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公开(公告)号：CN119964470A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411965933.4
申请日：2024-12-30
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种倒装结构红光micro‑LED及其光学优化方法，具体结构包括：在倒装结构红光micro‑LED的顶部设计分布式布拉格反射镜(DBR)，通过控制DBR的层数和每层材料的折射率及厚度，实现对特定波长红光的反射增强，同时与位于底部的Ag金属反射镜共同构成谐振腔，有效增强红光micro‑LED在垂直方向的出光；在micro‑LED的侧壁设置Ag金属反射镜，以减少光线在侧壁的损失，并抑制像素之间的光串扰问题。本发明通过谐振腔的增强效应和侧壁反射镜的减损作用，实现了对micro‑LED出光效率及光学性能的双重提升，适用于各种需要高亮度、高对比度和低串扰的micro‑LED显示和照明应用。
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公开(公告)号：CN119894180A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510055109.3
申请日：2025-01-14
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/833
Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED器件中优化p‑GaN与ITO接触的快速退火热处理方法。该方法通过在特定气氛下进行快速热处理(RTP)，在550℃下分别退火1分钟和5分钟，以提高p‑GaN与ITO之间的接触性能。实验结果表明，在O2气氛下退火1分钟时，单个Micro‑LED像素的电流密度达到0.4624A/cm2，透光率为80.33％。在优化RTP退火条件下，蓝光Micro‑LED的单个像素具有前向开启电压约为3V，发射波长的峰值为449.87nm，主波长为455.11nm，半宽为17.75nm。单个像素的侧壁在RTP优化后显示良好的外观，未出现ITO碎屑附着，表明该方法有效降低了因ITO刻蚀引起的侧壁损伤和漏电通道问题。
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公开(公告)号：CN113299749B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110697529.3
申请日：2021-06-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种垂直型氮化镓功率器件，包括硅衬底、缓冲层、模板层、掩膜层和漏极电极；掩膜层中设六边形窗口；六边形窗口在掩膜层上生长第一n+GaN层，融合位置有空隙缺陷；第一n+GaN层上覆盖n‑GaN扩散层；n‑GaN扩散层上设p‑GaN势垒层、第二n+GaN层；六边形窗口、空隙缺陷的上设垂直沟槽；垂直沟槽内设第一绝缘层；垂直沟槽和第一绝缘层上覆盖第二绝缘层；第二绝缘层上覆盖栅极电极，栅极电极的顶面与第二n+GaN层的顶面齐平；第二绝缘层的开口中设置源极电极。本发明还公开了一种垂直型氮化镓功率器件的制备方法。本发明能够降低缺陷密度，不易形成垂直漏电通道，异质外延应力小，器件可靠性极高。
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公开(公告)号：CN112925121A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110107317.5
申请日：2021-01-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种超表面透镜，依次包括介质层、导电层和电光调制材料层，电光调制材料层上设置若干互不联通的凹槽，凹槽内填充有金属电极；超表面透镜还包括电源，电源包括若干脉冲电压源，脉冲电压源的正极端与金属电极电性相连，负极端与导电层电性相连并接地，两两相邻的金属电极上加载的脉冲电压源的电压值互不相同。本发明还公开了一种空间光调制器，包括激光器和上述超表面透镜，超表面透镜设于激光器上。本发明能够通过电调构成超表面透镜的调制材料折射率，实现通过超表面透镜的光束的空间指向、光学焦距以及数值孔径的动态调节。
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公开(公告)号：CN115966462A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211665182.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种复合工程衬底的制备方法，通过制备氮化铝陶瓷基底和内有阻挡层的硅衬底，分别在氮化铝陶瓷基底和上层硅衬底表面形成第一介质层和第二介质层，键合第一介质层和第二介质层，去除下层硅衬底和阻挡层，得到多晶的氮化铝陶瓷基底和单晶的硅衬底组合的复合工程衬底。上述复合工程衬底从下往上依次包括氮化铝陶瓷基底、组合介质层和硅衬底，组合介质层为电绝缘体。该复合工程衬底可以兼顾氮化铝陶瓷基底的高导热、同氮化物半导体材料热膨胀匹配以及硅衬底的外延生长兼容性、尺寸大等优点，提高了GaN功率器件的外延质量以及GaN功率器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594110A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110862262.9
申请日：2021-07-29
