公开(公告)号：CN115621318A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202110810592.3

申请日：2021-07-16

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 黄璐 ,  黄勇 ,  颜彦 ,  周婉艺 ,  吴林 ,  周程 ,  史海丽

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种GGNMOS晶体管结构、ESD保护器件及ESD保护电路，所述GGNMOS晶体管结构在N阱、P型重掺杂区、N型重掺杂区形成的P‑N‑P‑N寄生晶闸管的作用下提高ESD保护器件单位尺寸泄放ESD电流的能力；所述GGNMOS晶体管结构在N阱构成的等效电阻的作用下，可限制ESD的瞬间峰值电流，使ESD保护器件的各GGNMOS晶体管均匀地导通，提升ESD保护电路的可靠性。

公开(公告)号：CN115528019A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202110703742.0

申请日：2021-06-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 黄璐 ,  黄勇 ,  颜彦 ,  周婉艺 ,  吴林 ,  周程 ,  陈志萍 ,  史海丽

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明提供一种ESD保护器件、保护电路及制备方法，所述ESD保护器件包括：半导体衬底，形成于所述半导体衬底上方的具有NMOS管的SCR结构、耦合结构及触发结构；其中，所述耦合结构的一端与所述SCR结构的正极连接，另一端与所述SCR结构的负极连接，耦合电压输出与所述SCR结构中NMOS管的栅极连接；所述触发结构的一端与所述SCR结构的正极连接，另一端与所述SCR结构中寄生NPN管的基极连接。通过本发明提供的ESD保护器件、保护电路及制备方法，解决了现有技术中ESD保护器件触发电压过高的问题。