公开(公告)号：CN118742046A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411013756.X

申请日：2024-07-26

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 蒋艳平 ,  苏永俊 ,  冯健豪 ,  唐佳宇 ,  童志亮 ,  黄旻 ,  唐新桂 ,  刘秋香 ,  唐振华

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本申请属于存储器件技术领域，尤其涉及一种叠层结构的氧化铪基电阻式存储器及制备方法和应用；本申请提供的电阻式存储器通过改进第一、第二电极之间的阻变薄膜材料，使用叠层结构的掺杂镧的第一氧化铪薄膜/氧化锆薄膜/掺杂镧的第二氧化铪薄膜作为阻变复合薄膜，在阻变复合薄膜中插入了介电常数更低的氧化锆薄膜，使得氧离子更倾向于从阻变层中迁移出来，从而在阻变层内形成更多的氧空位，进而更好地控制导电细丝的形成和断裂，提高电阻式存储器的开关比的性能，从而解决现有技术中基于氧化铪的电阻式存储器的性能不高的技术问题。