公开(公告)号：CN116864689A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310843119.4

申请日：2023-07-11

Applicant: 常州大学

Inventor： 秦立光 ,  郭昶 ,  杨海涛 ,  孙尚琪 ,  陈景翼 ,  李栋强

IPC: H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  D01F6/48 ,  D01F1/09 ,  D01F1/10 ,  D04H1/728 ,  D01D5/00

Abstract: 本发明公开了一种锂电池界面缓冲层及其制备方法，界面缓冲层由以下重量份原料制成：聚偏氟乙烯20‑80份；丙酮10‑50份；N,N‑二甲基甲酰胺2‑20份；二水硫酸铈铵0.1‑1份；石墨烯0.5‑2份。制备方法，包括：(1)将上述原料配制成静电纺丝前驱体溶液；(2)对所得静电纺丝前驱体溶液进行静电纺丝，得到静电纺丝纤维膜；(3)对所得静电纺丝纤维膜进行高压极化，得到界面缓冲层。本发明所制备的界面缓冲层力学性能优越，能够缓解锂沉积过程中的应力集聚和体积膨胀，维持金属锂负极的界面稳定性；并且所制备的界面缓冲层能够将沉积过程中产生的应力转化为电场，从而实现锂的均匀沉积，抑制枝晶生长。

公开(公告)号：CN116288088A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310335505.2

申请日：2023-03-31

Applicant: 常州大学

Inventor： 秦立光 ,  李栋强 ,  李国姿 ,  孙尚琪 ,  刘俊杰

IPC: C22F1/08 ,  H01M4/66 ,  H01M4/78 ,  H01M4/70 ,  H01M10/052 ,  H01M12/06 ,  C21D9/00 ,  C25F3/22

Abstract: 本发明涉及锂金属电池领域，尤其涉及一种铜集流体表面结构及内部缺陷一体化构筑方法，包含以下步骤：(1)铜集流体表面的清洗、抛光、再次清洗与干燥；(2)通过机械压入方法一体构筑铜集流体表面微结构及内部缺陷的一体构筑；(3)铜集流体的热处理；(4)处理完毕的铜集流体的清洗与干燥。本发明方法简单，可重复性强，可控性好。铜集流体内部的缺陷可以调节金属锂沉积的成核位点，其外部的三维结构能够重构表面电场分布，延缓反应速率，通过内部缺陷和外部结构的协同作用实现金属锂的均匀形核和沉积，有效抑制锂枝晶的生长。另外，本改性方法仅针对铜集流体自身，不引入任何外来物质，能够最大限度保证锂金属负极的高能量密度优势。