公开(公告)号：CN101854779B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201010195950.6

申请日：2010-06-04

Applicant: 惠州中京电子科技股份有限公司

Inventor： 赵志平 ,  周刚 ,  刘保光

IPC: H05K3/42

Abstract: 本发明涉及PCB制造领域，具体涉及PCB板上金属化半孔的制作工艺。所述的金属化半孔的制作工艺步骤为：1)基板钻孔、沉铜、图形转移、图形电镀后，按设计需要将圆孔锣除半孔；2)对PCB板进行碱性蚀刻；3)褪膜；4)碱性二次蚀刻；5)褪锡。所述步骤(1)中锣机横向移动速度为0.2-0.5m/min，叠板片数为2pnl/锣。本发明采用不剥膜就进行碱性蚀刻的方法，能够把在锣除半孔时产生的铜丝毛刺蚀刻掉，而板面其它部分有干膜保护不会受蚀刻影响；再进行正常的剥膜、蚀刻(二次蚀刻)、剥锡工序，保证金属化半孔的高品质要求。

公开(公告)号：CN101854779A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010195950.6

申请日：2010-06-04

Applicant: 惠州中京电子科技股份有限公司

Inventor： 赵志平 ,  周刚 ,  刘保光

IPC: H05K3/42

Abstract: 本发明涉及PCB制造领域，具体涉及PCB板上金属化半孔的制作工艺。所述的金属化半孔的制作工艺步骤为：1)基板钻孔、沉铜、图形转移、图形电镀后，按设计需要将圆孔锣除半孔；2)对PCB板进行碱性蚀刻；3)褪膜；4)碱性二次蚀刻；5)褪锡。所述步骤(1)中锣机横向移动速度为0.2-0.5m/min，叠板片数为2pnl/锣。本发明采用不剥膜就进行碱性蚀刻的方法，能够把在锣除半孔时产生的铜丝毛刺蚀刻掉，而板面其它部分有干膜保护不会受蚀刻影响；再进行正常的剥膜、蚀刻(二次蚀刻)、剥锡工序，保证金属化半孔的高品质要求。