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公开(公告)号：CN119154811B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411673202.2
申请日：2024-11-21
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带温度补偿的低功耗低噪声放大电路，属于射频放大器领域，所述放大电路包括温度补偿偏置模块和放大器主体单元，温度补偿偏置模块包括第一～第三增强型晶体管、第一电阻～第八电阻，放大器主体单元包括输入匹配电路、第四增强型晶体管、级间匹配电路、第五增强型晶体管、第六增强型晶体管和输出匹配电路；温度补偿偏置模块输出施加到第四增强型晶体管栅极的第一偏置电压、输出施加到第五增强型晶体管栅极的第二偏置电压和施加到第六增强型晶体管栅极的第三偏置电压，输入匹配电路的输入端接收射频信号，输出匹配电路的输出端输出放大后的射频信号。本发明能够解决在低功耗条件下低噪声放大器增益受温度影响变化大的问题。
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公开(公告)号：CN119361426B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411933346.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种AlGaN蚀刻速率的确定方法，为了解决AlGaN蚀刻中晶圆和时间消耗量大的问题，所述方法包括：在AlGaN层上沉积介质层；在预定的蚀刻条件下对介质层进行蚀刻；判断介质层厚度是否达到预定厚度，如果低于预定厚度，则完全去除介质层并重新沉积，如果高于预定厚度，则继续进行蚀刻；根据介质层蚀刻前后的厚度以及蚀刻时间得到所述蚀刻条件下的介质层蚀刻速率；对介质层开孔，露出需要蚀刻的AlGaN层；量测开孔区域的台阶高度；以介质层作为硬掩膜，以小于完全蚀刻掉硬掩膜所需时间的蚀刻时间，蚀刻AlGaN层；量测蚀刻AlGaN层后开孔区域的台阶高度，计算得到AlGaN层的蚀刻速率。本发明可以节省AlGaN蚀刻工艺过程中的晶圆消耗，极大节省成本。
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公开(公告)号：CN118412273A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410881012.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件，所述方法包括：在衬底上形成GaN外延层，在GaN外延层上沉积第一介质层；在第一介质层上形成第一金属层；在要形成栅极金属结构的位置处对第一金属层和第一介质层进行开孔蚀刻，形成大窗口结构，露出该位置处的GaN外延层；在第一金属层以及露出的GaN外延层上沉积低介电常数材料的第二介质层；在大窗口结构中的第二介质层上方制作保护层；去除保护层覆盖以外的第二介质层，然后去除保护层；在第二介质层上方制作第二金属层；去除第二金属层下方以外的第二介质层；去除第一金属层；在第二金属层和第一介质层上进行SiN沉积形成第三介质层。本发明能够在抑制电流崩塌的同时，提高器件的截止频率。
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公开(公告)号：CN119675687A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411862683.1
申请日：2024-12-17
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
IPC: H04B1/40 , H04B10/2575
Abstract: 本发明公开了一种基于RFSOC和射频SIP的多通道收发一体系统，包括RFSOC系统、多通道时钟同步模块、射频SIP系统和电源网络；RFSOC系统包括控制采样模块、存储模块和光纤模块，控制采样模块包括多个RFSOC芯片、CPLD芯片和主控芯片，RFSOC芯片用于实现中频信号的处理，并实现与光纤模块的数据交互；CPLD芯片用于使能电源网络；主控芯片用于进行多个RFSOC芯片之间的控制协调；存储模块用于实现RFSOC系统的程序固化；光纤模块用于实现宽带接收数据的高速传输；多通道时钟同步模块用于提供整个系统的时钟基准；射频SIP系统包括射频SIP模组、巴伦网络和本振功分放大模块，射频SIP模组实现多通道射频信号的接收、发射和处理。本发明能够实现高集成、大带宽、小型化的多通道收发一体系统。
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公开(公告)号：CN119361426A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411933346.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种AlGaN蚀刻速率的确定方法，为了解决AlGaN蚀刻中晶圆和时间消耗量大的问题，所述方法包括：在AlGaN层上沉积介质层；在预定的蚀刻条件下对介质层进行蚀刻；判断介质层厚度是否达到预定厚度，如果低于预定厚度，则完全去除介质层并重新沉积，如果高于预定厚度，则继续进行蚀刻；根据介质层蚀刻前后的厚度以及蚀刻时间得到所述蚀刻条件下的介质层蚀刻速率；对介质层开孔，露出需要蚀刻的AlGaN层；量测开孔区域的台阶高度；以介质层作为硬掩膜，以小于完全蚀刻掉硬掩膜所需时间的蚀刻时间，蚀刻AlGaN层；量测蚀刻AlGaN层后开孔区域的台阶高度，计算得到AlGaN层的蚀刻速率。