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公开(公告)号：CN109075059B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201680084797.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理腔室的气体分配板组件，在一个实施例，该气体分配板组件包括主体、底板与穿孔面板，该主体由金属材料制成，该底板包含与该主体耦接的硅渗入的金属基质复合物，该穿孔面板包含通过黏接层与底板耦接的硅盘。
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公开(公告)号：CN116325072A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180063672.5
申请日：2021-08-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文公开的实施方式包括一种等离子体加工腔室，所述等离子体加工腔室包括一或多个侧壁。一或多个侧壁内的支撑表面保持工件。沿着一或多个侧壁的第一气体注入器在大致平行于工件表面并且跨过工件表面的第一方向中注入第一气流。沿着与第一气体注入器大致相对的一或多个侧壁的第一泵端口泵送出第一气流。沿着一或多个侧壁的第二气体注入器在大致平行于工件表面并且跨过工件表面的第二方向中注入第二气流。沿着与第二气体注入器大致相对的一或多个侧壁的第二泵端口泵送出第二气流。
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公开(公告)号：CN103402299B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201310264587.2
申请日：2009-04-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 安德鲁·源 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 迈克尔·C·库特内
IPC: H05H1/26 , H01L21/3065
Abstract: 等离子体处理室具有带有整合均流器的下部内衬件。在蚀刻处理中，处理气体会被不均匀地从处理室抽吸，其可导致衬底的不均匀蚀刻。所述整合均流器配置成将使从该室经由下部内衬件排出的处理气体的流动均匀。
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公开(公告)号：CN103337453B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310250260.X
申请日：2009-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67201 , H01L21/68728 , H01L21/68785 , Y10T428/24008 , Y10T428/24628
Abstract: 本发明提供一种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，一种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)温度控制底座，所述温度控制底座具有从所述温度控制底座径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；B)一对基板支架，所述一对基板支架包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或C)圆顶形窗。
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公开(公告)号：CN102860138A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180021201.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32082 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01L21/67069 , Y10T428/13
Abstract: 本发明揭示一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体，该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体。该衬管组件设置在该处理容积内部，该衬管组件包含两个或两个以上狭槽，该狭槽在衬管组件上形成，该狭槽用于提供轴向对称的射频电流路径。该支撑组件支撑基板，以在该腔室主体内部进行处理。本发明使用具有若干对称狭槽的衬管组件，可防止该衬管组件的电磁场产生方位角不对称现象。
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公开(公告)号：CN110603621A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880027286.9
申请日：2018-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 等离子体反应器包括具有提供等离子体腔室的内部空间的腔室主体、将处理气体输送至等离子体腔室的气体分配器、耦接至等离子体腔室以将腔室抽空的泵、用于保持工件的工件支撑件及腔内电极组件，该腔内电极组件包括在等离子体腔室的顶板与工件支撑件之间横向延伸通过等离子体腔室的多个灯丝。每根灯丝包括由圆柱形绝缘外壳围绕的导体。多个灯丝包括第一多数个灯丝及与所述第一多数个灯丝以交替模式排列的第二多数个灯丝。RF电源经配置成将第一RF输入信号施加至第一多数个灯丝。
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公开(公告)号：CN103094045B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201210548948.1
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN107516627A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710702460.2
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103035469B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201210391087.0
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103050362B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210549648.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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