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公开(公告)号：CN105684148A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201380076627.9
申请日：2013-03-13
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/145 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1641
Abstract: 具有掺杂剂补偿切换的忆阻器，该忆阻器具有底电极、顶电极、以及夹在所述底电极与顶电极之间的活性区。该活性区由电绝缘材料和导电材料构成。该绝缘材料包含补偿掺杂剂以部分地或完全地补偿在该绝缘材料中的天然掺杂剂。还公开了用于制成该忆阻器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103931102A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201180074448.2
申请日：2011-10-28
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/41 , G11C13/0007 , G11C19/28 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L49/003 , H03K3/037 , H03K3/357 , H03K19/00315 , H03K19/1776
Abstract: 一种金属－绝缘体相变(MIT)触发器使用双稳态工作状态对中所选择的一个来表示MIT触发器的逻辑状态。MIT触发器包括MIT器件，该MIT器件具有电流控制负微分电阻(CC-NDR)以提供双稳态工作状态对。可以由编程电压选择所述对中的双稳态工作状态。一旦选择了双稳态工作状态，双稳态工作状态就能够由施加到MIT器件的偏置电压保持。
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公开(公告)号：CN103858172A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201180074092.2
申请日：2011-10-12
CPC classification number: H01L27/2463 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , H01L29/88 , H01L45/16
Abstract: 本公开提供了一种存储器单元，其包括放置在第一导体和第二导体之间的电阻存储器元件，第一导体和第二导体被配置用来激活电阻存储器元件。存储器单元还包括与存储器元件串联放置在存储器元件和第一导体或第二导体之间的反向二极管。
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公开(公告)号：CN103733338A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201180072722.2
申请日：2011-06-24
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/55 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149
Abstract: 忆阻器具有第一电极、平行于第一电极的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的切换层。切换层包含传导沟道和储蓄器区。传导沟道带有具有可变的移动离子浓度的费米玻璃材料。储蓄器区相对于传导沟道横向地布置，并对传导沟道充当移动离子的源/吸收体。在切换操作中，在电场和热效应的协作驱动力下，移动离子移动进或出横向布置的储蓄器区以改变传导沟道中的移动离子的浓度，从而改变费米玻璃材料的传导率。
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公开(公告)号：CN103858172B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201180074092.2
申请日：2011-10-12
Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业
CPC classification number: H01L27/2463 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , H01L29/88 , H01L45/16
Abstract: 本公开提供了一种存储器单元，其包括放置在第一导体和第二导体之间的电阻存储器元件，第一导体和第二导体被配置用来激活电阻存储器元件。存储器单元还包括与存储器元件串联放置在存储器元件和第一导体或第二导体之间的反向二极管。
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公开(公告)号：CN103733338B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180072722.2
申请日：2011-06-24
Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/55 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149
Abstract: 忆阻器具有第一电极、平行于第一电极的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的切换层。切换层包含传导沟道和储蓄器区。传导沟道带有具有可变的移动离子浓度的费米玻璃材料。储蓄器区相对于传导沟道横向地布置，并对传导沟道充当移动离子的源/吸收体。在切换操作中，在电场和热效应的协作驱动力下，移动离子移动进或出横向布置的储蓄器区以改变传导沟道中的移动离子的浓度，从而改变费米玻璃材料的传导率。
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