公开(公告)号：CN118742046A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411013756.X

申请日：2024-07-26

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 蒋艳平 ,  苏永俊 ,  冯健豪 ,  唐佳宇 ,  童志亮 ,  黄旻 ,  唐新桂 ,  刘秋香 ,  唐振华

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本申请属于存储器件技术领域，尤其涉及一种叠层结构的氧化铪基电阻式存储器及制备方法和应用；本申请提供的电阻式存储器通过改进第一、第二电极之间的阻变薄膜材料，使用叠层结构的掺杂镧的第一氧化铪薄膜/氧化锆薄膜/掺杂镧的第二氧化铪薄膜作为阻变复合薄膜，在阻变复合薄膜中插入了介电常数更低的氧化锆薄膜，使得氧离子更倾向于从阻变层中迁移出来，从而在阻变层内形成更多的氧空位，进而更好地控制导电细丝的形成和断裂，提高电阻式存储器的开关比的性能，从而解决现有技术中基于氧化铪的电阻式存储器的性能不高的技术问题。

公开(公告)号：CN118510286A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410723475.7

申请日：2024-06-05

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 蒋艳平 ,  唐佳宇 ,  刘秋香 ,  唐新桂 ,  郭晓斌 ,  冯健豪

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种叠层结构的氧化铪基阻变存储器及其制备方法和应用，其中叠层结构的氧化铪基阻变存储器包括基底层、第一顶电极、第二顶电极、阻变层和底电极层，阻变层包括第二氧化物层以及两层分别设置于第二氧化物层两侧表面的第一氧化物层，第一氧化物层为掺杂铈的氧化铪薄膜，其内存在+3价的铈离子与+4价的铪离子形成异价掺杂，可形成更多的氧空位，促进形成更稳定的导电细丝，而第二氧化物层为氧空位浓度与第一氧化物层不同的氧化物薄膜，同时第一氧化物层和第二氧化物层之间可发生界面扩散，有助于氧空位的交换，提高了阻变存储器的开关比，使阻变存储器的存储性能得到提升。