公开(公告)号：CN100573913C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580010103.5

申请日：2005-03-10

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 九里伸治 ,  宍户宽明 ,  三川雅人 ,  大岛宏介 ,  栗山昌弘 ,  北田瑞枝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种破坏耐量高的半导体器件。本发明的半导体器件(1)在第1导电类型的电阻层(15)上配置同心状的第2导电类型的保护填充区(44b)，在其内侧配置第2导电类型的基底扩散区(17a)，在其底面配置第2导电类型的基底埋入区(44a)。当将相同基底扩散区(17a)的底面的基底埋入区(44a)之间的距离设为Wm1、将不同基底扩散区(17a)的底面的基底埋入区(44a)之间的距离设为Wm2、将保护埋入区(44b)彼此的距离设为WPE时，比最内周的保护填充区(44b)的宽度方向的中心靠内侧的第1导电类型杂质量Q1与第2导电类型杂质量Q2之比，在Wm1＜WPE＜Wm2时为0.90＜Q2/Q1，在WPE＜Wm1＜Wm2时为Q2/Q1＜0.92，在Wm1＜Wm2＜WPE时为1.10＜Q2/Q1。

公开(公告)号：CN100481501C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200480039854.5

申请日：2004-12-10

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 九里伸治 ,  宍户宽明 ,  三川雅人 ,  大岛宏介 ,  栗山昌弘 ,  北田瑞枝

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809

Abstract: 提供一种抗破坏性强的半导体装置。与位于同一基极扩散区17a底面的埋入区44a相互间的距离Wm1相比，位于不同基极扩散区17a底面的、相互相对的埋入区44a间的距离Wm2设置得较小(Wm1＞Wm2)。由于在基极扩散区17a底面下出现雪崩击穿，雪崩电流不流过基极扩散区17a的源扩散区21正下方的高电阻部分，因此抗破坏性强。

公开(公告)号：CN1938860A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009827.8

申请日：2005-03-10

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 黑崎彻 ,  九里伸治 ,  北田瑞枝 ,  大岛宏介 ,  宍户宽明 ,  三川雅人

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供高耐压的半导体装置。由细长的主沟部26和与主沟部的长度方向侧面连接的副沟部27构成活性沟22a，在主沟部26的底面上，配置其高度低于第二导电型的基极扩散区32a的底面的第二导电型的埋入区24，在副沟部27内配置与基极扩散区32a接触的第二导电型的活性沟填充区25。埋入区24经由活性沟填充区25与基极扩散区32a接触。在1个活性沟22a内，在埋入区24以上的部分形成1个栅极沟83，因此不分断栅电极销48而简化电极图案。

公开(公告)号：CN1910758A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200480039854.5

申请日：2004-12-10

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 九里伸治 ,  宍户宽明 ,  三川雅人 ,  大岛宏介 ,  栗山昌弘 ,  北田瑞枝

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809

Abstract: 提供一种抗破坏性强的半导体装置。与位于同一基极扩散区17a底面的埋入区44a相互间的距离Wm1相比，位于不同基极扩散区17a底面的、相互相对的埋入区44a间的距离Wm2设置得较小(Wm1＞Wm2)。由于在基极扩散区17a底面下出现雪崩击穿，雪崩电流不流过基极扩散区17a的源扩散区21正下方的高电阻部分，因此抗破坏性强。

公开(公告)号：CN1938862A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010103.5

申请日：2005-03-10

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 九里伸治 ,  宍户宽明 ,  三川雅人 ,  大岛宏介 ,  栗山昌弘 ,  北田瑞枝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种高耐压的半导体器件。由细长的主沟槽部(26)和与主沟槽部的长度方向侧面连接的副沟槽部(27)构成有源沟槽(22a)，在主沟槽部(26)的底面上，配置其高度比第二导电类型的基底扩散区(32a)的底面低的第二导电类型的埋入区(24)，在副沟槽部(27)内配置与基底扩散区(32a)接触的第二导电类型的有源沟槽充填区(25)。埋入区(24)经有源沟槽充填区(25)与基底扩散区(32a)接触。在1条有源沟槽(22a)内，由于在埋入区(24)之上的部分形成1条栅沟槽(83)，所以栅电极栓(48)不被分断，电极图形变得简单。

公开(公告)号：CN1938860B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580009827.8

申请日：2005-03-10

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 黑崎彻 ,  九里伸治 ,  北田瑞枝 ,  大岛宏介 ,  宍户宽明 ,  三川雅人

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供高耐压的半导体装置。由细长的主沟部26和与主沟部的长度方向侧面连接的副沟部27构成活性沟22a，在主沟部26的底面上，配置其高度低于第二导电型的基极扩散区32a的底面的第二导电型的埋入区24，在副沟部27内配置与基极扩散区32a接触的第二导电型的活性沟填充区25。埋入区24经由活性沟填充区25与基极扩散区32a接触。在1个活性沟22a内，在埋入区24以上的部分形成1个栅极沟83，因此不分断栅电极销48而简化电极图案。