公开(公告)号：CN1297576A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800438.2

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 关俊一 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: C23C18/06 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  C23C18/08 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/6675 ,  H01L51/0005 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。

公开(公告)号：CN1461779A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN03136784.4

申请日：2003-04-18

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  夏普公司 ,  株式会社国际基盘材料研究所

Inventor： 横山泰明 ,  松木安生 ,  迫野郁夫 ,  小林和树 ,  竹内安正

IPC: C09D5/24

CPC classification number: H01L21/76838 ,  C23C18/08 ,  H01L21/288 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/105 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造能够方便、经济地适用于不同电子元件的布线或电极的导电膜形成用组合物，一种用这种组合物制膜的方法、一种用此方法制成的导电膜，和包含这种膜的布线或电极。包括一种胺化合物与铝氢化合物的络合物和一种有机溶剂的导电膜形成用组合物，被涂敷在基底上，然后对它进行热处理和/或光辐射，从而形成一种导电膜如电极或布线。

公开(公告)号：CN1300445A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00800465.X

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 古沢昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/208

Abstract: 太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。

公开(公告)号：CN1297577A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法,包括:将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜,然后对该膜实施热和/或光处理,从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜,因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。

公开(公告)号：CN1289614C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03136784.4

申请日：2003-04-18

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  夏普公司 ,  株式会社国际基盘材料研究所

Inventor： 横山泰明 ,  松木安生 ,  迫野郁夫 ,  小林和树 ,  竹内安正

IPC: C09D5/24

CPC classification number: H01L21/76838 ,  C23C18/08 ,  H01L21/288 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/105 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造能够方便、经济地适用于不同电子元件的布线或电极的导电膜形成用组合物，一种用这种组合物制膜的方法、一种用此方法制成的导电膜，和包含这种膜的布线或电极。包括一种胺化合物与铝氢化合物的络合物和一种有机溶剂的导电膜形成用组合物，被涂敷在基底上，然后对它进行热处理和/或光辐射，从而形成一种导电膜如电极或布线。

公开(公告)号：CN1223011C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN00800465.X

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 古沢昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/208

Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。

公开(公告)号：CN1297471A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800477.3

申请日：2000-03-29

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 松木安生

IPC: C09D1/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/02573 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明涉及涂料组合物。本发明涂料组合物含有以通式(1)SinX1n所表示的硅烷化合物或以通式(2)SinX2mY1所表示的改性硅烷化合物以及溶解它们的溶剂。在该通式(1)SinX1n中,X1是氢原子或卤素原子;n是4以上的整数,但n个X1可相同,也可不同,在该通式(2)SinX2mY1中,X2是氢原子或卤素原子;Y是硼原子或磷原子;n是3以上的整数;1是1以上的整数;m是从n到2n+3的整数,但m个X2可相同,也可不同。本发明涂料组合物适于制造在大面积衬底上形成硅膜或以硼或磷所掺杂的硅膜的器件。

公开(公告)号：CN1250655C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN00800477.3

申请日：2000-03-29

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 松木安生

IPC: C09D1/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/02573 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明涉及涂料组合物。本发明涂料组合物含有以通式(1)SinXn1所表示的硅烷化合物或以通式(2)SinXm2Y1所表示的改性硅烷化合物以及溶解它们的溶剂。在该通式(1)SinXn1中，X1是氢原子或卤素原子；n是4以上的整数，但n个X1可相同，也可不同，在该通式(2)SinXm2Yl中，X2是氢原子或卤素原子；Y是硼原子或磷原子；n是3以上的整数；l是1以上的整数；m是从n到2n+3的整数，但m个X2可相同，也可不同。本发明涂料组合物适于制造在大面积衬底上形成硅膜或以硼或磷所掺杂的硅膜的器件。

公开(公告)号：CN1199241C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法，包括：将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜，然后对该膜实施热和/或光处理，从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜，因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。

公开(公告)号：CN1297578A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800470.6

申请日：2000-03-29

Applicant: 捷时雅株式会社

Inventor： 松木安生

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02236 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

Abstract: 提供用于大规模集成电路、薄膜晶体管、光电转换装置和感光体等中的电绝缘膜、介电膜或保护膜的硅氧化膜的形成方法。形成由以式SinRm(其中n表示3以上的整数,m表示从n至2n+2的整数且这些多个R表示彼此独立的氢原子或烷基)表示的聚硅烷化合物构成的涂膜,接着把此涂膜氧化而形成硅氧化膜。