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公开(公告)号：CN108656747B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201710907948.9
申请日：2017-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
Abstract: 本公开涉及流体喷射装置、打印头、打印机和用于制造喷射装置的方法。用于流体的喷射装置包括固体主体，固体主体包括：第一半导体主体，包括用于容纳流体的室、与室流体连接的喷嘴、以及操作性地连接到室的致动器，以在使用时在流体中生成一个或多个压力波，使得流体从喷嘴喷射；以及第二半导体主体，包括用于将流体馈送到室的、耦合到第一半导体主体的通道，使得通道与室流体连接。第二半导体主体集成了阻尼腔，在阻尼腔之上延伸有阻尼膜，阻尼腔和阻尼膜横向延伸到通道，以馈送流体。
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公开(公告)号：CN108656747A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710907948.9
申请日：2017-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
CPC classification number: B41J2/14 , B05B1/02 , B41J2/055 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2002/14346 , B41J2002/14403 , B41J2002/14419
Abstract: 本公开涉及流体喷射装置、打印头、打印机和用于制造喷射装置的方法。用于流体的喷射装置包括固体主体，固体主体包括：第一半导体主体，包括用于容纳流体的室、与室流体连接的喷嘴、以及操作性地连接到室的致动器，以在使用时在流体中生成一个或多个压力波，使得流体从喷嘴喷射；以及第二半导体主体，包括用于将流体馈送到室的、耦合到第一半导体主体的通道，使得通道与室流体连接。第二半导体主体集成了阻尼腔，在阻尼腔之上延伸有阻尼膜，阻尼腔和阻尼膜横向延伸到通道，以馈送流体。
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公开(公告)号：CN207481454U
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201721268995.5
申请日：2017-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
CPC classification number: B41J2/055 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2002/14403 , B41J2002/14419
Abstract: 本公开涉及流体喷射装置、打印头和打印机。用于流体的喷射装置包括固体主体，固体主体包括：第一半导体主体，包括用于容纳流体的室、与室流体连接的喷嘴、以及操作性地连接到室的致动器，以在使用时在流体中生成一个或多个压力波，使得流体从喷嘴喷射；以及第二半导体主体，包括用于将流体馈送到室的、耦合到第一半导体主体的通道，使得通道与室流体连接。第二半导体主体集成了阻尼腔，在阻尼腔之上延伸有阻尼膜，阻尼腔和阻尼膜横向延伸到通道，以馈送流体。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN116659739A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310168836.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于检测异物的存在的封装压力传感器设备和对应方法。一种压力传感器设备具有：压力检测结构，其被提供在半导体材料的第一裸片中；封装物，其被配置为在内部以不可渗透的方式容纳压力检测结构，该封装物具有基底结构和主体结构，主体结构布置在基底结构上，具有与外部环境接触的进入开口并且在内部限定壳体腔，覆盖有涂层材料的第一裸片被布置在该壳体腔中。在壳体腔中容纳超声型的压电换能结构，以便允许检测在涂层材料上方且在封装物内的异物。特别地，压电换能结构集成在第一裸片中，该第一裸片包括：第一部分，压力检测结构被集成在第一部分中；以及与第一部分分离且不同的第二部分，压电换能结构被集成在第二部分中。
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公开(公告)号：CN108249388B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201710501989.8
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开涉及可在平面中移动的压电式微机电致动器设备。例如，一种形成在衬底(28)上的压电型MEMS致动器设备(100)，该压电型MEMS致动器设备具有包括基础梁元件(20)的基础单元(22A)，该基础梁元件具有在延伸平面中的主延伸以及在垂直于该延伸平面的厚度方向上的小于该主延伸的厚度。压电区(29)在该梁元件之上延伸。锚区(23)刚性连接至该基础梁元件以及至该衬底(28)。基础约束结构(21)连接至该基础梁元件(20)的一端并且被配置成用于允许该基础梁元件在该延伸平面中的变形并基本上减少该基础梁元件在该厚度方向上的变形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111983801B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010444104.7
申请日：2020-05-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于补偿不期望的运动的微机电系统(MEMS)压电致动器及其制造工艺。MEMS致动器包括半导体材料的单片式主体，其中半导体材料的支撑部可相对于彼此横切的第一旋转轴和第二旋转轴定向。半导体材料的第一框架通过第一可变形元件耦合到支撑部，第一可变形元件被配置为控制支撑部绕第一旋转轴的旋转。半导体材料的第二框架通过第二可变形元件耦合到第一框架，第二可变形元件耦合在第一框架和第二框架之间并且被配置为控制支撑部绕第二旋转轴的旋转。第一可变形元件和第二可变形元件承载相应的压电致动元件。
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公开(公告)号：CN115924836A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211091227.2
申请日：2022-09-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B5/00
Abstract: 本公开涉及MEMS致动器及其制造工艺。一种MEMS致动器，包括具有第一表面的半导体主体，所述第一表面限定面向所述第一表面并具有底表面的壳腔，所述半导体主体还限定所述半导体主体中的流体通道，所述流体通道具有横跨所述底表面的第一端。可应变结构延伸到壳体腔中，在底表面处耦合到半导体主体，并且限定面向流体通道的第一端的内部空间，并且包括彼此连接并且连接到流体通道的至少第一和第二内部子空间。当流体被泵送通过流体通道进入内部空间时，第一和第二内部子空间膨胀，从而沿第一轴线使可应变结构发生应变，并生成由可应变结构沿第一轴线在相对于壳体腔的相对方向上施加的致动力。
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公开(公告)号：CN110269991B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201910190624.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： D·朱斯蒂 , O·R·A·迪马尔科 , I·瓦里斯科
IPC: A61M16/20
Abstract: 本公开的各实施例涉及电阀模块、用于制造阀模块的方法、用于操作阀模块的方法、以及包括一个或多个阀模块的呼吸辅助装置。一种阀模块包括半导体本体、在半导体本体中的彼此隔开一定距离的空腔、悬置在每个空腔之上以使能空腔的至少部分闭合的悬臂结构、以及用于每个悬臂结构的压电致动器。压电致动器被配置用于引起相应悬臂结构的正弯曲并且因此调节通过阀模块的气流的速率。
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公开(公告)号：CN113860253A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110726847.8
申请日：2021-06-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及用于MEMS快门的角压电致动器及其制造方法。一种MEMS致动器，包括主体，该主体具有中心部分和外围部分，中心部分能够耦合到衬底，外围部分当中心部分耦合到衬底时悬挂在衬底上方。外围部分具有围绕中心部分延伸并形成连续布置的膜的可变形结构。MEMS致动器包括承载结构和对应的压电致动器。承载结构在该承载结构的顶部处被固定到可变形结构并且横向地界定对应的空腔，每个空腔具有面向主体的中心部分并且在顶部处由膜封闭的横向开口。膜的固定部段固定到下面的承载结构，并且悬挂部段相对于下面的承载结构横向偏移。压电致动器是可控制的，以引起对应的膜的变形和承载结构围绕主体的中心部分的旋转。
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公开(公告)号：CN110039899B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910040227.1
申请日：2019-01-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备。一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，包括步骤：在容置喷射设备的喷嘴的第一半导体晶片中形成第一结构层；去除第一结构层的选择性部分，以形成用于容纳流体的腔室的第一部分；在容置喷射设备的致动器的第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分，以形成腔室的第二部分；将第一半导体晶片和第二半导体晶片耦合在一起，以便第一部分直接面对第二部分，从而形成腔室。第一部分限定腔室的体积的一部分，体积的该部分大于由第二部分限定的腔室的体积的相应部分。
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