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公开(公告)号：CN103346116A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310250118.5
申请日：2009-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68785 , Y10T428/24008 , Y10T428/24628
Abstract: 本发明提供一种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，一种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)温度控制底座，其具有从其径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；B)对基板支架，其包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或C)圆顶形窗。
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公开(公告)号：CN102089859A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127210.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马修·F·戴维斯 , 托尔斯特恩·B·莱尔 , 连雷
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67207 , B82Y10/00 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/67069 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于可适性自对准双图案成型的设备及其方法。该方法包含提供基材给处理平台，处理平台配置为执行蚀刻过程和沉积过程；及测量单元，其配置用于真空中临界尺寸(CD)测量。真空中CD测量用于过程序列处理平台的前馈可适性控制，或用于腔室过程参数的反馈与前馈可适性控制。在一个方面中，多层掩模层叠的第一层被蚀刻以形成样板掩模；对样板掩模做真空中CD测量；并且邻接样板掩模形成间隔物，使之达到与样板掩模的CD测量相关的宽度。
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公开(公告)号：CN103337453B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310250260.X
申请日：2009-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68785 , Y10T428/24008 , Y10T428/24628
Abstract: 本发明提供一种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，一种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)温度控制底座，所述温度控制底座具有从所述温度控制底座径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；B)一对基板支架，所述一对基板支架包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或C)圆顶形窗。
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公开(公告)号：CN102089859B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200980127210.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马修·F·戴维斯 , 托尔斯特恩·B·莱尔 , 连雷
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67207 , B82Y10/00 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/67069 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于可适性自对准双图案成型的设备及其方法。该方法包含提供基材给处理平台，处理平台配置为执行蚀刻过程和沉积过程；及测量单元，其配置用于真空中临界尺寸(CD)测量。真空中CD测量用于过程序列处理平台的前馈可适性控制，或用于腔室过程参数的反馈与前馈可适性控制。在一个方面中，多层掩模层叠的第一层被蚀刻以形成样板掩模；对样板掩模做真空中CD测量；并且邻接样板掩模形成间隔物，使之达到与样板掩模的CD测量相关的宽度。
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公开(公告)号：CN103346116B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310250118.5
申请日：2009-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68785 , Y10T428/24008 , Y10T428/24628
Abstract: 本发明提供一种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，一种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)温度控制底座，所述温度控制底座具有从所述温度控制底座径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；B)一对基板支架，所述一对基板支架包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或C)圆顶形窗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102160164A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137024.9
申请日：2009-09-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67276 , G05B23/0283
Abstract: 本发明关于一种自我诊断的半导体设备。本发明提供了半导体处理设备的预测性维护的方法与装置。在部分实施例中，一种用于对半导体处理设备进行预测性维护的方法可以包括：在所述设备中未存在衬底的状态下，对所述半导体处理设备进行至少一个自我诊断测试。该自我诊断测试可以包括：从所述半导体处理设备测量一个或多个预测参数和一个或多个响应参数。可以利用预测性模型并根据所测量的预测参数计算一个或多个预期响应参数。可以将一个或多个所测量的响应参数与所述一个或多个预期响应参数相比较。可以根据所述比较来决定是否需要设备维护。
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公开(公告)号：CN105895517A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610266919.4
申请日：2009-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68785 , Y10T428/24008 , Y10T428/24628 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/67011 , H01L2221/67
Abstract: 本发明提供种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)温度控制底座，所述温度控制底座具有从所述温度控制底座径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；B)一对基板支架，所述一对基板支架包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或C)圆顶形窗。
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公开(公告)号：CN103715114B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310739874.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马修·F·戴维斯 , 托尔斯特恩·B·莱尔 , 连雷
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/033 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/67207 , B82Y10/00 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/67069 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请公开了用于可适性自对准双图案成型的基于序列内测量的过程调谐。一种用于可适性自对准双图案成型的设备及其方法。该方法包含提供基材给处理平台，处理平台配置为执行蚀刻过程和沉积过程；及测量单元，其配置用于真空中临界尺寸(CD)测量。真空中CD测量用于过程序列处理平台的前馈可适性控制，或用于腔室过程参数的反馈与前馈可适性控制。在一个方面中，多层掩模层叠的第一层被蚀刻以形成样板掩模；对样板掩模做真空中CD测量；并且邻接样板掩模形成间隔物，使之达到与样板掩模的CD测量相关的宽度。
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公开(公告)号：CN103715114A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310739874.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马修·F·戴维斯 , 托尔斯特恩·B·莱尔 , 连雷
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/033 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/67207 , B82Y10/00 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/67069 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请公开了用于可适性自对准双图案成型的基于序列内测量的过程调谐。一种用于可适性自对准双图案成型的设备及其方法。该方法包含提供基材给处理平台，处理平台配置为执行蚀刻过程和沉积过程；及测量单元，其配置用于真空中临界尺寸(CD)测量。真空中CD测量用于过程序列处理平台的前馈可适性控制，或用于腔室过程参数的反馈与前馈可适性控制。在一个方面中，多层掩模层叠的第一层被蚀刻以形成样板掩模；对样板掩模做真空中CD测量；并且邻接样板掩模形成间隔物，使之达到与样板掩模的CD测量相关的宽度。
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公开(公告)号：CN103337453A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310250260.X
申请日：2009-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68785 , Y10T428/24008 , Y10T428/24628
Abstract: 本发明提供一种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，一种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)温度控制底座，其具有从其径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；B)对基板支架，其包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或C)圆顶形窗。
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