公开(公告)号：CN100587914C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200510099670.4

申请日：2005-09-02

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 木田刚

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00

CPC classification number: B23K26/032 ,  B23K26/042 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50

Abstract: 在处理半导体晶片(SW)的激光束处理设备中，激光束生成器系统(60，68)生成激光束，并且移动系统(12，78，80)相对于激光束相对地移动半导体晶片，从而沿划线用激光束照射半导体晶片，以沿划线从半导体晶片部分地去除多层布线结构。照射控制系统控制沿划线用激光束照射半导体晶片，从而将对准标记保留在划线上。其中半导体晶片(SW)具有在其上形成的多层布线结构(MWS)、在其上定义的划线(FSLm，SSLn)、以及在划线中的任何一条划线上形成的至少一个对准标记(AM)。

公开(公告)号：CN100385628C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200510079519.4

申请日：2005-06-22

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 木田刚 ,  野田贵三

IPC: H01L21/301

Abstract: 根据本发明的半导体晶片(1)，包括：在两个相互垂直的方向上的第一划片线(31)，其具有第一宽度并将半导体晶片(1)分成多个区域；第二划片线(32)，其具有比第一宽度小的第二宽度并将区域分成多个半导体芯片区(2)；沿着半导体芯片区(2)的边缘形成的电极焊盘(5)；以及设置在划片线中的含金属的辅助图案(4)。在第二划片线(32)中，在与芯片区(2)中具有电极焊盘(5)的边缘相邻的区域中的至少最外表面中不存在辅助图案(4)。

公开(公告)号：CN1713354A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510079519.4

申请日：2005-06-22

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 木田刚 ,  野田贵三

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L22/34 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的半导体晶片(1)，包括：在两个相互垂直的方向上的第一划片线(31)，其具有第一宽度并将半导体晶片(1)分成多个区域；第二划片线(32)，其具有比第一宽度小的第二宽度并将区域分成多个半导体芯片区(2)；沿着半导体芯片区(2)的边缘形成的电极焊盘(5)；以及设置在划片线中的含金属的辅助图案(4)。在第二划片线(32)中，在与芯片区(2)中具有电极焊盘5的边缘相邻的区域中的至少最外表面中不存在辅助图案(4)。

公开(公告)号：CN1744284A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510099670.4

申请日：2005-09-02

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 木田刚

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00

CPC classification number: B23K26/032 ,  B23K26/042 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50

Abstract: 在处理半导体晶片(SW)的激光束处理设备中，激光束生成器系统(60，68)生成激光束，并且移动系统(12，78，80)相对于激光束相对地移动半导体晶片，从而沿划线用激光束照射半导体晶片，以沿划线从半导体晶片部分地去除多层布线结构。照射控制系统控制沿划线用激光束照射半导体晶片，从而将对准标记保留在划线上。其中半导体晶片(SW)具有在其上形成的多层布线结构(MWS)、在其上定义的划线(FSLm，SSLn)、以及在划线中的任何一条划线上形成的至少一个对准标记(AM)。