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公开(公告)号:CN119727672A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411766512.9
申请日:2024-12-04
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: H03K5/24
Abstract: 本申请提供了一种迟滞比较器电路及系统,涉及集成电路技术领域,包括:差分比较模块、尾电流偏置模块、自适应分流模块和输出模块。尾电流偏置模块的输出端、差分比较模块的第一端口和自适应分流模块的第二端口均连接于第一节点,差分比较模块的第二端口与输出模块的第二端口连接。当共模输入范围正常时,自适应分流模块关断,尾电流偏置模块输出的偏置电流流向差分比较模块的第一端口。当共模输入范围异常时,自适应分流模块导通,自适应分流模块用于抽取尾电流偏置模块输出的部分偏置电流,以减小流向差分比较模块的第一端口的电流值。确保流向差分比较模块第一端口处的电流受共模电压变化的影响减弱,从而提高迟滞比较器的共模输入范围。
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公开(公告)号:CN119648555A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202510189081.2
申请日:2025-02-20
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: G06T5/60 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06T5/70 , G06V10/42 , G06V10/44 , G06V10/80
Abstract: 本发明公开一种关键尺寸扫描电子显微镜图像处理方法及电子设备,方法包括采用预先训练好的图像处理模型对输入图像进行处理,得到优化图像;预先训练好的图像处理模型包括去噪分支和边缘增强分支,两个分支均基于U‑Net网络架构构成,去噪分支包括依次连接的第一编码器模块和第一解码器模块,第一编码器模块和第一解码器模块均采用SC block模块来提取图像的局部和全局特征;边缘增强分支包括边缘信息提取模块、依次连接的第二编码器模块和第二解码器模块;还包括特征融合模块,用于将第一编码器模块和第二编码器模块的各级输出融合以作为第一编码器模块的各级输入。与传统的图像去噪算法相比,该算法在去噪的同时解决了图像过度平滑导致的边缘模糊问题。
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公开(公告)号:CN119533530A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411532389.4
申请日:2024-10-30
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种正余弦角度转码跟踪转换器及电子设备,跟踪模块根据外部输入的正弦电压和余弦电压进行跟踪处理,以向正余弦信号校正单元输出正弦编码和余弦编码;正余弦信号校正单元根据温度传感器传输的当前温度、正弦编码以及余弦编码生成正弦校正信号和余弦校正信号,并将正弦校正信号和余弦校正信号传输给转换单元;转换单元根据正弦校正信号和余弦校正信号生成角度输出编码。跟踪模块内部设置有闭合反馈回路,以使正弦编码和余弦编码可以跟随正弦电压和余弦电压进行变化,从而降低转换误差,从而保障最终转换结果的准确性。
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公开(公告)号:CN118248651B
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202410349053.8
申请日:2024-03-25
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种双面叠层扇出封装器件及其制备方法,封装器件包括带有贯通孔的基板;叠层堆叠的芯片;包封材料层;位于包封材料层上的再布线层;第一导电结构,位于第一表面上的芯片通过第一导电结构与再布线层电气连通;贯穿基板厚度方向的第二导电结构,第二导电结构的至少部分部段设置在基板的至少部分贯通孔中,且第二导电结构将基板的第一表面和第二表面的再布线层电气连通。本发明实施例的方案通过设置在基板上的第二导电结构将基板两个表面上贴装的芯片电连接,其与TSV封装工艺相比,避免了在芯片上制作硅通孔,降低了封装成本,且能够有效提高封装良率,与引线键合封装工艺相比,避免了通过载板和引线进行芯片互连,提高了传输效率。
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公开(公告)号:CN118868913A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410943962.4
申请日:2024-07-15
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03F3/45 , H03K3/037 , H02M1/088 , H02M3/158
Abstract: 本发明涉及电子技术领域,提供一种电平移位器、半桥转换电路和电子设备,电平移位器包括输入模块、共模电流抑制模块和输出模块;共模电流抑制模块的第一端和第二端与输入模块电连接,共模电流抑制模块的第三端和第四端与输出模块电连接;输入模块用于根据输入信号生成差模信号,并将差模信号传输至共模电流抑制模块;共模电流抑制模块用于根据差模信号生成第一电压信号和第二电压信号,并对第一电压信号和第二电压信号进行干扰电流抑制处理,得到第三电压信号和第四电压信号且传输至输出模块;输出模块用于对第三电压信号和第四电压信号进行处理后输出。通过共模电流抑制模块抑制干扰电流,从而确保电平移位器正常工作,提升了电平移位器的性能。
