公开(公告)号：CN118131401A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410327763.0

申请日：2024-03-21

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 唐婷婷 ,  左建伟 ,  黄华 ,  李朝阳 ,  梁潇 ,  李杰 ,  何宇

IPC: G02B6/293 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了一种基于脊型光波导的微环谐振器，属于光波导领域，包括由下到上依次固定的硅基平板衬底层、二氧化硅包层、硅基微环芯层，硅基微环芯层包括沿微环传输的方向设置的环形脊波导、对称脊波导和直波导，对称脊波导和直波导关于环形脊波导相对设置；对称脊波导包括设置于环形脊波导内外两侧的内侧半环形脊波导和外侧半环形脊波导。本发明采用上述基于脊型光波导的微环谐振器，通过脊型结构的设计，可以在波导宽度远大于波导高度时形成单模传输，因此当波导高度确定时，脊型波导可采用更大的波导宽度，从而大幅度提高波导和空气的接触面积，提供更大的消逝场。

公开(公告)号：CN214672629U

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202121239718.8

申请日：2021-06-04

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 罗启宇 ,  陈子煊 ,  李霆威 ,  左建伟 ,  杨博 ,  施媛媛

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型公开了一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件，该GaN HEMT器件，包括依次层叠的衬底层、异质结层、p‑GaN层、AlN高势垒层以及金属电极，所述异质结层包括设于衬底上的GaN缓冲层及设于GaN缓冲层上的AlGaN势垒层，所述金属电极包括设于异质结层上的源极和漏极以及设于AlN高势垒层上且位于源极和漏极之间的栅极。通过在传统的p型栅增强型GaN HEMT器件的栅电极和p‑GaN层之间插入AlN高势垒层，以AlN高势垒层作为势垒阻挡层抬高肖特基栅极的势垒高度，抑制栅电极中空穴向p‑GaN层注入，从而降低正常工作中栅电流，提高安全工作栅压范围。