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公开(公告)号：CN117517887A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311393827.9
申请日：2023-10-25
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局 , 武汉大学
IPC: G01R31/12 , G06F18/241 , G06F18/213 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开了一种基于新型半导体材料的便携式紫外放电探测装置和系统。该装置包括氧化稼紫外探头和数据处理模块，其中，氧化稼紫外探头用于检测放电设备电晕产生的紫外光信号，并将紫外光信号转换为电流信号；数据处理模块用于对电流信号进行数据处理得到相应的波形数据，并从处理后数据中提取出故障特征数据，以对故障特征数据进行分类，得到故障类别。本发明无需依赖人工经验，通过智能算法即可实现故障精准分类识别，并且检测效率高，具有一定便携性，可有效降低作业人员检测强度，并可保证作业人员安全。
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公开(公告)号：CN117517888A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311396115.2
申请日：2023-10-25
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局 , 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种紫外光电探测装置，该装置中的紫外探测器用于在检测点发生局部放电或者气体泄漏时产生紫外信号，并将紫外信号转换为电流信号，输入至信号处理模块进行电流电压转换处理、信号放大处理、差分放大处理和模数转换处理，并将处理后的数字信号输入至驱动运算模块，以便驱动运算模块对数字信号进行运算处理得到故障检测结果信息，然后通过控制显示模块控制显示故障检测结果。本发明具有灵敏度高、功耗低、易携带的优点，并可自动准确处理探测信号，且可对作业人员权限进行管控，从而可有效保障设备作业过程中的安全性和可控性。
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公开(公告)号：CN118335842A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410483818.7
申请日：2024-04-22
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/0352 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种适用于放电微量紫外探测的氧化镓薄膜及制备方法和器件，所述制备方法包括控制氧气与惰性气体混合气氛的气流量，在衬底表面依次生长富氧缺陷的氧化镓层和贫氧缺陷的氧化镓层。本发明基于现有的氧化镓薄膜制备工艺，通过控制氧气与惰性气体混合气氛的气流量，构建了富氧缺陷的氧化镓层和贫氧缺陷的氧化镓层，富氧缺陷的氧化镓层可有效提升氧化镓紫外探测器的光暗电流比和探测能力，贫氧缺陷的氧化镓层有利于金属电极与氧化镓层的肖特基接触的形成，从而抑制高暗电流。基于本发明的适用于放电微量紫外探测的氧化镓薄膜的检测器件的光暗电流比明显提高，检测能力明显提升。
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公开(公告)号：CN118448480A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410483814.9
申请日：2024-04-22
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓紫外光电探测器电极结构及其制备方法和应用，所述电极结构由下至上包括在氧化镓表面设置的氧化锌铝薄膜和叉指电极。本发明针对氧化镓材料制备过程粗糙度较大的问题，在氧化镓的表面制备与氧化镓晶格常数适配的氧化锌铝，可以有效减少氧化镓电极层的粗糙度，进一步在氧化锌铝上溅射金属则可以得到表面平整度高的金属电极。基于氧化锌铝较好的透光性以及表面平整度高的叉指电极，由本发明的电极结构构建的紫外光电探测器可以减少入射光能量的散射和反射，并改善界面之间缺陷的捕获现象，从而减少光能损失，增强光电探测的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118905729A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411113510.X
申请日：2024-08-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种半球形金刚石窗口磨抛装置及其磨抛方法。该装置包括：旋转夹持机构，用于固定并控制所述被打磨物体进行转动；研磨颗粒输送机构，通过移动机构驱动，用于向被打磨物体的待打磨表面输送带电的研磨颗粒；电场发生组件，至少包括一移动电极，通过移动机构在待打磨区域产生远离或者靠近被打磨物体的待打磨表面的电场，通过电场驱动研磨颗粒输送至被打磨物体的待打磨表面，在被打磨物体的旋转运动下实现研磨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115889141B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202210908116.X
