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    发光装置
    1.
    发明授权
    发光装置 有权

    公开(公告)号：CN110047989B

    公开(公告)日：2024-05-28

    申请号：CN201910034676.5

    申请日：2019-01-15

    Applicant: 斯坦雷电气株式会社

    Inventor： 原田光范 ,  立花佳织 ,  安藤宪

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075

    Abstract: 提供一种发光装置，其具有多个发光元件，具有高的动作稳定性和光提取效率。发光装置具有；基板；多个发光元件，其排列地配置在基板上；多个波长转换层，其分别经由透光性的粘接层而配置在多个发光元件中的各个发光元件上，具有发光元件侧的底面和比底面小的上表面，具有如下的侧面形状：随着从底面朝向上表面，与发光元件的排列方向垂直且与底面平行的侧方向上的长度变小；透光板，其跨越多个波长转换层的上表面而配置于其上；以及反射树脂，其覆盖多个发光元件各自的侧面、多个波长转换层的构成外缘部的侧面以及透光板的侧面，多个波长转换层各自的与相邻的其它波长转换层面对的侧面分别在与基板垂直的方向上延伸。

    发光装置及其制造方法
    3.
    发明公开
    发光装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102637802A

    公开(公告)日：2012-08-15

    申请号：CN201210031812.3

    申请日：2012-02-13

    Applicant: 斯坦雷电气株式会社

    Inventor： 原田光范

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014

    Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法，该发光装置的出射面积小，提高了发光密度。作为解决手段，具有搭载于基板(10)上的半导体发光元件(11)、配置于半导体发光元件(11)上的含荧光体层(13)、搭载于含荧光体层(13)上的板状光学层(14)。板状光学层(14)小于半导体发光元件(11)的上表面，含荧光体层(13)的侧面具备从半导体发光元件(11)的端部朝向板状光学层的端部的倾斜面(130)。倾斜面(130)是向外凸的弯曲面，倾斜面(130)和板状光学层(14)的侧面被光反射性材料覆盖。由此能够在含荧光体层(13)的端部凭借散射和反射使光聚集于板状光学层。

    半导体发光装置
    4.
    发明授权
    半导体发光装置 失效

    公开(公告)号：CN101325195B

    公开(公告)日：2012-01-04

    申请号：CN200810098406.2

    申请日：2008-05-26

    Applicant: 斯坦雷电气株式会社

    Inventor： 安食秀一 ,  川上康之 ,  赤木努 ,  原田光范

    IPC: H01L25/075

    CPC classification number: H01L33/50 ,  F21K9/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本发明涉及半导体发光装置。提供了一种组合有多个LED芯片和荧光体层的发光装置，以显著地减小色度和亮度的变化。所述多个半导体发光器件(LED芯片)间设置有间隙，并且在其上表面上形成有荧光体层，以桥接在LED芯片之间的间隙上。所述荧光体层可以在厚度方面均匀，但优选的是，在LED芯片之间的间隙上的厚度小于在LED芯片的上表面上的厚度。所述荧光体层连续形成于芯片阵列的上表面上，并且在芯片之间不存在荧光体。这可以减小由于间隙或间隙之间存在的荧光体层而可能导致的亮度和色度变化。

    能够降低不均匀亮度分布的LED阵列
    6.
    发明公开
    能够降低不均匀亮度分布的LED阵列 有权

    公开(公告)号：CN102983146A

    公开(公告)日：2013-03-20

    申请号：CN201210320249.1

    申请日：2012-08-31

    Applicant: 斯坦雷电气株式会社

    Inventor： 宫地护 ,  斋藤龙舞 ,  原田光范

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  F21S8/10

    CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L33/20 ,  H01L33/385 ,  H01L33/387

    Abstract: 本发明提供了能够降低不均匀亮度分布的LED阵列。用于LED阵列的发光元件包括：电极层；半导体发光层，其由p型半导体层、有源层和n型半导体层组成；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且与该边平行；以及多个第二布线层，其从所述第一布线层延伸到所述半导体发光层，并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层，其中，所述半导体发光层的平面形状包括两个短边，该两个短边包括相对于与上边和下边垂直的线倾斜的一部分，并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。

    半导体发光器件的制造方法
    7.
    发明公开
    半导体发光器件的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1770488A

    公开(公告)日：2006-05-10

    申请号：CN200510105871.0

    申请日：2005-09-29

    Applicant: 斯坦雷电气株式会社

    Inventor： 原田光范

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

    Abstract: 本发明的目的是，利用简单的结构提供一种半导体发光器件的制造方法，使来自发光元件芯片的射出光和波长变换剂的激励光的混色光不产生颜色不均，并且使作为波长变换剂进行波长变换后的损失能量而放出的热量能够有效散发。在基板上表面的光反射腔的底面设置发光元件芯片，在上述光反射腔内形成含有粒状波长变换剂(15a)的波长变换层(15)，按如下步骤来构成半导体发光器件的制造方法：填充上述波长变换层的工序首先在上述光反射腔内填充不含有波长变换剂的第一透光性树脂(17)，直到略微露出发光元件芯片的上表面，使得从发光元件芯片的上表面朝向周围倾斜成擂钵状，然后，在上述光反射腔内，在上述第一透光性树脂上填充含有波长变换剂的第二透光性树脂(18)，然后，使上述第一透光性树脂和第二透光性树脂固化。

    半导体发光装置及制造方法
    8.
    发明公开
    半导体发光装置及制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1674314A

    公开(公告)日：2005-09-28

    申请号：CN200510059081.3

    申请日：2005-03-21

    Applicant: 斯坦雷电气株式会社

    Inventor： 原田光范 ,  上野一彦 ,  戎谷崇 ,  青山雅生 ,  立花佳织

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0041

    Abstract: 本发明提供一种色相不均和亮度不均小，并且几乎不射出可能对人有害的光的光源的半导体发光装置及其制造方法。在壳体(1)中设置了包括形成有第一反射面(2)的倾斜面的第一内腔(3)和具有大致垂直的侧面的第二内腔(5)，在该壳体(1)的上方设置有包括形成有第三反射面(17)的倾斜面的反射框(16)。而且在底面上配置有半导体发光元件(6)的第一内腔(3)内填充由透光性树脂构成的第一树脂(7)并使其固化，再在第二内腔(5)内填充将荧光体(9)分散在透光性树脂中的第二树脂(10)，并将其反转，在该反转的状态下进行固化，从而在第二树脂(10)的表面附近形成高密度的荧光体层(12)。

    半导体发光设备
    9.
    发明授权
    半导体发光设备 失效

    公开(公告)号：CN101520139B

    公开(公告)日：2014-02-12

    申请号：CN200910118082.9

    申请日：2009-02-27

    Applicant: 斯坦雷电气株式会社

    Inventor： 原田光范

    IPC: F21S2/00 ,  F21V19/00 ,  F21V9/10 ,  H01L33/00 ,  F21Y101/02

    CPC classification number: F21K9/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/508 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 半导体发光设备。一种半导体发光设备可以利用简单且较小的构造来改变其发射光的色温。半导体发光设备(10)可以包括：基板(12)，形成在基板(12)上的电极布线(14)，安装在电极布线(14)上的多个半导体发光元件(16a)、(16b)、(16c)和(16d)，包围半导体发光元件(16a)、(16b)、(16c)和(16d)的波长转换层(18)。半导体发光元件(16a)、(16c)和(16b)、(16d)构成第一半导体发光元件组和第二半导体发光元件组。波长转换层(18)通过设置在基板(12)上的台阶(h)具有与第一组相对应的较薄部分和与第二组相对应的较厚部分。

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