本发明可以节省AlGaN蚀刻工艺过程中的晶圆消耗，极大节省成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119652265A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411726236.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于毫米波通信技术领域，公开了一种用于短距离无线通信的低噪声放大器电路，包括输入匹配网络、晶体管放大网络、输出匹配网络、偏置电路；低噪声放大器电路的输入端与输入匹配网络的输入端连接，用于输入射频信号；输入匹配网络用于实现输入射频信号与晶体管放大网络的50欧姆阻抗匹配，其输出端与晶体管放大网络的输入端连接，晶体管放大网络用于实现射频信号的放大，其输出端与输出匹配网络的输入端连接，输出匹配网络用于实现输出阻抗匹配，其输出端为低噪声放大器电路的输出端，偏置电路用于为晶体管放大网络提供第一偏置电压和第二偏置电压。本发明能够实现信号低噪声、高增益放大功能，并且能够有效减少信号损失，拓展可用带宽。
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公开(公告)号：CN119382643A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411472446.4
申请日：2024-10-22
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低损耗的射频放大电路，包括功放管输入匹配电路、功放管、功放管输出匹配电路、级联微带线、环行结发射端输入匹配电路、环行结、环行结接收端输出匹配电路和环行结公共端匹配电路，功放管输入匹配电路把功放芯片的输入阻抗匹配至50欧姆，功放管将输入的发射信号进行放大；功放管输出匹配电路、级联微带线、环行结发射端输入匹配电路构成可变阻抗电路，可变阻抗电路的输入阻抗与功放管的输出阻抗呈共轭关系，可变阻抗电路的输出阻抗与环行结的输入阻抗呈共轭关系；环行结接收端输出匹配电路和环行结公共端匹配电路分别将环行结接收端和环行结公共端输入阻抗匹配至50欧姆。本发明能够解决现有技术存在的损耗大的问题。
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公开(公告)号：CN119250009A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411400120.0
申请日：2024-10-09
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/327 , G06F30/331 , H03F1/26
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器芯片电路原理图的自动布局方法，包括：将初始网表中所有元件及其连接关系保存在初始邻接表中；根据邻接表依次布局与电源相连的元件；根据邻接表依次完成与电阻相连元件的布局；完成输入和输出端口之间的最短路径上所有元件及其后续相连元件的布局；在晶体管上补充连线和标注；比较初始邻接表和已完成所有元件布局的邻接表，补充缺少的连线；将完成布局的所有元件绘制在原理图上，设置元件的尺寸参数，完成整体布局生成原理图；对初始网表和生成的原理图进行仿真，对比仿真结果是否一致，从而验证生成的原理图是否正确。本发明能够实现低噪声放大器芯片电路网表反演电路原理图过程中的自动布局，提高了效率和准确率。
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公开(公告)号：CN119154811A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411673202.2
申请日：2024-11-21
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带温度补偿的低功耗低噪声放大电路，属于射频放大器领域，所述放大电路包括温度补偿偏置模块和放大器主体单元，温度补偿偏置模块包括第一～第三增强型晶体管、第一电阻～第八电阻，放大器主体单元包括输入匹配电路、第四增强型晶体管、级间匹配电路、第五增强型晶体管、第六增强型晶体管和输出匹配电路；温度补偿偏置模块输出施加到第四增强型晶体管栅极的第一偏置电压、输出施加到第五增强型晶体管栅极的第二偏置电压和施加到第六增强型晶体管栅极的第三偏置电压，输入匹配电路的输入端接收射频信号，输出匹配电路的输出端输出放大后的射频信号。本发明能够解决在低功耗条件下低噪声放大器增益受温度影响变化大的问题。
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公开(公告)号：CN118412273B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410881012.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 成都航天博目电子科技有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件，所述方法包括：在衬底上形成GaN外延层，在GaN外延层上沉积第一介质层；在第一介质层上形成第一金属层；在要形成栅极金属结构的位置处对第一金属层和第一介质层进行开孔蚀刻，形成大窗口结构，露出该位置处的GaN外延层；在第一金属层以及露出的GaN外延层上沉积低介电常数材料的第二介质层；在大窗口结构中的第二介质层上方制作保护层；去除保护层覆盖以外的第二介质层，然后去除保护层；在第二介质层上方制作第二金属层；去除第二金属层下方以外的第二介质层；去除第一金属层；在第二金属层和第一介质层上进行SiN沉积形成第三介质层。本发明能够在抑制电流崩塌的同时，提高器件的截止频率。
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