公开(公告)号：CN119263649B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411793698.7

申请日：2024-12-09

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 吴华林 ,  郭弋瑄 ,  谭海婷 ,  张梓敏 ,  温浩鑫 ,  周港笙 ,  李昊 ,  邱熙杰 ,  鄞添舟 ,  黄少铭

IPC: C03C17/42 ,  H10K71/12 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K30/88 ,  H10K71/40 ,  H10K85/50 ,  C07C51/41 ,  C07C59/08 ,  C07D233/61

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种以乳酸质子化咪唑盐修饰电子传输层作为形核模板诱导生长针状立体蓬松碘化铅的两步法钙钛矿形核界面的制备方法及应用。具体是将乳酸质子化咪唑盐溶液旋涂于SnO2层上经退火得到形核诱导模板；随后在其表面旋涂碘化铅溶液，经退火得针状立体蓬松碘化铅复合形核界面。该方法创新性的将乳酸质子化咪唑盐作为碘化铅形核位点，所诱导形成的针状立体蓬松碘化铅复合界面具备显著增强的浸润性和疏水性，其一方面革命性的提升两步法钙钛矿薄膜结晶性，即有效提升了第二步有机混合溶液的浸润性使钙钛矿晶体充分形核和生长；另一方面其强疏水性有利于在空气中制备高质量钙钛矿薄膜，并大幅提高薄膜及器件稳定性。

公开(公告)号：CN119263649A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411793698.7

申请日：2024-12-09

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 吴华林 ,  郭弋瑄 ,  谭海婷 ,  张梓敏 ,  温浩鑫 ,  周港笙 ,  李昊 ,  邱熙杰 ,  鄞添舟 ,  黄少铭

IPC: C03C17/42 ,  H10K71/12 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K30/88 ,  H10K71/40 ,  H10K85/50 ,  C07C51/41 ,  C07C59/08 ,  C07D233/61

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种以乳酸质子化咪唑盐修饰电子传输层作为形核模板诱导生长针状立体蓬松碘化铅的两步法钙钛矿形核界面的制备方法及应用。具体是将乳酸质子化咪唑盐溶液旋涂于SnO2层上经退火得到形核诱导模板；随后在其表面旋涂碘化铅溶液，经退火得针状立体蓬松碘化铅复合形核界面。该方法创新性的将乳酸质子化咪唑盐作为碘化铅形核位点，所诱导形成的针状立体蓬松碘化铅复合界面具备显著增强的浸润性和疏水性，其一方面革命性的提升两步法钙钛矿薄膜结晶性，即有效提升了第二步有机混合溶液的浸润性使钙钛矿晶体充分形核和生长；另一方面其强疏水性有利于在空气中制备高质量钙钛矿薄膜，并大幅提高薄膜及器件稳定性。