公开(公告)号：CN113299749B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202110697529.3

申请日：2021-06-23

Applicant: 东南大学苏州研究院

Inventor： 范谦 ,  顾星 ,  倪贤锋 ,  崔莹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种垂直型氮化镓功率器件，包括硅衬底、缓冲层、模板层、掩膜层和漏极电极；掩膜层中设六边形窗口；六边形窗口在掩膜层上生长第一n+GaN层，融合位置有空隙缺陷；第一n+GaN层上覆盖n‑GaN扩散层；n‑GaN扩散层上设p‑GaN势垒层、第二n+GaN层；六边形窗口、空隙缺陷的上设垂直沟槽；垂直沟槽内设第一绝缘层；垂直沟槽和第一绝缘层上覆盖第二绝缘层；第二绝缘层上覆盖栅极电极，栅极电极的顶面与第二n+GaN层的顶面齐平；第二绝缘层的开口中设置源极电极。本发明还公开了一种垂直型氮化镓功率器件的制备方法。本发明能够降低缺陷密度，不易形成垂直漏电通道，异质外延应力小，器件可靠性极高。

公开(公告)号：CN113299749A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110697529.3

申请日：2021-06-23

Applicant: 东南大学苏州研究院

Inventor： 范谦 ,  顾星 ,  倪贤锋 ,  崔莹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种垂直型氮化镓功率器件，包括硅衬底、缓冲层、模板层、掩膜层和漏极电极；掩膜层中设六边形窗口；六边形窗口在掩膜层上生长第一n+GaN层，融合位置有空隙缺陷；第一n+GaN层上覆盖n‑GaN扩散层；n‑GaN扩散层上设p‑GaN势垒层、第二n+GaN层；六边形窗口、空隙缺陷的上设垂直沟槽；垂直沟槽内设第一绝缘层；垂直沟槽和第一绝缘层上覆盖第二绝缘层；第二绝缘层上覆盖栅极电极，栅极电极的顶面与第二n+GaN层的顶面齐平；第二绝缘层的开口中设置源极电极。本发明还公开了一种垂直型氮化镓功率器件的制备方法。本发明能够降低缺陷密度，不易形成垂直漏电通道，异质外延应力小，器件可靠性极高。