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公开(公告)号:CN113490394B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202110715828.5
申请日:2021-06-24
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种叶脉仿生微通道耦合射流换热系统,包括依次叠压连接的盖板、射流板和微通道板。本发明的叶脉仿生微通道耦合射流换热系统通过仿生植物叶脉网络结构,有效提高了换热系统内流体的分配均匀程度,使得冷媒能够快速、均匀地进入和排出换热系统,从而大大提升了换热系统整体的冷却和均温效果。
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公开(公告)号:CN118825160A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410886259.4
申请日:2024-07-03
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开一种可剥离深紫外LED芯片结构及其制备方法和剥离方法及深紫外LED薄膜芯片,其中,可剥离深紫外LED芯片结构在衬底模板和有源区之间设置有牺牲层和AlN阻挡层,且牺牲层位于衬底模板与AlN阻挡层之间。由于Si掺杂AlN的激活能很高,导致即使在较重的Si掺杂浓度下,AlN薄膜也是绝缘的,因此,能够保证牺牲层和电子注入层均具有较高的电子浓度,从而,保证牺牲层与阻挡层之间的界面在经历电化学腐蚀处理之后的平整度,避免有源区中的电子注入层因导电而被腐蚀的问题,以及避免造成该可剥离深紫外LED芯片结构做成器件之后电压过高、接触电阻过大、光源效率低等问题。
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公开(公告)号:CN118231546A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410368343.7
申请日:2024-03-28
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
Abstract: 本申请提供了一种高性能垂直结构深紫外LED器件及制备方法,涉及半导体技术领域。该器件自上到下依次包括:N电极、至少一个环状外延结构、P电极、金属键合层和导电衬底。环状外延结构自上到下依次包括:N型AlGaN层、深紫外多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层。其中,N型AlGaN层的上表面嵌设有一层间隔设置的椭圆体型二氧化硅小球。环状外延结构还包括孔洞,孔洞从P型GaN层延伸至N型AlGaN层,且孔洞的底部不与椭圆体型二氧化硅小球接触。本申请提供的高性能垂直结构深紫外LED器件及制备方法不仅能够改善深紫外LED晶体质量与电流分布,提高器件的光提取效率以及发光效率,还能实现大功率发射。
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公开(公告)号:CN118144341A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410285102.6
申请日:2024-03-13
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
Abstract: 本申请提供了一种自由曲面匀光透镜及其制备方法,涉及透镜技术领域。该方法包括如下步骤:基于自由曲面透镜本体的表面,制备与自由曲面透镜本体形状相匹配的成型模具;其中,自由曲面透镜本体位于成型模具的内部,且成型模具上设有开口。将基质材料和散射颗粒材料均匀混合,得到匀光混合液;其中,散射颗粒材料均匀分布于基质材料内,且基质材料用于与自由曲面透镜本体的表面胶合,散射颗粒材料用于对入射光线进行多重散射。将匀光混合液注入成型模具中,待匀光混合液固化后,去掉成型模具,得到自由曲面匀光透镜。本申请提供的自由曲面匀光透镜及其制备方法能够在不损耗透镜的前提下,提高自由曲面透镜的匀光效果。
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公开(公告)号:CN114267764B
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202111617412.6
申请日:2021-12-27
Applicant: 广东省科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开一种高出光效率的深紫外LED及其制备方法,其中,高出光效率的深紫外LED包括深紫外倒装LED;设置在深紫外倒装LED的蓝宝石衬底的出光面上的介质层,介质层采用硬度比蓝宝石低的材质制成,且介质层的出光面为经过粗化处理的出光面。本发明虽然在深紫外倒装LED上增设介质层,增加了深紫外倒装LED的厚度,但是,由于增设的介质层设在蓝宝石衬底的出光面上,且介质层的出光面经过粗化处理,使得深紫外倒装LED即使厚度增大,其出光效率也能够得到进一步提高;而且,由于介质层的硬度比蓝宝石低,其粗化难度和成本均得到降低。
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