公开(公告)号：CN115910961A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210995634.X

申请日：2022-08-18

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 山本研吾

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种晶圆以及晶圆的制造方法,其能够抑制用于导电凸块的形成的抗蚀层的残存。该晶圆具有:基板；以及基板的一个面之上的多个导电凸块，在自与上述基板的一个面垂直的方向的俯视时，在上述基板的一个面中，上述多个导电凸块的面积密度在排列有多个有效芯片区域的第一区域内比设于上述第一区域的周围的第二区域内高。

公开(公告)号：CN112928087A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011243111.7

申请日：2020-11-09

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 山本研吾 ,  伊藤大介 ,  大久保光晃 ,  内田健二

IPC: H01L23/488

Abstract: 本发明提供一种柱状铜凸点、半导体芯片及半导体装置。柱状铜凸点形成在半导体芯片的电极垫上，并具有：第1铜层；第1金属层，形成在所述第1铜层的正上方；第2铜层，形成在所述第1金属层的正上方；及第2金属层，形成在所述第2铜层的正上方。其中，所述第1金属层和所述第2金属层由蚀刻速率与铜不同的金属形成，所述第1金属层的外周侧在所述第1铜层的侧面的外侧呈环状凸起，所述第2金属层的外周侧在所述第2铜层的侧面的外侧呈环状凸起。