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公开(公告)号:CN104459996B
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201410472156.X
申请日:2014-09-16
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor: 安田喜昭
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B3/007 , B81B2201/042 , B81B2203/058
Abstract: 具有“8”字形肋条的光偏转反射镜装置和光偏转器。一种光偏转反射镜装置包括圆形或椭圆形反射镜,该圆形或椭圆形反射镜具有反射正面;和“8”字形加强肋条,该“8”字形加强肋条沿着反射镜的摆动轴对称地设置在反射镜的背面上。“8”字形加强肋条包括沿着摆动轴彼此连接的两个环形加强肋条。
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公开(公告)号:CN102654643A
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN201210054412.4
申请日:2012-03-02
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: G02B26/0858
Abstract: 使用复合正弦波驱动电压的光偏转器的驱动器及其设置方法。光偏转器包括反射镜、支撑反射镜的可动框、围绕可动框的支撑体和用作悬臂的交替的第一组压电致动器及第二组压电致动器,压电致动器在各自处折返并从支撑体连接到可动框,且分别平行于反射镜的一个轴。生成第一组压电致动器的第一驱动电压,其具有包含第一上升周期及下降周期的第一重复波。第一上升周期和下降周期中的一方大于另一方。生成第二组压电致动器的第二驱动电压,其具有包含与所述第一上升周期对应的第二下降周期和与所述第一下降周期对应的第二上升周期的第二重复波。第一和第二重复波的频率排除了反射镜的机械振动系统关于其轴的、取决于压电致动器的固有频率。
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公开(公告)号:CN102654643B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201210054412.4
申请日:2012-03-02
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
CPC classification number: G02B26/0858
Abstract: 使用复合正弦波驱动电压的光偏转器的驱动器及其设置方法。光偏转器包括反射镜、支撑反射镜的可动框、围绕可动框的支撑体和用作悬臂的交替的第一组压电致动器及第二组压电致动器,压电致动器在各自处折返并从支撑体连接到可动框,且分别平行于反射镜的一个轴。生成第一组压电致动器的第一驱动电压,其具有包含第一上升周期及下降周期的第一重复波。第一上升周期和下降周期中的一方大于另一方。生成第二组压电致动器的第二驱动电压,其具有包含与所述第一上升周期对应的第二下降周期和与所述第一下降周期对应的第二上升周期的第二重复波。第一和第二重复波的频率排除了反射镜的机械振动系统关于其轴的、取决于压电致动器的固有频率。
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公开(公告)号:CN104459996A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410472156.X
申请日:2014-09-16
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor: 安田喜昭
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B3/007 , B81B2201/042 , B81B2203/058
Abstract: 具有“8”字形肋条的光偏转反射镜装置和光偏转器。一种光偏转反射镜装置包括圆形或椭圆形反射镜,该圆形或椭圆形反射镜具有反射正面;和“8”字形加强肋条,该“8”字形加强肋条沿着反射镜的摆动轴对称地设置在反射镜的背面上。“8”字形加强肋条包括沿着摆动轴彼此连接的两个环形加强肋条。
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公开(公告)号:CN103076675A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201210372037.8
申请日:2012-09-29
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor: 安田喜昭
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0833 , B81B7/0067 , B81B2207/095 , G02B26/0858
Abstract: 包括夹在两个基板之间的光偏转芯片的光偏转装置。在一种光偏转装置中,光偏转芯片包括反射镜、被设置为使所述反射镜摆动的致动器以及在所述光偏转芯片的正面上并连接至所述致动器的第一焊盘。第一基板包括在所述第一基板的背面上的第二焊盘,并且在所述第一基板中形成有开口。所述光偏转芯片的正面粘接到所述第一基板的背面,使得所述光偏转芯片的第一焊盘与所述第一基板的各个所述第二焊盘接触,并且所述反射镜与所述开口相对。所述光偏转芯片的背面粘接到第二基板的正面。
