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公开(公告)号：CN113821125A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111382106.9
申请日：2021-11-22
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: G06F3/041
Abstract: 本申请涉及触控技术领域，提供了一种触控基板及其制备方法、触控模组和显示装置，该触控基板包括：衬底、导电功能层和第二保护层；导电功能层置于衬底的一侧；导电功能层包括图案化的纳米导电结构、第一保护层和边框引线结构；通过设置两层保护层结构对导电功能层进行保护，其中的第一保护层固定纳米导电层的结构位置并保护导电功能层的部分结构，第二保护层至少完全覆盖位于导电功能区的纳米导电层，可有效防止水汽、灰尘等进入纳米导电层电，提升触摸屏的灵敏度和使用年限；同时该触控基板通过直接将边框引线层设置在纳米导电层的周边区域，使得边框引线直接与纳米导电层接触实现电性连接，节省了制备工艺步骤和成本。
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公开(公告)号：CN114183734B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111663795.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: F21V29/503 , F21V29/51 , F21V29/52 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开一种大功率LED光源系统热管理结构，包括散热结构，散热结构包括均热件和散热件，均热件包括蒸发段、冷凝段、设置在均热件内部的冷凝工质以及设置在均热件内部的不凝性气体，冷凝段与散热件热交换，贮气室，为可变容积腔体结构，设置在冷凝段的端部并与冷凝段的内部连通，容积控制组件，用于使贮气室容积随着大功率LED光源系统的热负载增大而扩大，使贮气室容积随着大功率LED光源系统的热负载减小而缩小。本发明能够根据大功率LED光源系统的热负载的变化，而精准地自动调节散热结构的散热量，从而能够使大功率LED光源系统的温度保持恒定，不会随着热负载的变化而变化，使光源系统具有较高的照度稳定性。
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公开(公告)号：CN114019661A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111483415.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: G02B13/00
Abstract: 本发明的实施例提供了一种投影物镜系统，涉及光学器件技术领域，该投影物镜系统包括沿光路设置第一透镜群组、光阑、第二透镜群组以及分光器，从而构成了物镜系统本体，第一透镜群组的焦距f1与物镜系统本体的焦距f之比在22到23之间，且第二透镜群组的焦距f2与物镜系统本体的焦距f之比在2到3之间。通过对第一透镜群组和第二透镜群组的焦距比例进行限定，使得镜头成像质量更好，具体通过光学设计提高相对孔径值的同时，又能保证成像质量，对亮度有不少的提升。相较于现有技术，本发明结构精简，对物镜系统参数做出有效改进，以达到更小的畸变，更均匀的光场分布，更清晰的画质，同时物镜系统稳定，像差平衡优异，公差合理。
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公开(公告)号：CN113429970A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110685458.5
申请日：2021-06-21
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开一种近紫外LED用高量子产率稀土红光材料及其制备方法，其中，该高量子产率稀土红光材料以Ca8ALu(PO4)7作为基质，将Eu3+作为激活离子，A为Zn或Mg；Eu3+取代基质中0.1～1的Lu3+，得到的通式为Ca8ZnLu1‑x(PO4)7:xEu3+的高量子产率稀土红光材料；或Eu3+和B+一并取代所述基质中0.1～1的Ca2+，得到通式为Ca8‑2yZnLu(PO4)7:yEu3+yB+的高量子产率稀土红光材料，且B离子半径与Ca离子半径差小于30％。得到的高量子产率稀土红光材料在波长为394nm的近紫外芯片的激发下，能够发出峰值在612nm的明亮的红光，且量子产率最高可达0.85。制得的高量子产率稀土红光材料能够与现有的近紫外芯片结合得到发光器件，当将该高量子产率稀土红光材料用于白光LED时，可以得到显色指数高的白光LED。
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公开(公告)号：CN112382665A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011207957.5
申请日：2020-11-03
