公开(公告)号：CN107002282A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201680003678.2

申请日：2016-02-16

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/16 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C23C16/029 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/16 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供浅坑的深度小并且具有高品质碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶晶片及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶晶片通过下述步骤来制造：使上述硅系以及碳系的材料气体中的碳与硅的原子数比(C/Si比)为0.5以上且1.0以下，形成由厚度为1μm以上且10μm以下的碳化硅外延膜制成的缓冲层，然后，以每小时15μm以上且100μm以下的生长速度形成由碳化硅外延膜制成的漂移层。根据本发明，可以使在上述漂移层的表面观察到的浅坑的深度为30nm以下。

公开(公告)号：CN102822396B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180016856.2

申请日：2011-04-07

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明涉及外延碳化硅单晶基板的制造方法，其根据化学气相沉积法使碳化硅膜在碳化硅单晶基板上外延生长。该方法的结晶生长工序中包括伴有温度切换操作的结晶生长副工序，该温度切换操作使生长温度在相对于占外延生长主要时间的结晶生长主工序的生长温度T1低的设定温度T0与高的设定温度T2之间上下地变化。抑制碳化硅单晶基板中所包含的基底面位错延续到外延膜中，形成高品质的外延膜。

公开(公告)号：CN103228827A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180055581.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  胜野正和 ,  藤本辰雄 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在偏离角度较小的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法。根据本发明，在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法中，在进行上述外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动，使硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度达到0.0001%～0.01%，在1550℃～1650℃的温度下进行0.1μm～1μm的预处理刻蚀，然后形成外延层。

公开(公告)号：CN105658847A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201580002205.6

申请日：2015-02-27

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/20 ,  C23C16/325 ,  C23C16/44 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/165 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明提供在SiC基板上使SiC外延生长来制造外延SiC晶片时得到具有与以往相比进一步降低了层叠缺陷以及彗星型缺陷的高品质外延膜的外延SiC晶片的制造方法。上述外延碳化硅晶片的制造方法的特征在于，在外延生长的开始前流入到生长炉中的生长前气氛气体含有氢气，余量为不活泼气体和不可避免的杂质，其中，上述氢气的含量相对于不活泼气体为0.1～10.0体积％。

公开(公告)号：CN102844474B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180018417.5

申请日：2011-05-10

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02433 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种在偏离角度为1°~6°的碳化硅单晶基板上具有掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。外延膜通过使0.5μm以下的掺杂层和0.1μm以下的无掺杂层重复而生长。通过将材料气体中的碳原子数相对于硅原子数的比（C/Si比）规定为1.5~2.0而形成掺杂层，通过将C/Si比规定为0.5以上且低于1.5而形成无掺杂层。由此提供一种在偏离角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。

公开(公告)号：CN104981892A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480007779.8

申请日：2014-05-26

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: C30B25/186 ,  B24B37/042 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供能够得到具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片的碳化硅单晶基板的制造方法以及碳化硅单晶基板。具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法是：通过研磨速度为100nm/小时以下的CMP(化学机械研磨)法对碳化硅单晶基板的表面进行研磨来将表面除去100nm以上的厚度，使直径为0.5μm以上且1.5μm以下并且深度为50nm以上且500nm以下的大致圆形状的坑为1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN107709635A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680033576.5

申请日：2016-07-29

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36 ,  H01L29/161

Abstract: 提供一种制造外延碳化硅单晶晶片的方法，该外延碳化硅单晶晶片是在偏斜角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且基底面位错少的碳化硅单晶薄膜而成的。所述制造方法是通过热CVD法在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延生长来制造外延碳化硅单晶晶片，所述制造方法的特征在于，在外延生长炉内流入蚀刻气体，对碳化硅单晶基板的表面预先进行蚀刻以使得算术平均粗糙度Ra值达到0.5nm以上且3.0nm以下，然后开始外延生长，将碳化硅单晶基板的表面处的基底面位错的95％以上变换成贯通刃状位错。

公开(公告)号：CN107075728A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003693.7

申请日：2016-02-12

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 伊藤涉 ,  蓝乡崇 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C23C16/452 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种在采用热CVD法进行的SiC薄膜的外延生长中能够提高掺杂密度的面内均匀性、并且使SiC薄膜以均匀的膜厚生长的方法。所述方法为碳化硅的外延生长方法，是将烃气体和硅原料气体以C/Si比成为0.5以上且1.5以下的范围的方式向碳化硅单晶基板上供给，采用热CVD法在1500℃以上且低于1800℃的温度下使其反应，从而在碳化硅单晶基板上形成碳化硅薄膜，其特征在于，使烃气体接触加热到1000℃以上且1200℃以下的烃分解催化剂，将烃气体的至少一部分分解为碳和氢后，向所述碳化硅单晶基板上供给。

公开(公告)号：CN102301043B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201080005900.5

申请日：2010-01-29

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02609 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明提供一种具有在使用了偏离角度为6°及其以下的基板的外延生长中抑制了台阶束的发生的高品质外延膜的外延SiC单晶基板及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶基板，是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板，其特征在于，所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度(Ra值)为0.5nm以下。

公开(公告)号：CN106463364A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580026362.0

申请日：2015-07-16

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明的课题在于，再现性良好地制造台阶聚并少且具有高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片。为了解决上述课题，在外延生长炉内的碳化硅单晶基板的蚀刻处理中使用氢气载气和硅系材料气体，在蚀刻处理结束后还在流入这些气体的状态下进行外延生长条件的变更，条件稳定后导入碳系材料气体，进行外延生长。