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公开(公告)号：CN214672629U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202121239718.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本实用新型公开了一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件，该GaN HEMT器件，包括依次层叠的衬底层、异质结层、p‑GaN层、AlN高势垒层以及金属电极，所述异质结层包括设于衬底上的GaN缓冲层及设于GaN缓冲层上的AlGaN势垒层，所述金属电极包括设于异质结层上的源极和漏极以及设于AlN高势垒层上且位于源极和漏极之间的栅极。通过在传统的p型栅增强型GaN HEMT器件的栅电极和p‑GaN层之间插入AlN高势垒层，以AlN高势垒层作为势垒阻挡层抬高肖特基栅极的势垒高度，抑制栅电极中空穴向p‑GaN层注入，从而降低正常工作中栅电流，提高安全工作栅压范围。
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