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公开(公告)号：CN109400167B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201811196408.5
申请日：2018-10-15
Applicant: 广东工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B37/00 , F28F21/04
Abstract: 本发明属于非氧化物陶瓷连接技术领域，公开了一种具有致密连接层的SiC陶瓷及其制备方法和应用，该陶瓷是将连接材料聚碳硅烷和硅粉，加入溶剂和球磨介质混合，干燥后得到混合粉体；再将混合粉体与无水乙醇混合，经超声分散制备得到浆料，将浆料均匀涂抹于连接母材SiC陶瓷表面，在真空或者氮气下，先升温至1000～1300℃并保温Ⅰ；然后在氮气下升温至1400～1500℃并保温Ⅱ进行连接制得。通过往聚碳硅烷加入硅粉作为填料，在连接过程中利用硅粉氮化体积膨胀的优势弥补前驱体连接体积収缩的缺陷，实现了SiC陶瓷的连接，最终获得具有致密连接层的SiC连接件，SiC陶瓷的连接层的漏率为0～1×10‑5Pa·L/s。
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公开(公告)号：CN109437910B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201811371797.0
申请日：2018-11-15
Applicant: 广东工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/626 , G21C3/07
Abstract: 本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种纳米浸渍瞬态共晶相连接SiC陶瓷的方法。该方法是将SiC粉体和Al2O3‑MxOy的混合粉体A作为连接材料，所述MxOy＝Ho2O3或CeO2，将混合粉体A加入溶剂和球磨介质混合干燥后将所得混合粉体B进行造粒的粉体铺展在两块抛光后的SiC中间形成三明治结构；再进行冷等静压处理，在真空或气氛保护下，加压0.01～0.1MPa，先升温至600～1000℃保温Ⅰ，再升温至1450～1600℃保温Ⅱ，保温压力为200～500MPa，进行连接制得纳米浸渍瞬态共晶相连接的SiC陶瓷。本发明实现SiC陶瓷的低温低压连接，连接处的漏率达到0～1×10‑8Pa·L/s。
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公开(公告)号：CN108658607A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810474295.4
申请日：2018-05-17
Applicant: 广东工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/584 , B33Y70/00
Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种新型陶瓷浆料及其制备的陶瓷和应用。所述陶瓷浆料是将陶瓷颗粒与分散剂混合，获得改性陶瓷颗粒，烘干，造粒，得到陶瓷粉体；将陶瓷粉体、光敏树脂和溶解液进行球磨混合，经过除泡制得。该陶瓷浆料具有高固含量且保持低黏度、流动性好，陶瓷打印设比无需设置刮刀，简化了工艺，极大降低设备成本。解决了陶瓷浆料打印过程中固含量太低以及黏度过高的问题。树脂在溶解液中溶解便于浆料收集，节省了原料成本。最终脱脂、烧结制备具有优异性能的复杂形状陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN108293431B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201810089138.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 广东工业大学
IPC: A01D46/247
Abstract: 本发明公开一种适用于水果采摘的剪切装置，包括剪切机构、夹紧机构、基座和支撑杆，夹紧机构包括第一夹紧杆和第二夹紧杆，第一夹紧杆和第二夹紧杆均可转动地设置于基座上且同步转动，剪切机构的剪切刀可转动地设置于第二夹紧杆内，基座设置于支撑杆顶端，夹紧机构的第一滑块和剪切机构的第二滑块均可滑动设置于支撑杆上，且第一滑块带动第一夹紧杆定轴转动，第二滑块带动剪切刀定轴转动。本发明提供的剪切装置的剪切机构和夹紧机构利用曲柄滑块原理，实现作业人员的一次操作中完成对水果枝梗的夹紧和剪切，操作简单，效率高，大大降低了作业人员的劳作力度。
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公开(公告)号：CN109369208A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811289729.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于非氧化物陶瓷连接领域，公开了一种碳化硅连接用钎料及其制备方法和应用。该钎料是由质量百分比40～99％、40～99％和1～20％的Nb粉、Ta粉和Cr粉混合制备而成。连接应用时是将钎料混合制备浆料，将碳化硅表面进行抛光去除表面的杂质，将浆料均匀的涂在碳化硅抛光面，并将其放入热处理炉中进行连接。Nb与Ta具有相似的性能，并且热膨胀系数为7.5×10-6/K，与SiC陶瓷的热膨胀系数(4.7×10-6/K)比较接近，所以Ta/Nb作为中间层，可以改善接头热应力的分布，同时，金属Cr粉的加入可以提高连接层的抗腐蚀性，并且其热膨胀系数6.5×10-6/K与SiC陶瓷的热膨胀系数也比较接近。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108207325A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810089679.4
