物薄膜照射由加速离子构成的离子束，从而形成经该离子束中的离子碰撞的聚合物薄膜的工序(I)；对工序(I)中形成的聚合物薄膜进行化学蚀刻，从而在聚合物薄膜中形成与离子碰撞的轨迹对应的开口和/或通孔的工序(II)，在工序(I)中，将聚合物薄膜配置在压力100Pa以上的气氛中，使离子束通过保持在低于上述气氛的压力的束流线以及配置于该束流线的末端的将束流线与上述气氛隔开的压力隔离片，并照射位于上述气氛中的聚合物薄膜。