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公开(公告)号：CN102231936B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110153200.7
申请日：2006-02-17
Applicant: 新日铁化学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种可反复弯曲的双面挠性电路基板，其适用于高频信号的传送，并可实现轻薄化，抑制导体断线或断裂，促进电路基板的高密度化。本发明特别涉及一种具有回绕部的可弯曲的双面挠性电路基板，其在绝缘层(3)的两侧设置导体电路(2)与覆盖材料(1)，绝缘层由厚度在10至100μm的液晶聚合物薄膜构成，覆盖材料是仅由热变形温度与绝缘层不同的液晶聚合物薄膜构成，通过下述计算式(1)所算出的铜箔变形值Y在0.5％至3％的范围内。Y(％)＝(tCu+1/2tLI)/(r+tCL.+tCu+1/2tLI)×100 (1)，其中，tLI表示绝缘层厚度μm，tCL.表示覆盖材料厚度μm，tCu表示铜箔厚度μm，r表示回绕部的弯曲半径。
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公开(公告)号：CN1829412B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610007679.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 新日铁化学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种适用于具有折叠部的移动电话的双面挠性电路基板，其适用于高频信号的传送，并可实现轻薄化，抑制导体断线或断裂，促进电路基板的高密度化。本发明特别涉及一种具有回绕部的可弯曲的双面挠性电路基板，其在绝缘层(3)的两侧设置导体电路(2)与覆盖材料(1)，绝缘层由厚度在10至100μm的聚酰亚胺薄膜构成，覆盖材料是仅由热变形温度与绝缘层不同的液晶聚合物薄膜构成，通过下述计算式(1)所算出的铜箔变形值Y在0.5％至3％的范围内。Y(％)＝(tCu+1/2tLI)/(r+tCL.+tCu+1/2tLI)×100 (1)其中，tLI表示绝缘层厚度μm，tCL.表示覆盖材料厚度μm，tCu表示铜箔厚度μm，r表示回绕部的弯曲半径。
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公开(公告)号：CN102231936A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110153200.7
申请日：2006-02-17
Applicant: 新日铁化学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种可反复弯曲的双面挠性电路基板，其适用于高频信号的传送，并可实现轻薄化，抑制导体断线或断裂，促进电路基板的高密度化。本发明特别涉及一种具有回绕部的可弯曲的双面挠性电路基板，其在绝缘层(3)的两侧设置导体电路(2)与覆盖材料(1)，绝缘层由厚度在10至100μm的液晶聚合物薄膜构成，覆盖材料是仅由热变形温度与绝缘层不同的液晶聚合物薄膜构成，通过下述计算式(1)所算出的铜箔变形值Y在0.5％至3％的范围内。Y(％)＝(tCu+1/2tLI)/(r+tCL.+tCu+1/2tLI)×100 (1)其中，tLI表示绝缘层厚度μm，tCL.表示覆盖材料厚度μm，tCu表示铜箔厚度μm，r表示回绕部的弯曲半径。
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公开(公告)号：CN1829412A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610007679.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 新日铁化学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种适用于具有折叠部的移动电话的双面挠性电路基板，其适用于高频信号的传送，并可实现轻薄化，抑制导体断线或断裂，促进电路基板的高密度化。本发明特别涉及一种具有回绕部的可弯曲的双面挠性电路基板，其在绝缘层(3)的两侧设置导体电路(2)与覆盖材料(1)，绝缘层由厚度在10至100μm的液晶聚合物薄膜或聚酰亚胺薄膜构成，覆盖材料是仅由热变形温度与绝缘层不同的液晶聚合物薄膜构成，通过下述计算式(1)所算出的铜箔变形值Y在0.5％至3％的范围内。Y(％)＝(tCu+1/2tLI)/(r+tCL.+tCu+1/2tLI)×100 (1)其中，tLI表示绝缘层厚度μm，tCL.表示覆盖材料厚度μm，tCu表示铜箔厚度μm，r表示回绕部的弯曲半径。
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