永磁同步电机滑模控制方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN119675508B

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510157414.3

    申请日:2025-02-13

    Abstract: 本发明涉及永磁同步电机控制技术领域,公开了一种永磁同步电机滑模控制方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:基于永磁同步电机数学模型,构建电机状态方程,将负载转矩视为外部扰动,构建新型自适应非线性扩张状态观测器;基于电机状态方程,构建非奇异快速终端滑模面和新型变增益指数趋近律;基于新型自适应非线性扩张状态观测器、非奇异快速终端滑模面和新型变增益指数趋近律,构建新型非奇异快速终端滑模控制器;利用新型非奇异快速终端滑模控制器执行永磁同步电机滑模控制。本发明的新型滑模控制策略相较于已有公知技术不仅极大削弱了抖振,提高了控制精度,而且明显加快了收敛速度,使系统能在有限时间内渐近收敛到平衡点。

    一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118324527A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410420569.7

    申请日:2024-04-09

    Abstract: 本发明涉及电子信息功能材料技术领域,尤其涉及一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法,化学式为(Y0.2B0.2C0.2D0.2E0.2)2BaZn1‑xMgxO5,其中,B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种,0<x<0.1,发明还提供一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的制备方法,包括配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、长时煅烧并退火。本发明制得的材料具有高熵化的纯相正交晶体结构,微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹,具有高品质因数和小的谐振频率温度系数,介电常数在14~18之间,高Q×f值在30,000到70,000 GHz之间,τf值在‑30~‑8 ppm/°C之间可调。配方中不含Pb,Cd等挥发性有毒金属,性能稳定,适用于高频化微波通信系统。

    永磁同步电机滑模控制方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN119675508A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202510157414.3

    申请日:2025-02-13

    Abstract: 本发明涉及永磁同步电机控制技术领域,公开了一种永磁同步电机滑模控制方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:基于永磁同步电机数学模型,构建电机状态方程,将负载转矩视为外部扰动,构建新型自适应非线性扩张状态观测器;基于电机状态方程,构建非奇异快速终端滑模面和新型变增益指数趋近律;基于新型自适应非线性扩张状态观测器、非奇异快速终端滑模面和新型变增益指数趋近律,构建新型非奇异快速终端滑模控制器;利用新型非奇异快速终端滑模控制器执行永磁同步电机滑模控制。本发明的新型滑模控制策略相较于已有公知技术不仅极大削弱了抖振,提高了控制精度,而且明显加快了收敛速度,使系统能在有限时间内渐近收敛到平衡点。

    一种掺杂钐和钴的锶铁氧体及其制备方法

    公开(公告)号:CN117586000A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311564965.9

    申请日:2023-11-22

    Abstract: 本发明涉及永磁铁氧体材料技术领域,尤其涉及一种掺杂钐和钴的锶铁氧体及其制备方法,其分子式为Sr1‑xSmxFe12‑xCoxO19,其中,x为0、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05或0.1。以Sr1‑xSmxFe12‑xCoxO19铁氧体为基础,在制备工艺上采用固相反应法,使用Co2+取代Fe3+,Sm取代Sr以改善材料的磁性能和电性能,其制备工艺简单,过程无污染,所得材料同时获得了较高的烧结密度、起始磁导率、直流电阻率以及低的矫顽力、介质损耗,可为高频电感器、电容器提供关键的材料,解决国内缺乏高频弱电领域相关电子元器件的现状。

    一种掺杂镨的镍锌钴铁氧体及其制备方法

    公开(公告)号:CN117585999A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311513729.4

    申请日:2023-11-14

    Abstract: 本发明属于软磁铁氧体材料技术领域,具体涉及一种掺杂镨的镍锌钴铁氧体及其制备方法,其分子式为:NimZnnCo1‑m‑nPrxFe2‑xO4,其中,0<x≤0.1,0.5≤m<1,0<n<0.5,在制备工艺上采用溶胶‑凝胶自蔓燃法和微波烧结相结合的方法;另外,用Pr3+取代Fe3+以改善材料的磁性能和电性能,其制备工艺简单,过程无污染,所得材料同时获得了高的截止频率、较高的直流电阻率以及低的介电损耗,可为高频小型化电子设备的发展提供参考,有望提高我国在高频乃至超高频电子器件小型化、集成化的核心竞争力。

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