公开(公告)号：CN109155280A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780029159.8

申请日：2017-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·李 ,  J·S·帕帕努 ,  R·克里希纳穆希 ,  P·库马尔 ,  B·伊顿 ,  A·库马尔 ,  A·N·雷纳

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/3065

Abstract: 描述了切割半导体晶片的蚀刻掩模和方法。在示例中，用于晶片切单处理的蚀刻掩模包含基于固态成分和水的水溶性基质。蚀刻掩模还包含分散遍布水溶性基质的多个颗粒。所述多个颗粒具有大约在5纳米～100纳米的范围内的平均直径。所述固态成分的重量％对于所述多个颗粒的重量％的比率大约在1:0.1～1:4的范围内。

公开(公告)号：CN109155280B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201780029159.8

申请日：2017-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·李 ,  J·S·帕帕努 ,  R·克里希纳穆希 ,  P·库马尔 ,  B·伊顿 ,  A·库马尔 ,  A·N·雷纳

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/3065

Abstract: 描述了切割半导体晶片的蚀刻掩模和方法。在示例中，用于晶片切单处理的蚀刻掩模包含基于固态成分和水的水溶性基质。蚀刻掩模还包含分散遍布水溶性基质的多个颗粒。所述多个颗粒具有大约在5纳米～100纳米的范围内的平均直径。所述固态成分的重量％对于所述多个颗粒的重量％的比率大约在1:0.1～1:4的范围内。