公开(公告)号：CN218101277U

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202221351325.0

申请日：2022-05-31

Applicant: 无锡学院

Inventor： 苏琳琳 ,  郁智豪 ,  杨成东 ,  夏开鹏 ,  马文烨 ,  高晏琦 ,  张见

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107

Abstract: 本实用新型公开一种半透明电极紫外单光子探测器，包括上电极、下电极、外延层和n+型SiC衬底，其中，所述上电极的厚度在2‑15nm之间，所述n+型SiC衬底的正面制备有所述外延层，所述外延层的正面设置有所述上电极，所述n+型SiC衬底的背面制备有所述下电极。本实用新型的方案与现有SiC紫外单光子探测器件相比，在不增加器件制备工艺难度的前提下，采取改良电极的方式，将上电极的厚度减小至2‑15nm，相较于传统电极厚度，半透明电极紫外单光子探测器中材料对入射光的吸收更高，能够提高器件量子效率。

公开(公告)号：CN217562581U

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202221364204.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 无锡学院

Inventor： 苏琳琳 ,  马文烨 ,  夏开鹏 ,  杨成东 ,  高晏琦 ,  张见

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107

Abstract: 一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管，包括n+型SiC衬底、底部n型欧姆接触电极、外延层、上层p型欧姆接触电极和电极，其中：n+型SiC衬底的正面设置外延层，外延层的正面设置上层p型欧姆接触电极，n+型SiC衬底的底面设置底部n型欧姆接触电极；外延层为p+/p/i/n+结构；上层p型欧姆接触电极为栅型结构的电极，上层p型欧姆接触电极由根电极和枝电极组成，其中，枝电极由多个条形电极组成，枝电极的多个条形电极垂直于SiC材料方向，根电极为一个条形电极，将枝电极的多个条形电极连接在一起；上层p型欧姆接触电极与电极连接。本实用新型将上层p型欧姆接触电极优化为栅极结构，提高电场分布均匀性，增加光生载流子的雪崩几率，优化器件探测能力。

公开(公告)号：CN308370010S

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202330428957.6

申请日：2023-07-10

Applicant: 无锡学院

Designer： 王昊全 ,  赵东 ,  高晏琦 ,  陈前 ,  王庆旭 ,  吴江涛 ,  王一安 ,  王乐 ,  江浩 ,  刘家臣 ,  江文浩 ,  宋博文

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：三维点云相机前置滤镜。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于给三维点云相机进行滤光，以便使三
维相机能适应不同的场景，并拍摄更清晰的点云图像。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
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公开(公告)号：CN308244277S

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202330253095.8

申请日：2023-05-04

Applicant: 无锡学院

Designer： 王昊全 ,  赵东 ,  吴江涛 ,  王庆旭 ,  陈前 ,  高晏琦 ,  胡斌 ,  余耀 ,  黄瑞 ,  张黎可 ,  王新宇

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：手持式人脸识别仪。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于人脸识别，从而识别人员身份的仪器。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。