公开(公告)号：CN114295951B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202111540865.3

申请日：2021-12-16

Applicant: 扬州大学

Inventor： 孟洋 ,  蒋煜琪 ,  薛玉雄 ,  曹荣幸 ,  李林欢 ,  黄鑫 ,  汪珂佳 ,  曾祥华

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04

Abstract: 本发明公开了一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，包括测试板、上位机和外加电源。测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管。测试板上设有多个待测器件，大功率碳化硅MOSFET开关管用于控制各待测器件的导通与关闭。外加电源的高压直流电源用于给待测器件施加漏源电压，负低压电源用于给待测器件施加一个负的栅源电压。本发明可通过上位机选择具体某一个待测器件进行SEB测试，从而在人机交互界面实时显示出辐照时，器件在关断状态下，可获得器件的SEB阈值电压，从而为其辐射环境应用的选型及防护加固提供技术支持。

公开(公告)号：CN114295951A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111540865.3

申请日：2021-12-16

Applicant: 扬州大学

Inventor： 孟洋 ,  蒋煜琪 ,  薛玉雄 ,  曹荣幸 ,  李林欢 ,  黄鑫 ,  汪珂佳 ,  曾祥华

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04

Abstract: 本发明公开了一种功率场效应晶体管器件单粒子烧毁测试平台，包括测试板、上位机和外加电源。测试板包括电源转换模块、DSP模块、若干大功率碳化硅MOSFET栅极驱动模块以及若干大功率碳化硅MOSFET开关管。测试板上设有多个待测器件，大功率碳化硅MOSFET开关管用于控制各待测器件的导通与关闭。外加电源的高压直流电源用于给待测器件施加漏源电压，负低压电源用于给待测器件施加一个负的栅源电压。本发明可通过上位机选择具体某一个待测器件进行SEB测试，从而在人机交互界面实时显示出辐照时，器件在关断状态下，可获得器件的SEB阈值电压，从而为其辐射环境应用的选型及防护加固提供技术支持。