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公开(公告)号:CN1661823A
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:CN200410073717.5
申请日:2004-09-02
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种LED及其制造方法。LED(10)包括:硅基板(11);形成在通过在该硅基板上进行各向异性蚀刻而形成的喇叭筒形凹部(11a)内的一对电极(14、15);安装在上述喇叭筒形凹部(11a)内并且与双方的电极电连接的LED芯片(12);由填充在上述喇叭筒形凹部内的树脂材料构成的树脂模块(13)。由此,可以有效地抑制因发热造成的温度上升,容易实现多芯片化并且可以实现简单小型结构。
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公开(公告)号:CN113826228B
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202080036344.1
申请日:2020-05-13
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H10H20/857 , H01S5/0239 , H01S5/02315
Abstract: 提供一种能够向发光元件的大面积的半导体层均匀地供给大电流且散热特性良好的发光装置。在Si基板的空腔的底面,在与发光元件的第1元件电极相对的位置具备狭缝状的贯通孔(3)和填充贯通孔(3)的贯通电极(4)。贯通电极(4)的上表面的沿长轴方向的长度比贯通电极的沿Si基板的厚度方向上的高度大。在发光元件的第1元件电极与相对的贯通电极的上表面之间,分别配置有具有与贯通电极的上表面形状对应的形状的接合层。贯通电极(4)的上表面整体经由接合层与第1元件电极接合。
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公开(公告)号:CN117355941A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202280035837.2
申请日:2022-04-20
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L25/16
Abstract: 根据本发明的发光装置包括:基板,其由单晶硅形成并具有第一导电类型,同时在上表面和下表面上设置有热氧化膜,并且具有在形成在下表面上的热氧化膜中以彼此相距一定距离形成的第一开口和第二开口,该基板具有二极管结构部分,该二极管结构部分由第一阱区和第二阱区构成,该第一阱区形成在沿着下表面的第一区域中并且在第一开口中暴露,同时具有与第一导电类型不同的第二导电类型,而该第二阱区形成在第一区域内的沿着下表面的第二区域中并且在第二开口中暴露,同时具有第一导电类型;半导体元件,其布置在基板上并且包括半导体层;第一外部电极,其形成在热氧化膜的下表面上,同时在第一开口中与第一阱区相接触;以及第二外部电极,其与第一外部电极相距一定距离而形成在热氧化膜的下表面上,同时在第二开口中与第二阱区相接触。第二阱区沿着基板的下表面朝着第一开口延伸超过第一开口和第二开口的中间线。
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公开(公告)号:CN103033927B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201210376372.5
申请日:2012-09-29
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor: 安田喜昭
CPC classification number: B81C1/00873 , B81B2201/042 , G02B26/0858 , G02B26/101 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明提供了一种利用双蚀刻形成切割道的光学偏转器制造方法。在晶圆的前表面侧上形成晶圆级光学偏转器组件。然后,通过使用晶圆级光学偏转器组件的元件蚀刻晶圆的前表面侧,以形成前侧切割道。然后,将具有内腔的透明基板粘附到晶圆的前表面侧。然后,在晶圆的后表面侧上形成第二蚀刻掩模。然后,对晶圆的后表面侧进行蚀刻从而创建后侧切割道。然后,将具有环形边缘的粘性片粘附到晶圆的后表面侧。然后,移除透明基板。最终,对环形边缘进行扩展以加宽前侧切割道和后侧切割道,从而从晶圆逐个地拾取光学偏转器。
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公开(公告)号:CN113826228A
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN202080036344.1
申请日:2020-05-13
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/62 , H01S5/0239 , H01S5/02315
Abstract: 提供一种能够向发光元件的大面积的半导体层均匀地供给大电流且散热特性良好的发光装置。在Si基板的空腔的底面,在与发光元件的第1元件电极相对的位置具备狭缝状的贯通孔(3)和填充贯通孔(3)的贯通电极(4)。贯通电极(4)的上表面的沿长轴方向的长度比贯通电极的沿Si基板的厚度方向上的高度大。在发光元件的第1元件电极与相对的贯通电极的上表面之间,分别配置有具有与贯通电极的上表面形状对应的形状的接合层。贯通电极(4)的上表面整体经由接合层与第1元件电极接合。
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