申请日：2022-07-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种利用二维材料提升金属/绝缘体绝缘性能的方法。采用清洗剂对金属/绝缘体材料进行超声清洗，得到表面干净的金属/绝缘体材料，之后将二维材料利用超声均匀分散于溶剂中获得一定浓度的分散液，然后将分散液均匀涂覆在金属/绝缘体材料表面，自然晾干获得二维材料表面修饰的金属/绝缘体材料。二维材料分散液仅需简单的涂覆方法即可以得到附着力强的稳定涂层。表面修饰后的金属/绝缘体材料表面形成一层致密屏蔽层，削弱材料表面的局部电场来抑制电荷注入，并且表面电荷快速沿面迁移而无法积累并存储在薄层中，使得材料表面电荷积聚较少而且消散较快，极大提升了材料的绝缘电压，在电力电子领域具有极大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114000121B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210003978.8
申请日：2022-01-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MBE法的应变金刚石生长掺杂方法及外延结构。通过MBE法在衬底层上依次外延出渐变缓冲层、驰豫层，最后在弛豫层上外延出应变金刚石层，并通过MBE法进行掺杂。MBE应变金刚石在生长和掺杂过程中，能够较为精确的对渐变缓冲层和驰豫层中的材料进行组分控制，获得原子级平滑的表面，使得驰豫层材料晶格常数大于金刚石材料晶格常数，使得金刚石处于拉应变状态，进而提高金刚石的掺杂效率。
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公开(公告)号：CN114000121A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202210003978.8
申请日：2022-01-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MBE法的应变金刚石生长掺杂方法及外延结构。通过MBE法在衬底层上依次外延出渐变缓冲层、驰豫层，最后在弛豫层上外延出应变金刚石层，并通过MBE法进行掺杂。MBE应变金刚石在生长和掺杂过程中，能够较为精确的对渐变缓冲层和驰豫层中的材料进行组分控制，获得原子级平滑的表面，使得驰豫层材料晶格常数大于金刚石材料晶格常数，使得金刚石处于拉应变状态，进而提高金刚石的掺杂效率。
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公开(公告)号：CN119670519B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510187760.6
申请日：2025-02-20
Applicant: 武汉大学
IPC: G06F30/25 , G06F30/27 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06N3/0499
Abstract: 本发明提供了一种固‑固界面结构全局优化方法及装置、设备及存储介质。包括：生成一个或多个初始固‑固界面构型；采用最小跳跃法对每一个初始固‑固界面构型进行分子动力学模拟，记载分子动力学模拟过程中的固‑固界面构型的结构及其界面能量，形成数据集；根据数据集构建机器学习势函数模型描述固‑固界面构型与界面能量的关系；周期性的采用最小跳跃法对每一个初始固‑固界面构型进行分子动力学模拟，并采用机器学习势函数模型计算每次模拟得到的固‑固界面构型的界面能量，得到多个具备局部能量最小值的固‑固界面构型，在满足迭代次数时，输出得到的具备最小界面能量的固‑固界面构型。
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公开(公告)号：CN117860975B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410011137.0
申请日：2024-01-04
Applicant: 武汉大学
IPC: A61L31/06 , A61B5/268 , A61B5/293 , A61B5/383 , A61B5/37 , A61B5/294 , A61B5/388 , A61B5/00 , A61N1/05 , A61N1/36 , A61L31/04 , A61L31/02 , A61L31/14
Abstract: 本发明提供一种聚乙二醇‑聚对二甲苯柔性神经探针，涉及神经探针技术领域，所述柔性神经探针包括主体和针体，所述主体采用硅，所述针体采用聚对二甲苯，所述针体内部设有一微流通道，所述微流通道中填充有聚乙二醇。本发明通过从探针顶部的微流控制口向微流通道内填充杨氏模量随温度变化的聚乙二醇(PEG)材料，室温时热化PEG填充微流通道，在冷却后PEG在通道中凝固作为柔性针体的中轴，使针体具有一定的机械刚度，便于植入。
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