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公开(公告)号：CN103548158A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024069.7
申请日：2012-04-03
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L33/38 , H01L21/205 , H01L21/306
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发光元件的制造方法以及使用该方法制造的发光元件，在制造发光元件时，不会因为形成设置于单晶衬底上的纵孔而对发光元件层造成损坏；在该发光元件的制造方法中，经过下述工序来制造发光元件(80)，该工序是指：在发光元件用单晶衬底(30A)的一面(32T)上形成发光元件层(40)；接着，对发光元件用单晶衬底(30A)的另一面(32B)进行研磨，直到成为纵孔(34A)沿厚度方向贯穿发光元件用单晶衬底(30A)的状态为止；接着，通过从纵孔(34B)的另一面(32B)的开口部(36B)侧向纵孔(34B)内填充导电性材料，从而形成从发光元件层(40)侧延续至另一面(32B)的开口部(36B)为止的导电部(50)。
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公开(公告)号：CN102763192A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180008801.7
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , C30B33/04 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02686 , H01L21/02691
Abstract: 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。
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公开(公告)号：CN102770940B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180009701.6
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/20 , C30B29/20 , C30B33/02 , H01L21/268
CPC classification number: H01L23/564 , C30B29/20 , C30B33/02 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L29/045 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的带多层膜的单晶衬底、带多层膜的单晶衬底的制造方法以及使用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；该带多层膜的单晶衬底，包括单晶衬底(20)和形成于单晶衬底(20)一面上的具有两个以上的层且具有压缩应力的多层膜(30)，并且，在单晶衬底(20)的厚度方向上将单晶衬底(20)进行二等分而得到的两个区域(20U、20D)中，至少在单晶衬底(20)的与形成有多层膜(30)的面侧为相反侧的面侧的区域(20D)内设有热改性层(22)。
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公开(公告)号：CN102753737A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180009519.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: C30B29/20 , B23K26/40 , C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L33/00
CPC classification number: C30B33/04 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2103/56 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L31/184 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供具有任意的翘曲形状和/或翘曲量的外延生长用内部改性衬底、使用该外延生长用内部改性衬底的带多层膜的内部改性衬底、半导体器件及半导体块状衬底、以及它们的制造方法；该外延生长用内部改性衬底包含单晶衬底和通过对单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底的内部的热改性层而构成。
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公开(公告)号：CN102763192B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180008801.7
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , C30B33/04 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02686 , H01L21/02691
Abstract: 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102272891A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154399.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
CPC classification number: C30B29/20 , C30B25/186 , C30B29/403 , C30B33/04 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02686
Abstract: 本发明提供蓝宝石衬底和使用其制造的氮化物半导体层成膜体、氮化物半导体器件、氮化物半导体块状衬底以及它们的制造方法，蓝宝石衬底主要是氮化物半导体层的外延生长用蓝宝石衬底，能够有效地精密地控制衬底的翘曲形状和/或翘曲量，且能够抑制成膜中产生的衬底的翘曲从而减小衬底的翘曲行为；在蓝宝石衬底的内部，透过上述蓝宝石衬底的磨光面侧而将脉冲激光会聚并进行扫描，从而利用基于上述脉冲激光的多光子吸收形成改性区域图形，而控制蓝宝石衬底的翘曲形状和/或翘曲量；使用通过本发明得到的蓝宝石衬底形成氮化物半导体层的话，由于能够抑制成膜中的衬底的翘曲而减小衬底的翘曲行为，因此膜的质量和均匀性提高，从而能够提高氮化物半导体器件的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN103548158B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201280024069.7
申请日：2012-04-03
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L33/38 , H01L21/205 , H01L21/306
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发光元件的制造方法以及使用该方法制造的发光元件，在制造发光元件时，不会因为形成设置于单晶衬底上的纵孔而对发光元件层造成损坏；在该发光元件的制造方法中，经过下述工序来制造发光元件(80)，该工序是指：在发光元件用单晶衬底(30A)的一面(32T)上形成发光元件层(40)；接着，对发光元件用单晶衬底(30A)的另一面(32B)进行研磨，直到成为纵孔(34A)沿厚度方向贯穿发光元件用单晶衬底(30A)的状态为止；接着，通过从纵孔(34B)的另一面(32B)的开口部(36B)侧向纵孔(34B)内填充导电性材料，从而形成从发光元件层(40)侧延续至另一面(32B)的开口部(36B)为止的导电部(50)。
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公开(公告)号：CN102753737B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180009519.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/268
CPC classification number: C30B33/04 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2103/56 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L31/184 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供具有任意的翘曲形状和/或翘曲量的外延生长用内部改性衬底、使用该外延生长用内部改性衬底的带多层膜的内部改性衬底、半导体器件及半导体块状衬底、以及它们的制造方法；该外延生长用内部改性衬底包含单晶衬底和通过对单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底的内部的热改性层而构成。
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公开(公告)号：CN102272891B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN200980154399.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
CPC classification number: C30B29/20 , C30B25/186 , C30B29/403 , C30B33/04 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02686
Abstract: 本发明提供蓝宝石衬底和使用其制造的氮化物半导体层成膜体、氮化物半导体器件、氮化物半导体块状衬底以及它们的制造方法，蓝宝石衬底主要是氮化物半导体层的外延生长用蓝宝石衬底，能够有效地精密地控制衬底的翘曲形状和/或翘曲量，且能够抑制成膜中产生的衬底的翘曲从而减小衬底的翘曲行为；在蓝宝石衬底的内部，透过上述蓝宝石衬底的磨光面侧而将脉冲激光会聚并进行扫描，从而利用基于上述脉冲激光的多光子吸收形成改性区域图形，而控制蓝宝石衬底的翘曲形状和/或翘曲量；使用通过本发明得到的蓝宝石衬底形成氮化物半导体层的话，由于能够抑制成膜中的衬底的翘曲而减小衬底的翘曲行为，因此膜的质量和均匀性提高，从而能够提高氮化物半导体器件的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN102792420A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011562.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/20 , C30B29/20 , C30B33/02 , H01L21/268
CPC classification number: C30B33/04 , H01L21/268 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供的单晶衬底、单晶衬底的制造方法、使用该单晶衬底的带多层膜的单晶衬底的制造方法以及利用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；在由第一区域(10D)和第二区域(10U)构成的两个区域中的任意一个区域内设有热改性层，并且，设有热改性层的区域的面侧翘曲成凸状，其中，第一区域(10D)和第二区域(10U)是在衬底的厚度方向上进行二等分而得到的。
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