公开(公告)号：CN108085518A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711391555.3

申请日：2017-12-21

Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司

Inventor： 何志达 ,  谭继军 ,  朱刘

IPC: C22B58/00 ,  C22B9/02

CPC classification number: Y02P10/234 ,  Y02P10/253 ,  C22B58/00 ,  C22B9/02

Abstract: 本发明提供了一种真空蒸馏设备，包括石英管，所述石英管分为加热段和冷却段；所述加热段的外部设置有感应加热线圈；所述加热段内设置有石墨舟，石墨舟外部环绕有石墨加热环，所述石墨加热环与石英管的内壁之间设置有保温石墨碳毡；所述冷却段内设置有石英盛料器；所述石墨舟和石英盛料器之间通过石墨导料环连接。本发明还提供了一种超高纯铟的制备方法，本发明主要采用两段真空蒸馏和定向凝固联用的方式制备超高纯铟，其中真空蒸馏为中频感应加热方式以及自行设计的独特蒸馏装置，蒸馏分为高温真空蒸馏和低温真空蒸馏前后两步，低温真空蒸馏产品再采用定向凝固的方式进一步提纯。

公开(公告)号：CN108118392A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711391404.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司

Inventor： 何志达 ,  谭继军 ,  朱刘

IPC: C30B29/02 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明提供一种静态结晶装置，包括冷却循环水槽和安装在所述冷却循环水槽内的结晶槽；所述结晶槽包括槽体和槽盖；所述槽盖上设置有红外温控装置；所述槽体底部设置有空腔，空腔上方设置有籽晶座；所述空腔设置有进水口和出水口，分别与籽晶冷却循环进水管和籽晶冷却循环出水管连接，所述空腔内设置有籽晶控温热电偶；所述冷却循环水槽的底部设置有进水口，所述冷却循环水槽的槽壁顶端设置有回水口。本发明中静态结晶装置的结构和温控装置的设计能够保证结晶槽内镓熔体和籽晶温度的高度均匀性，保证结晶自下而上以近乎一个平面的方式生长，保证杂质的含量的均匀梯度分布，获得超高纯镓产品。本发明还提供了一种超高纯镓的制备方法。

公开(公告)号：CN112374474A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011267998.3

申请日：2020-11-13

Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司

Inventor： 陈伟杰 ,  白平平 ,  朱刘 ,  周铁军 ,  何志达 ,  危严 ,  林嘉威 ,  王帮琼

IPC: C01B25/043 ,  C22B30/04

Abstract: 本发明提供了一种致密超高纯材料的制备方法，与现有的红磷/砷生产提纯工艺相比，本发明中的整个转化过程在密闭的石英管内进行，避免环境对产品的影响，通过精确控制高低温区温度，使得高温区非致密的砷/磷颗粒以气态形式迁移至低温区后凝华、成核、生长得出致密的砷或磷，而高沸点杂质元素仍然留在高温区，实现砷/磷的第一步提纯。降温末期，控制致密砷或磷区域温度始终高于其他区域，使低沸点的Cl、S等杂质元素在另一端冷凝，实现砷/磷的第二步提纯。

公开(公告)号：CN110004308A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910382045.2

申请日：2019-05-09

Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司

Inventor： 刘留 ,  曾小东 ,  郭金伯 ,  朱刘 ,  何志达 ,  陈昭龙

IPC: C22B30/04

Abstract: 本发明涉及一种高纯砷的除杂方法，其包括如下步骤：S1、石英管预处理；S2、表层砷挥发；S3、破碎、筛分；S4、深度除杂。本方法利用砷在真空条件下可以升华的特性，提供一种高纯砷除Si、S、Na、Mg、Fe、Zn杂质元素的方法，此方法操作简单、除杂彻底、无污染、效率高、易于规模化生产、生产成本低。处理后的产品纯度可以达到7.5N以上，Si含量小于10ppb，S、Na、Mg、Fe、Zn含量均小于2ppb，达到MBE源的使用要求。

公开(公告)号：CN110004308B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201910382045.2

申请日：2019-05-09

Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司

Inventor： 刘留 ,  曾小东 ,  郭金伯 ,  朱刘 ,  何志达 ,  陈昭龙

IPC: C22B30/04

Abstract: 本发明涉及一种高纯砷的除杂方法，其包括如下步骤：S1、石英管预处理；S2、表层砷挥发；S3、破碎、筛分；S4、深度除杂。本方法利用砷在真空条件下可以升华的特性，提供一种高纯砷除Si、S、Na、Mg、Fe、Zn杂质元素的方法，此方法操作简单、除杂彻底、无污染、效率高、易于规模化生产、生产成本低。处理后的产品纯度可以达到7.5N以上，Si含量小于10ppb，S、Na、Mg、Fe、Zn含量均小于2ppb，达到MBE源的使用要求。

公开(公告)号：CN108085518B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201711391555.3

申请日：2017-12-21

Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司

Inventor： 何志达 ,  谭继军 ,  朱刘

IPC: C22B58/00 ,  C22B9/02

Abstract: 本发明提供了一种真空蒸馏设备，包括石英管，所述石英管分为加热段和冷却段；所述加热段的外部设置有感应加热线圈；所述加热段内设置有石墨舟，石墨舟外部环绕有石墨加热环，所述石墨加热环与石英管的内壁之间设置有保温石墨碳毡；所述冷却段内设置有石英盛料器；所述石墨舟和石英盛料器之间通过石墨导料环连接。本发明还提供了一种超高纯铟的制备方法，本发明主要采用两段真空蒸馏和定向凝固联用的方式制备超高纯铟，其中真空蒸馏为中频感应加热方式以及自行设计的独特蒸馏装置，蒸馏分为高温真空蒸馏和低温真空蒸馏前后两步，低温真空蒸馏产品再采用定向凝固的方式进一步提纯。