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公开(公告)号：CN117517887A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311393827.9
申请日：2023-10-25
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局 , 武汉大学
IPC: G01R31/12 , G06F18/241 , G06F18/213 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开了一种基于新型半导体材料的便携式紫外放电探测装置和系统。该装置包括氧化稼紫外探头和数据处理模块，其中，氧化稼紫外探头用于检测放电设备电晕产生的紫外光信号，并将紫外光信号转换为电流信号；数据处理模块用于对电流信号进行数据处理得到相应的波形数据，并从处理后数据中提取出故障特征数据，以对故障特征数据进行分类，得到故障类别。本发明无需依赖人工经验，通过智能算法即可实现故障精准分类识别，并且检测效率高，具有一定便携性，可有效降低作业人员检测强度，并可保证作业人员安全。
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公开(公告)号：CN118186582A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410418964.1
申请日：2024-04-09
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局
Abstract: 本发明涉及半导体器件的技术领域，具体涉及一种采用射频磁控溅射法在金刚石衬底上外延生长β‑Ga2O3薄膜的方法及β‑Ga2O3薄膜，包括以下步骤：选择未掺杂的Ga2O3靶和金刚石分别作为靶材和衬底；加热衬底至一定温度，并在一定生长压强下、惰性气氛中进行溅射沉积，在金刚石衬底表面外延生长β‑Ga2O3薄膜。本发明首次采用射频磁控溅射法在金刚石单晶(111)衬底表面异质外延生长了β‑Ga2O3薄膜，得到了具有单族#imgabs0#晶面的单斜(β相)结构，制备工艺较为简单，薄膜生长质量较好，具有大规模应用的前景。
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公开(公告)号：CN117517888A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311396115.2
申请日：2023-10-25
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局 , 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种紫外光电探测装置，该装置中的紫外探测器用于在检测点发生局部放电或者气体泄漏时产生紫外信号，并将紫外信号转换为电流信号，输入至信号处理模块进行电流电压转换处理、信号放大处理、差分放大处理和模数转换处理，并将处理后的数字信号输入至驱动运算模块，以便驱动运算模块对数字信号进行运算处理得到故障检测结果信息，然后通过控制显示模块控制显示故障检测结果。本发明具有灵敏度高、功耗低、易携带的优点，并可自动准确处理探测信号，且可对作业人员权限进行管控，从而可有效保障设备作业过程中的安全性和可控性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118448480A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410483814.9
申请日：2024-04-22
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓紫外光电探测器电极结构及其制备方法和应用，所述电极结构由下至上包括在氧化镓表面设置的氧化锌铝薄膜和叉指电极。本发明针对氧化镓材料制备过程粗糙度较大的问题，在氧化镓的表面制备与氧化镓晶格常数适配的氧化锌铝，可以有效减少氧化镓电极层的粗糙度，进一步在氧化锌铝上溅射金属则可以得到表面平整度高的金属电极。基于氧化锌铝较好的透光性以及表面平整度高的叉指电极，由本发明的电极结构构建的紫外光电探测器可以减少入射光能量的散射和反射，并改善界面之间缺陷的捕获现象，从而减少光能损失，增强光电探测的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118352426A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410422946.0
申请日：2024-04-09
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局
IPC: H01L31/118 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体公开了一种抗辐射耐极端环境的中子探测器及制备方法，探测器采用异质外延金属氧化物半导体结构，包括自下而上依次设置的背板接触层、碳化硅衬底层、碳化硅缓冲层、碳化硅外延层、氧化镓外延层以及栅极接触层；其中，碳化硅衬底层为n型碳化硅，碳化硅缓冲层为n型无掺杂碳化硅，碳化硅外延层为n型氮元素掺杂碳化硅，背板接触层和栅极接触层均为镍金属。本申请提出一种新型异质外延金属氧化物半导体结构作为中子探测器，相比于常见的中子探测器，本申请不仅表现出优异的辐射响应，而且具有良好的抗辐射、耐极端环境的优点。
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公开(公告)号：CN118688253A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410694114.4
申请日：2024-05-31
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局
IPC: G01N25/72 , G01J5/48 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种耐张线夹压接缺陷发热红外自动检测方法，涉及耐张线夹检测技术领域。检测方法包括：将线路接入直流大电流发生装置，拍摄红外热成像，建立耐张线夹加热仿真模型，对红外图像进行稀疏表示，通过实例分割自动识别压接缺陷，然后通过轮廓跟踪定量化评估压接缺陷。本发明可根据工程实际需要，实现架空输电线路耐张线夹压接缺陷的快速识别和缺陷大小检测，利用红外热成像检测技术自动定量定性地准确评估耐张线夹压接存在的缺陷，解决人为判断和鉴别存在的主观性强，鉴别效率低下，准确率不高的问题，保证输电线路的安全稳定运行。
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公开(公告)号：CN118405844A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410438349.7
申请日：2024-04-12
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局
Abstract: 本发明公开了一种高紫外透光率玻璃及其制备方法，玻璃配方以摩尔百分比计包括，磷酸盐：1.8％～2.2％的NaPO3、7.6％～8.5％的Al(PO3)3、0.6％～1.0％的Sr(PO3)3；氟化物：29.8％～32.5％的AlF3、10.6％～11.8％的SrF2、24.1％～25％的CaF2、10.8％～11.2％的MgF2、10.7％～11.5％的BaF2；玻璃配方中还包括不可避免的杂质Fe、Cu、Pb和Zn，其中，杂质Fe部分或全部以Fe2+存在；杂质Cu部分或全部以Cu+存在；杂质Pb部分或全部以Pb+存在。本发明在玻璃配方中掺入高配比的氟化物，能够有效抑制紫外波段吸收，增加紫外波段透光率；通过优化磷酸盐配比，在不牺牲玻璃材料热稳定性、色散及玻璃物理结构性能的前提下，达到了高紫外透光率。本发明将配方中的杂质Fe、Cu、Pb进行还原处理得到的高紫外透光率玻璃，可以达到实验室用的高纯度级别原料得到氟磷酸盐玻璃相近的效果。
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公开(公告)号：CN118335842A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410483818.7
申请日：2024-04-22
Applicant: 广西电网有限责任公司桂林供电局
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/0352 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种适用于放电微量紫外探测的氧化镓薄膜及制备方法和器件，所述制备方法包括控制氧气与惰性气体混合气氛的气流量，在衬底表面依次生长富氧缺陷的氧化镓层和贫氧缺陷的氧化镓层。本发明基于现有的氧化镓薄膜制备工艺，通过控制氧气与惰性气体混合气氛的气流量，构建了富氧缺陷的氧化镓层和贫氧缺陷的氧化镓层，富氧缺陷的氧化镓层可有效提升氧化镓紫外探测器的光暗电流比和探测能力，贫氧缺陷的氧化镓层有利于金属电极与氧化镓层的肖特基接触的形成，从而抑制高暗电流。基于本发明的适用于放电微量紫外探测的氧化镓薄膜的检测器件的光暗电流比明显提高，检测能力明显提升。
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