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公开(公告)号：CN110039899B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910040227.1
申请日：2019-01-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01
Abstract: 本公开的实施例涉及用于制造流体喷射设备的方法以及流体喷射设备。一种用于制造用于喷射流体的设备的方法，包括步骤：在容置喷射设备的喷嘴的第一半导体晶片中形成第一结构层；去除第一结构层的选择性部分，以形成用于容纳流体的腔室的第一部分；在容置喷射设备的致动器的第二半导体晶片中去除第二结构层的选择性部分，以形成腔室的第二部分；将第一半导体晶片和第二半导体晶片耦合在一起，以便第一部分直接面对第二部分，从而形成腔室。第一部分限定腔室的体积的一部分，体积的该部分大于由第二部分限定的腔室的体积的相应部分。
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公开(公告)号：CN106926582B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610490773.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN111823717B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202010289274.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及部件数目减少的流体喷射设备以及用于制造流体喷射设备的方法。各种实施例提供了一种用于流体的喷射设备。喷射设备包括：第一半导体晶片，该第一半导体晶片在其第一侧上容纳压电致动器和在压电致动器旁边的用于流体的出口通道；第二半导体晶片，该第二半导体晶片在其第一侧上具有凹口，并且与第一侧相对的其第二侧上具有用于将所述流体流体地耦合至凹口的至少一个入口通道；以及干膜，其被耦合到与第一晶片的第一侧相对的第二侧。第一晶片和第二晶片被耦合在一起，以使得压电致动器和出口通道被设置成直接面对并被完全容纳在凹口中，该凹口形成用于流体的储液器。干膜具有喷射喷嘴。
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公开(公告)号：CN106807568B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610490850.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及具有限制通道的流体喷射设备及其制造方法。提供一种流体喷射设备(1)包括：第一半导体本体(2)，包括操作性地耦合至用于包含流体的室(6)并被配置为引起流体的喷射的致动器(3)以及在第一方向(Z)上延伸并具有第一尺寸(A1)的截面的用于流体的入口通道(11a)；以及第二半导体本体(8)，耦合至第一半导体本体(2)并具有被配置为排出流体的喷射喷嘴(13)。第二半导体本体(8)还包括第一限制通道(16)，第一限制通道流体地耦合至入口通道(11a)、在与第一方向(Z)垂直的第二方向(X)上延伸并具有小于第一尺寸(A1)的第二尺寸(A3)的相应截面，以在入口通道(11a)与室(6)之间形成限制。
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公开(公告)号：CN109910435A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116893504A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310372761.9
申请日：2023-04-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有抗应力性改进的压电致动的微机电镜器件。一种微机电镜器件在半导体材料的管芯中具有：限定腔体的固定结构；承载反射区域的可倾斜结构，弹性地悬置在腔体上方并且具有在水平面中的主延伸部；承载相应压电结构的至少一对第一驱动臂，压电结构可以被偏置以生成驱动力，该驱动力引起可倾斜结构围绕平行于水平面的第一水平轴的旋转轴的旋转；弹性悬置元件，在旋转轴处将可倾斜结构弹性地耦合到固定结构，并且对于离开水平面的运动是刚性的并且对于围绕旋转轴的扭转是柔顺的。特别地，第一对中的驱动臂磁性地耦合到可倾斜结构，以便在相应压电结构的偏置之后通过磁性相互作用使其围绕旋转轴旋转。
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公开(公告)号：CN116020726A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211313637.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及用于对高频声波进行换能的微电子机械设备及其制造过程。一种PMUT声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有表面并且容纳第一埋腔，第一埋腔多个具有环形形状，彼此同心布置，并且从本体的表面延伸一定距离。第一埋腔从由本体形成的多个第一膜下方界定，使得每个第一膜在多个第一埋腔中的相应第一埋腔与本体的表面之间延伸。多个压电元件在本体的表面上延伸，每个压电元件在多个第一膜中的相应第一膜的上方延伸。第一膜的宽度不同，该宽度在最小值到最大值之间可变。
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公开(公告)号：CN109910435B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
Abstract: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN113620232A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110489899.8
申请日：2021-05-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及有改善机械属性的可变形结构的压电致动器及其制造方法。MEMS致动器由围绕腔体的本体和可变形结构形成，可变形结构悬置在腔体上并且由可移动部分和多个可变形元件形成。可变形元件彼此连续地布置，将可移动部分连接到本体，并且每个可变形元件经受变形。MEMS致动器还包括至少一组多个致动结构，致动结构由可变形元件支撑并且被配置为使得可移动部分的平移大于每个可变形元件的变形。每个致动结构具有相应第一压电区域。
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公开(公告)号：CN107546324B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201611259533.7
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种相变存储器单元(1’)，包括：衬底(2)，容纳包括第一导电电极(4)的用于选择存储器单元(1’)的晶体管(15)；在选择晶体管(15)上的第一电绝缘层(10)；穿过电绝缘层(10)的第一导电通孔(11a)，被电耦合至第一导电电极(4)；加热器元件(34’)，包括与第一导电通孔(11a)电接触的第一部分和与第一部分电连续且正交于第一部分延伸的第二部分；第一保护元件(32’)，在加热器元件(34’)的第一和第二部分上延伸；第二保护元件(40’)，与加热器元件(34’)的第一部分并与第一保护元件(32’)直接横向接触地延伸；以及相变区域(50)，在加热器元件(34’)之上与加热器元件(34’)电且热接触地延伸。
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