公开(公告)号：CN1217396C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN99800134.1

申请日：1999-02-10

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 池田孝 ,  赤川雅俊 ,  伊藤大介

IPC: H01L21/60 ,  G06K19/00

CPC classification number: G06K19/0775 ,  G06K19/07749 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够低成本大批量生产的IC卡，包括通过穿孔或蚀刻方式形成的平面线圈，在平面线圈10中，导线11在基本相同的平面内环绕多次，平面线圈10具有一个用于确定半导体元件12的安装区域的凹槽14，平面线圈10还具有在线圈外部和内部分别形成的外部端子和内部端子，半导体元件12的电极端子12a、12b的形成表面或与形成表面相反的平面与平面线圈10的导线11相对，且该电极端子12a、12b分别位于邻近平面线圈10的外部和内部端子10a和10b的位置，电极端子12a、12b与平面线圈10的端子10a、10b电连接。

公开(公告)号：CN112928087A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011243111.7

申请日：2020-11-09

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 山本研吾 ,  伊藤大介 ,  大久保光晃 ,  内田健二

IPC: H01L23/488

Abstract: 本发明提供一种柱状铜凸点、半导体芯片及半导体装置。柱状铜凸点形成在半导体芯片的电极垫上，并具有：第1铜层；第1金属层，形成在所述第1铜层的正上方；第2铜层，形成在所述第1金属层的正上方；及第2金属层，形成在所述第2铜层的正上方。其中，所述第1金属层和所述第2金属层由蚀刻速率与铜不同的金属形成，所述第1金属层的外周侧在所述第1铜层的侧面的外侧呈环状凸起，所述第2金属层的外周侧在所述第2铜层的侧面的外侧呈环状凸起。

公开(公告)号：CN1256776A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99800134.1

申请日：1999-02-10

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 池田孝 ,  赤川雅俊 ,  伊藤大介

IPC: G06K19/00 ,  G06K17/00

CPC classification number: G06K19/0775 ,  G06K19/07749 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够低成本大批量生产的IC卡,包括通过穿孔或蚀刻方式形成的平面线圈,在平面线圈10中,导线11在基本相同的平面内环绕多次,平面线圈10具有在线圈外部和内部分别形成的外部端子和内部端子,半导体元件12的电极端子12a、12b的形成表面或与形成表面相反的平面与平面线圈10的导线11相对,且该电极端子12a、12b分别位于邻近平面线圈10的外部和内部端子10a和10b的位置,电极端子12a、12b与平面线圈10的端子10a、10b电连接。