申请日：2018-01-30
Applicant: 广东工业大学
IPC: A01D46/247
Abstract: 本发明公开一种水果采摘装置，包括剪切机构、夹紧机构、框架、支撑杆、弹性组件和调节组件，夹紧机构可转动地设置于框架上，剪切机构的剪切刀与夹紧机构转动连接，框架固定设置于支撑杆顶端，剪切机构的内滑块嵌于夹紧机构的外滑块内，弹性组件套装于支撑杆上、用于将内滑块抵接于外滑块顶部空腔内，外滑块可滑动地设置于支撑杆上，调节组件设置于外滑块底部、用于调节弹性组件的预压缩量。本发明提供的水果采摘装置，水果枝梗固定好之后，在对水果枝梗进行剪切过程中，通过向下拉动内滑块压缩弹簧，使弹簧对外滑块形成一个向下的压力，使外滑块继续向下移动，从而带动夹紧机构继续向水果枝梗施加更大的加持力，保证剪切过程顺利完成。
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公开(公告)号：CN107263860A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710707244.7
申请日：2017-08-17
Applicant: 广东工业大学
IPC: B29C64/118 , B29C64/227 , B33Y30/00
CPC classification number: B33Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种桌面级3D打印机，包括封装外壳，所述封装外壳内设置有运动机构和设置在所述运动机构上的打印头，所述封装外壳为箱型结构，所述箱型结构的两侧板上均设置有用于对所述运动机构沿X轴方向运动形成避让的第一避让口，所述箱型结构的顶板上设置有用于对所述运动机构沿Z轴方向运动形成避让的第二避让口。相比于传统的桌面级3D打印机，等体积的封装外壳的前提下，上述桌面级3D打印机大大提高桌面级3D打印机打印空间占比，从而缩小打印机整机的体积。
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公开(公告)号：CN108713394B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201810879009.2
申请日：2018-08-03
Applicant: 广东工业大学
IPC: A01D46/247
Abstract: 本发明公开了一种水果采摘器，包括：支撑杆、夹紧机构、剪切机构、第一销钉、第二销钉和套筒；所述夹紧机构和所述剪切机构可转动地设置于所述支撑杆顶端；所述套筒可转动地套接于所述支撑杆上；所述支撑杆上开设有非水平的第一凹槽和第二凹槽；所述套筒上开设有与所述第一凹槽交叠设置的第三凹槽，和与所述第二凹槽交叠设置的第四凹槽；所述第一凹槽与所述第三凹槽的相交处非固定设置有所述第一销钉，所述第二凹槽与所述第四凹槽的相交处非固定设置有所述第二销钉；所述第一销钉和所述夹紧机构固定连接；所述第二销钉和所述剪切机构固定连接。解决了现有采摘器采摘水果时，因无剪切水果时的夹紧功能，使得采摘水果时效率低下的技术问题。
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公开(公告)号：CN109437910A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811371797.0
申请日：2018-11-15
Applicant: 广东工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/626 , G21C3/07
Abstract: 本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种纳米浸渍瞬态共晶相连接SiC陶瓷的方法。该方法是将SiC粉体和Al2O3-MxOy的混合粉体A作为连接材料，所述MxOy＝Ho2O3或CeO2，将混合粉体A加入溶剂和球磨介质混合干燥后将所得混合粉体B进行造粒的粉体铺展在两块抛光后的SiC中间形成三明治结构；再进行冷等静压处理，在真空或气氛保护下，加压0.01～0.1MPa，先升温至600～1000℃保温Ⅰ，再升温至1450～1600℃保温Ⅱ，保温压力为200～500MPa，进行连接制得纳米浸渍瞬态共晶相连接的SiC陶瓷。本发明实现SiC陶瓷的低温低压连接，连接处的漏率达到0～1×10-8Pa·L/s。
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公开(公告)号：CN109400167A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811196408.5
申请日：2018-10-15
Applicant: 广东工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B37/00 , F28F21/04
Abstract: 本发明属于非氧化物陶瓷连接技术领域，公开了一种具有致密连接层的SiC陶瓷及其制备方法和应用，该陶瓷是将连接材料聚碳硅烷和硅粉，加入溶剂和球磨介质混合，干燥后得到混合粉体；再将混合粉体与无水乙醇混合，经超声分散制备得到浆料，将浆料均匀涂抹于连接母材SiC陶瓷表面，在真空或者氮气下，先升温至1000～1300℃并保温Ⅰ；然后在氮气下升温至1400～1500℃并保温Ⅱ进行连接制得。通过往聚碳硅烷加入硅粉作为填料，在连接过程中利用硅粉氮化体积膨胀的优势弥补前驱体连接体积収缩的缺陷，实现了SiC陶瓷的连接，最终获得具有致密连接层的SiC连接件，SiC陶瓷的连接层的漏率为0～1×10-5Pa·L/s。
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