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓基MOSFET器件，其包括氧化镓基体，所述氧化镓基体包括氧化镓衬底，所述的氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳尺寸的光子晶体孔形成的阵列，所述光子晶体孔内设有高导热率半导体材料，所述高导热率半导体材料为AlN、SiC、金刚石中的一种。本发明在氧化镓衬底的表面上刻蚀微纳尺寸的光子晶体孔阵列，利用具有光子晶体效应的微纳孔结构来调控器件的散热效果，提高辐射带宽和辐射效率，从而提高散热效果。同时，本发明还在光子晶体孔内设置了高导热率半导体材料，进一步提高了器件的导热效率。本发明针对氧化镓导热性差的问题，通过对器件中导热和散热传输路径的双重优化，实现了有效降低器件结温的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114280801B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111635999.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例提供了一种基于自由曲面的均匀照明系统及其设计方法，涉及照明技术领域。基于自由曲面的均匀照明系统包括准直模块、光学积分器和准直扩束系统，准直模块包括双自由曲面准直透镜阵列，准直模块用于接收光源光线，并形成准直光线；光学积分器用于接收准直光线，并形成多个细光束重新混合，且每个细光束范围内的微小不均匀性由于处于对称位置的细光束相互叠加，使细光束的微小不均匀性获得补偿，从而使整个孔径内的光能量得到有效均匀的利用；准直扩束系统用于接收混合后的细光束，并形成均匀照明光斑。采用准直模块、光学积分器和准直扩束系统依次设置，不仅可以形成均匀照明光斑，还能够实现光路紧凑、且满足照明效果。
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公开(公告)号：CN112344307B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202011186746.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: F21V29/502 , F21V29/76 , F21V29/87 , F21V29/89 , F21V19/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开一种散热结构及液体光波导组件，其中，散热结构能够设置在液体光波导上以对液体光波导进行散热，其包括设有容置通道的散热块；和设于容置通道中且与容置通道贴合的散热单元，散热单元还设置成能够贴合在置于容置通道中的液体光波导的外径上；其中，散热块和散热单元均采用热导率高于空气的导热材料制成，且散热块的热导率高于散热单元的热导率。液体光波导的温度可通过散热单元传输给散热块，并最终通过散热块与外界环境进行温度交换实现液体光波导的散热，以避免液体光波导因温度过高而出现液芯失效或光斑缺失的问题；且不会因液体光波导与散热块之间存在空气层而导致该散热结构散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN113258446B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110521495.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: H01S5/40 , H01S5/0225 , H01S5/02253 , H01S5/02255 , H01S5/024
Abstract: 本申请提供了一种激光模组与激光发射器，涉及激光技术领域。该激光模组包括荧光片、透镜组以及多个蓝光二极管，荧光片、荧光片与透镜组均水平设置，多个蓝光二极管环绕设置于荧光片外，相邻两个蓝光二极管之间间隔设置且每个蓝光二极管均朝向透镜组倾斜设置；其中，蓝光二级管用于发出蓝色激光，并通过透镜组将蓝色激光反射并汇聚至荧光片；荧光片用于在部分蓝色激光的激发下生成荧光，另一部分蓝色激光在与荧光混合形成白光射出，荧光的波长大于蓝色激光的波长。本申请提供的激光模组与激光发射器具有出光效率更高、散热效果更好的优点。
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公开(公告)号：CN114280801A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111635999.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例提供了一种基于自由曲面的均匀照明系统及其设计方法，涉及照明技术领域。基于自由曲面的均匀照明系统包括准直模块、光学积分器和准直扩束系统，准直模块包括双自由曲面准直透镜阵列，准直模块用于接收光源光线，并形成准直光线；光学积分器用于接收准直光线，并形成多个细光束重新混合，且每个细光束范围内的微小不均匀性由于处于对称位置的细光束相互叠加，使细光束的微小不均匀性获得补偿，从而使整个孔径内的光能量得到有效均匀的利用；准直扩束系统用于接收混合后的细光束，并形成均匀照明光斑。采用准直模块、光学积分器和准直扩束系统依次设置，不仅可以形成均匀照明光斑，还能够实现光路紧凑、且满足照明效果。
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公开(公告)号：CN114272965B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111612618.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种玻璃基板芯片的制备方法、玻璃基板芯片及应用，涉及玻璃基板芯片技术领域。玻璃基板芯片的制备方法是通过先在基材衬底上形成含铬的硬掩膜层和光刻胶层，通过曝光在光刻胶层上形成目标流道图形，通过对硬掩膜层进行腐蚀以使目标流道图形转移至硬掩膜层上，然后采用第一浓度酸腐蚀液对基材衬底进行多次流道腐蚀并控制腐蚀速率，可以使微反应器深度与进出流道深度差更小，之后采用第二浓度酸腐蚀液进行腐蚀可以对流道粗糙度进行修饰，以获得圆滑平整的流道。通过玻璃基板芯片片制备工艺的改进，可以制备出微反应器深度与进出流道深度差更小、流道圆滑平整、粗糙度低的玻璃基板芯片，而且适合大批量生产，利于市场推广应用。
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