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L23/373 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括多晶金刚石层，多晶金刚石层上覆盖单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜上依次堆叠介质层、缓冲层、势垒层和沟道层。本发明还公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在原始衬底上形成有牺牲层；在牺牲层上形成多晶金刚石层；在籽晶层上形成单晶金刚石薄膜；将籽晶层和单晶金刚石薄膜倒置并键合到多晶金刚石层上；将籽晶层从单晶金刚石薄膜上分离；去除原始衬底和牺牲层；在临时衬底上形成缓冲层；在单晶金刚石薄膜上形成介质层，将单晶金刚石薄膜与缓冲层键合；去除临时衬底；在缓冲层上形成势垒层和沟道层。本发明改善散热性能和稳定性能，提高电学性能，改善器件良率，简化制备工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111969414B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010868364.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01S5/183 , H01S5/02253 , H01S5/02345 , H01S5/042 , H01S5/42
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL单元单独可控的激光器，包括驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块，驱动电路模块和VCSEL模块电性连接，微透镜模块设于VCSEL模块上以实现光学聚焦；VCSEL模块包括VCSEL单元形成的VCSEL阵列和共阴极单元，共阴极单元设于VCSEL阵列的四周；VCSEL单元包括独立阳极和独立阴极，独立阴极均电性连接至共阴极单元，共阴极单元电性连接至驱动电路模块的地端，独立阳极电性连接至驱动电路模块的正极端。本发明能够单独控制各VCSEL单元，驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块实现一体化集成式的空间堆叠，避免了部分VCSEL单元贴片高度不一致的问题。
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公开(公告)号：CN111969414A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010868364.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL单元单独可控的激光器，包括驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块，驱动电路模块和VCSEL模块电性连接，微透镜模块设于VCSEL模块上以实现光学聚焦；VCSEL模块包括VCSEL单元形成的VCSEL阵列和共阴极单元，共阴极单元设于VCSEL阵列的四周；VCSEL单元包括独立阳极和独立阴极，独立阴极均电性连接至共阴极单元，共阴极单元电性连接至驱动电路模块的地端，独立阳极电性连接至驱动电路模块的正极端。本发明能够单独控制各VCSEL单元，驱动电路模块、VCSEL模块和微透镜模块实现一体化集成式的空间堆叠，避免了部分VCSEL单元贴片高度不一致的问题。
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公开(公告)号：CN113299749A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110697529.3
申请日：2021-06-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种垂直型氮化镓功率器件，包括硅衬底、缓冲层、模板层、掩膜层和漏极电极；掩膜层中设六边形窗口；六边形窗口在掩膜层上生长第一n+GaN层，融合位置有空隙缺陷；第一n+GaN层上覆盖n‑GaN扩散层；n‑GaN扩散层上设p‑GaN势垒层、第二n+GaN层；六边形窗口、空隙缺陷的上设垂直沟槽；垂直沟槽内设第一绝缘层；垂直沟槽和第一绝缘层上覆盖第二绝缘层；第二绝缘层上覆盖栅极电极，栅极电极的顶面与第二n+GaN层的顶面齐平；第二绝缘层的开口中设置源极电极。本发明还公开了一种垂直型氮化镓功率器件的制备方法。本发明能够降低缺陷密度，不易形成垂直漏电通道，异质外延应力小，器件可靠性极高。
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公开(公告)号：CN111697114A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010742093.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片包括第一n-GaN层、图形化反射层、第二反射层、第二n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层和第二衬底；图形化反射层为间隔排列的凸形结构，图形化反射层为分布式布拉格反射镜。所述制法包括：在第一衬底上形成本征GaN层和第一n-GaN层；覆盖第一反射层；刻蚀形成图形化反射层；覆盖第二反射层；刻蚀暴露出第一n-GaN层未覆盖图形化反射层的表面；覆盖第二n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层；将p-GaN层与第二衬底键合；剥离第一衬底、本征GaN层，露出第一n-GaN层。本发明出光效率高，能够有效缓解大电流注入时的电流拥堵效应，电流分布均匀。
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