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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108249388A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710501989.8
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: H01L41/0953 , B81B3/0018 , G02B26/0833 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01H2057/006 , H01L41/094 , H01L41/0946 , H02N2/043 , H02N2/046
Abstract: 本公开涉及可在平面中移动的压电式微机电致动器设备。例如，一种形成在衬底(28)上的压电型MEMS致动器设备(100)，该压电型MEMS致动器设备具有包括基础梁元件(20)的基础单元(22A)，该基础梁元件具有在延伸平面中的主延伸以及在垂直于该延伸平面的厚度方向上的小于该主延伸的厚度。压电区(29)在该梁元件之上延伸。锚区(23)刚性连接至该基础梁元件以及至该衬底(28)。基础约束结构(21)连接至该基础梁元件(20)的一端并且被配置成用于允许该基础梁元件在该延伸平面中的变形并基本上减少该基础梁元件在该厚度方向上的变形。
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公开(公告)号：CN117509531A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310965613.8
申请日：2023-08-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种电子器件包括：MEMS传感器器件，MEMS传感器器件包括将化学量或物理量转换为对应电学量的功能结构；帽，帽包括半导电衬底；以及将帽机械耦合到MEMS传感器器件的键合介电区域。帽还包括导电区域，导电区域在半导电衬底与MEMS传感器器件之间延伸，并且包括第一部分和第二部分，第一部分相对于半导电衬底横向布置并且被暴露，以便能够通过对应引线键合件电耦合到处于参考电势的端子，第二部分接触半导电衬底。
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公开(公告)号：CN108249388B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201710501989.8
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开涉及可在平面中移动的压电式微机电致动器设备。例如，一种形成在衬底(28)上的压电型MEMS致动器设备(100)，该压电型MEMS致动器设备具有包括基础梁元件(20)的基础单元(22A)，该基础梁元件具有在延伸平面中的主延伸以及在垂直于该延伸平面的厚度方向上的小于该主延伸的厚度。压电区(29)在该梁元件之上延伸。锚区(23)刚性连接至该基础梁元件以及至该衬底(28)。基础约束结构(21)连接至该基础梁元件(20)的一端并且被配置成用于允许该基础梁元件在该延伸平面中的变形并基本上减少该基础梁元件在该厚度方向上的变形。
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公开(公告)号：CN221275213U
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202322062933.0
申请日：2023-08-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的一个或多个实施例涉及电子器件，包括：MEMS传感器器件，包括转换结构，转换结构被配置为在操作中将化学量或物理量转换为对应电学量；帽，包括：半导电衬底；以及导电区域，在半导电衬底与MEMS传感器器件之间延伸，导电区域包括：第一部分，相对于半导电衬底横向布置并且被暴露；以及第二部分，与半导电衬底接触；键合介电区域，将帽机械耦合到MEMS传感器器件。
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公开(公告)号：CN207891042U
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201720762834.5
申请日：2017-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开涉及可在平面中移动的压电型微机电致动器设备。例如，一种形成在衬底(28)上的压电型MEMS致动器设备(100)，该压电型MEMS致动器设备具有包括基础梁元件(20)的基础单元(22A)，该基础梁元件具有在延伸平面中的主延伸以及在垂直于该延伸平面的厚度方向上的小于该主延伸的厚度。压电区(29)在该梁元件之上延伸。锚区(23)刚性连接至该基础梁元件以及至该衬底(28)。基础约束结构(21)连接至该基础梁元件(20)的一端并且被配置成用于允许该基础梁元件在该延伸平面中的变形并基本上减少该基础梁元件在该厚度方向上的变形。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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